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Brand: Infineon
MPN: irfi4020h117p
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Este medio puente MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Consta de dos conmutadores MOSFET de potencia conectados en una configuración de medio puente. El proceso más reciente se utiliza para lograr una resistencia baja por cara de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo Body y la resistencia interna de puerta se han optimizado para mejorar los factores de rendimiento clave de los amplificadores de audio de clase D, como la eficiencia, THD y EMI. Esta combinación hace de este medio puente un componente de alta eficiencia, robusto y fiable para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Características: • Carcasa de semipuente integrada • Reduce a la mitad el número de componentes • Permite un mejor diseño de PCB • Parámetros de clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio clase D. • t RDS(ON) bajo para una mayor eficiencia Qg y Qsw bajos para un mejor THD y una mayor eficiencia • Qrr bajo para un mejor factor de distorsión y EMI menor • Puede alcanzar hasta 300 W por canal a una carga de 8o en la configuración de semipuente del amplificador • Carcasa sin plomo
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MPN: bts711l1xuma1
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BTS711L1, disyuntor inteligente de lado alto Descripción FET de potencia vertical de canal N con bomba de carga, entrada compatible con CMOS de masa y retorno de diagnóstico, integrado monolítico con tecnología Smart SIPMOS®. Proporciona funciones de protección integradas. Características • Protección contra sobrecarga • Limitación de corriente • Protección contra cortocircuitos • Desconexión térmica • Protección contra sobretensiones (incluida la descarga transitoria) • Desmagnetización rápida de cargas inductivas • Protección contra polaridad inversa de la batería1) • Desconexión de sobretensión y subtensión con rearranque automático e histéresis • Salida de diagnóstico Open Drain • Detección de carga abierta en estado ON • Entrada compatible con CMOS • Protección contra pérdida de masa y pérdida de Vbb • Protección contra descargas electrostáticas (ESD) • Certificación AEC • Producto ecológico (conformidad RoHS) Aplicación • Disyuntor compatible con µC con retroalimentación de diagnóstico para cargas con puesta a tierra de 12 V y 24 V CC • Todo tipo de cargas resistivas, inductivas y capacitivas • Sustituye a los relés electromecánicos y los circuitos discretos
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MPN: irf830pbf
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Estos transistores de efecto de campo de rendimiento de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican con la tecnología de DMOS planar propiedad de Fairchild. Esta tecnología avanzada se ha diseñado específicamente para minimizar la resistencia al paso, proporcionar una potencia de ruptura superior y soportar impulsos de energía elevados en los modos de conmutación y conmutación. Estos componentes son adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección de factor de potencia y dispositivos electrónicos de conmutación de lámparas con base de semipuente.
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MOSFET HEXFETPOWER Características • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de conmutación • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo un COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas Aplicación • Convertidor dc-dc de alta frecuencia • Sin plomo
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Transistor MOSFET P-CH 100 V 13 BIS 3 clavijas (2+Tab) D-PAK
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MPN: ipa60r180c7xksa1
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MOSFET de potencia 600V COOL MOS C7 CoolMOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para los MOSFET de alta tensión, desarrollada según el principio de superUnión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Características Adecuado para cambios duros y blandos (PFC y LLC de alto rendimiento) Mayor resistencia MOSFET dv/dt hasta 120V/ns Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/vivienda de clase Aplicaciones Niveles de PFC y niveles de PWM (TTF, LLC) para SMPS de alto rendimiento/rendimiento, por ejemplo, para ordenadores, servidores, telecomunicaciones, UPS y solar.
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-30V un canal P HEXFET MOSFET de potencia en la carcasa SO-8 Ventajas: Compatible con RoHS RDS(on) bajo Calidad líder del sector Evaluación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente apto para viento Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p.
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Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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MPN: ipp60r280c6xksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla Sin plomo
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Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, LCD y PDP TV,
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MPN: spa16n50c3xksa1
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500V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Los sistemas HEXFET de tercera generación de International rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, resistencia baja y rentabilidad. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO-247 es similar a la anterior caja TO-218, pero es superior debido a su abertura de montaje aislada. También proporciona una mayor distancia de fuga entre los pasadores para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
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MPN: irlr110pbf
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Los MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-PAK es para montaje superficial con fases de vapor, infrarrojos o Técnicas de soldadura por ola. La versión de conector recto (serie IRFU) es para Aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • RDS(on) especificado en VGS=4V & %V.
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MPN: ipp60r099c6xksa1
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: irfb7546pbf
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Aplicación • Aplicaciones para accionamientos de motor con escobillas • Aplicaciones para accionamientos de motor BLDC • Circuitos accionados por batería • Topologías de puente completo y semipuente • Aplicaciones de rectificadores síncronos • Alimentación en modo de resonancia • Disyuntores redundantes y OR-ing • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA Ventajas • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Mejor capacidad de diodo de cuerpo DV/dt y di/dt • Sin plomo, compatible con RoHS
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MPN: irf7410pbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Descripción: Estos MOSFET de potencia HEXFETPOWER de canal P de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por rango de silicio. Esta ventaja proporciona al diseñador un componente de construcción extremadamente eficiente para su uso en aplicaciones de gestión de carga y batería. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de varios sistemas, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Con estas mejoras, se pueden utilizar varios módulos en una aplicación con un puesto de platino reducido drásticamente. La carcasa está diseñada para la tecnología de fases de vapor, infrarrojos o de soldadura por ola. Características: • Resistencia ultra baja en tiempo real • MOSFET de canal p. • Montaje en superficie • Disponible como cinta y reel • Sin plomo
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MPN: idh06g65c5
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5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las características térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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Brand: Infineon
MPN: irlb3036pbf
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Aplicaciones • Accionamiento del motor CC • Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Circuitos de potencia de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Optimizado para Logic Level Drive • RDS(ON) muy bajo a 4,5V VGS • Excelente R*Q a 4,5V VGS • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejor capacidad de diodo de cuerpo DV/dt y di/dt • sin plomo
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MPN: irfbc40pbf
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Este transistor de campo de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento, el transistor de efecto de campo de potencia es un MOSFET de potencia avanzado que se ha probado y garantiza que resiste una cantidad determinada de energía en modo de ruptura de campo de Avalon. Todos estos MOSFET de potencia son para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé controladores de relé y controladores para transistores bipolares de conmutación de alta potencia que requieren una alta velocidad y una baja potencia de controlador de puerta. Estos tipos pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.
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MPN: ipp60r160c6xksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: irf820pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRF820, MOSFET de potencia DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto de equipos, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad.el chasis TO-220AB es generalmente preferido para aplicaciones comerciales-industriales con potencias de pérdida de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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Brand: Infineon
MPN: irlb3813pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia HEXFET Ventajas: • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas • Sin plomo Aplicaciones: • Optimizado para aplicaciones UPS/inversor • Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para aplicaciones industriales y de telecomunicaciones • Herramientas eléctricas
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Brand: Infineon
MPN: irfz48nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 55 V 64A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK
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Brand: Infineon
MPN: irlb8721pbf
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Alimentación MOSFET
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Brand: Infineon
MPN: spp18p06phxksa1
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SIPMOS® Transistor de Señal Pequeña Características • Canal P • Modo de mejora • Nivel normal • Avalancha clasificada • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente ° Libre de halógenos según IEC61249_2_21 ° Calificado según AEC Q101
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Brand: Infineon
MPN: irfr110pbf
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Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Montaje en superficie (IRFR110, SiHFR110) • Plomo recto (IRFU110, SiHFU110) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r099c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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