1
- Infineon -
0.76 EUR
Infineon Irf 540ns - Mosfet, N-ch 100v 33a 0,044r, D2-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf540nspbftrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 2
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1.83 EUR
Infineon Spp04n60c3 - Mosfet N-ch 600v 4,5a 50w 0,95r To220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: spp04n60c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 3
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1.22 EUR
Infineon Irf 9540ns - Mosfet, P-ch, -100v -23a 0,117r, D2-pak
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4
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1.02 EUR
Infineon Irfd 024 - Mosfet, N-ch 60v 2,5a 1,3w, Hd-1
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfd024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 5
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2.02 EUR
Infineon Spa07n60c3 - Mosfet N-ch 600v 7,3a 32w 0,6r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: spa07n60c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Mejora de la transconductancia • PG-TO-220-3-31;-3-111: Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 6
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0.67 EUR
Infineon Irfr3910pbf - Mosfet N-ch 100v 16a 0,115r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr3910trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 7
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2.54 EUR
Infineon Irfb 4227 - Mosfet, N-ch 200v 65a 0,0197r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfb4227pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Características • Tecnología de proceso avanzada • Parámetros de clave optimizados para las aplicaciones PDP-Sustain, recuperación de energía y cambio de paso • Baja evaluación de EPULSE para reducir la pérdida de potencia en las aplicaciones de PDP Sustain, recuperación de energía y cambio de paso • QG bajo para una capacidad de reacción rápida • Alta capacidad de corriente de punta de repetición para un funcionamiento fiable • Tiempos de descenso y subida cortos para un cambio rápido • Temperatura de funcionamiento de bloqueo de 175 °C para una mayor robustez • Capacidad repetitiva de avalanche para robustez y fiabilidad Amplificador de audio clase D 300W-500W (conmutación de semipuente)
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 8
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4.06 EUR
Infineon Irfp90n20dpbf - Mosfet N-ch 200v 94a 0,023r, To-247ac
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfp90n20dpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Convertidores dc-dc de alta frecuencia Sin plomo Beneficios Carga de puerta a drenaje baja para reducir los lotes de conmutación La capacidad de carácter completo incluye un COSS eficaz para simplificar el diseño Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 9
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1.42 EUR
Infineon Irfb4410zpbf - Mosfet, N-ch 100v 97a 0,009r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfb4410zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Compatible con RoHS, sin halógenos Aplicaciones Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Conmutación de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia conmutadas con dureza
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 10
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0.49 EUR
Infineon Irfr 110 - Mosfet, N-ch 100v 4,3a 25w, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr110pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Montaje en superficie (IRFR110, SiHFR110) • Plomo recto (IRFU110, SiHFU110) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 11
- Infineon -
0.97 EUR
Infineon Irf540nspbf - Mosfet N-ch 100v 33a 0,044r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf540ns
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 12
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2.14 EUR
Infineon Ipa60r280c6 - Mosfet N-ch 600v 13,8a 32w 0,28r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipa60r280c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 13
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2.29 EUR
Infineon Ipa65r380e6xksa1 - Mosfet, N-ch 650v 10,6a 0,38r, To-220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipa65r380e6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 14
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1.83 EUR
Infineon Irf 5210s - Mosfet, P-ch, -100v -38a 0,06r, D2pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf5210spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Entre las características de este diseño se incluyen una temperatura de funcionamiento de capa de bloqueo de 150 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en una gran variedad de aplicaciones. Descripción • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • 150 °C de temperatura de servicio • Cambio rápido • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax • Algunos parámetros son diferentes a los del IRF5210S/L. • Canal p. • sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 15
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1.63 EUR
Infineon Irfb 4410 - Mosfet, N-ch 100v 88a 200w, To-220ab
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16
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2.24 EUR
Infineon Irfb 3006 - Mosfet, N-ch 60v 195a 375w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfb3006pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Aplicaciones: • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor puerta, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 17
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0.81 EUR
Infineon Irlu 3410 - Mosfet, N-ch 100v 17a 79w, To-251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlu3410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 18
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1.37 EUR
Infineon Irlu 3110z - Mosfet, N-ch 100v 63a 140w, To-251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlu3110zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de rendimiento HEXFET® aprovecha las innovaciones más recientes, características adicionales de temperatura de funcionamiento, velocidad de conmutación rápida y evaluación de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de otras aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 19
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0.56 EUR
Infineon Irlr 120n - Mosfet, N-ch 100v 10a 0,185r, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Montaje en superficie (IRLR120N) • Línea recta (IRLU120N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 20
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1.42 EUR
Infineon Irf3710zspbf - Mosfet N-ch 100v 59a 0,018r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3710zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 21
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0.65 EUR
Infineon Irlr 3410 - Mosfet, N-ch 100v 17a 0,105r, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr3410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 22
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0.55 EUR
Infineon Irlu 120n - Mosfet, N-ch 100v 10a 0,185r, I-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlu120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET para los HEXFET, ofrece al diseñador un elemento de construcción extremadamente eficiente para una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK es para montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión de conector recto (serie IRFU) es para aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 23
- Infineon -
0.76 EUR
Infineon Irfr 3806 Ir - Mosfet, N-ch 60v 31a 71w, Dpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr3806pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de Gate, Avalon y Dynamic dv/dt • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejor capacidad del diodo Body DV/dt y di/dt
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 24
- Infineon -
0.79 EUR
Infineon Irfr 9120n - Mosfet, P-ch, 100v 6.6a 40w, D-pak
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25
- Infineon -
2.8 EUR
Infineon Irf 2907z - Mosfet, N-ch 75v 170a 4,5mr 300w, To-220ab
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26
- Infineon -
0.8 EUR
Infineon Irlr 2905z Ir - Mosfet, N-ch 55v 42a 0,0135r, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr2905zpbfgurt
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción general Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de cambio y una calificación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente fiable y extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Características • Nivel lógico • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 27
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1.22 EUR
Infineon Irfp 150n - Mosfet, N-ch 100v 42a 160w, To-247ac
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfp150npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 28
- Infineon -
2.64 EUR
Infineon Irfs7730trl7pp - Mosfet N-ch 75v 240a 0,0017r, D²pak-7
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfs7730trl7pp
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFS7730-7PPbF, StrongIRFET™ Ventajas: • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body • Sin plomo, compatible con RoHS Aplicaciones: • Aplicaciones para accionamientos de motor con escobillas • Aplicaciones de accionamiento del motor BLDC • Circuitos accionados por batería • Topologías de puente completo y semipuente • Aplicaciones de rectificadores síncronos • Alimentación en modo de resonancia • Disyuntores redundantes y OR-ing • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 29
- Infineon -
0.48 EUR
Infineon Irfz 24n - Mosfet, N-ch 55v 17a 0,07r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz24npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETA de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia posible en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 30
- Infineon -
0.7 EUR
Infineon Irf 7316 - Mosfet, P-ch, 30v 4,9a 0,058r 2w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7316pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características • Tecnología de la generación V. • Resistencia en marcha extremadamente baja • Montaje en superficie • sin plomo • totalmente avalancha
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 31
- Infineon -
0.51 EUR
Infineon Irlr024npbf - Mosfet N-ch 55v 17a 0,065r, To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr024ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRLR024NPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripciones: Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. Se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características: • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 32
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5.75 EUR
Infineon Ipw65r095c7 - Mosfet N-ch 650v 24a 128w 0,095r To247
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipw65r095c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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