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1 
Brand: Infineon
MPN: irfr1205trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Sin plomo
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0.56 EUR
Infineon Irfr1205trpbf - Mosfet, N-ch 55v 44a 0,027r, To-252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr1205trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Sin plomo
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2 
Brand: Infineon
MPN: irf634pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de tercera generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Evaluación dinámica dv/dt • Evaluación repetida de Avalon • Cambio rápido • Sencillos requisitos de control • Conmutación en paralelo sencilla
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Infineon Irf 634 - Mosfet, N-ch 250v 8,1a 74w 0,45r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irf634pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de tercera generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Evaluación dinámica dv/dt • Evaluación repetida de Avalon • Cambio rápido • Sencillos requisitos de control • Conmutación en paralelo sencilla
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3 
Brand: Infineon
MPN: irf1404spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETA de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una resistencia de paso extremadamente baja Pro De silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la mínima resistencia en el uso en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia interna de conexión y puede alcanzar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF1404L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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3.41 EUR
Infineon Irf 1404s - Mosfet, N-ch 40v 162a 0,004r 200w, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irf1404spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETA de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una resistencia de paso extremadamente baja Pro De silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la mínima resistencia en el uso en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia interna de conexión y puede alcanzar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF1404L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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4 
Brand: Infineon
MPN: irf7389pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características • Tecnología de la generación V. • Resistencia en marcha extremadamente baja • Montaje en superficie • sin plomo • totalmente avalancha
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0.69 EUR
Infineon Irf 7389 - Mosfet, N+p-ch, 30/-30v 7,3/-5,3a 0,029/0,058r, So-8
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Brand: Infineon
MPN: irf7389pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características • Tecnología de la generación V. • Resistencia en marcha extremadamente baja • Montaje en superficie • sin plomo • totalmente avalancha
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5
Brand: Infineon
MPN: irfr48ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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0.82 EUR
Infineon Irfr48zpbf - Mosfet N-ch 55v 42a 0,011r To252aa
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MPN: irfr48ztrpbf
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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6
Brand: Infineon
MPN: irfr1010zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en aplicaciones de gran variedad.
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1.01 EUR
Infineon Irfr1010zpbf - Mosfet N-ch 55v 42a 0,0075r To252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr1010zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en aplicaciones de gran variedad.
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Brand: Infineon
MPN: irf3205spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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1.01 EUR
Infineon Irf 3205s - Mosfet, N-ch 55v 110a 0,008r, D2pak
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MPN: irf3205spbf
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Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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Brand: Infineon
MPN: bat6405e6327htsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diodos Schottky / diodos de operador activo Se ha optimizado para un cambio rápido Caída de tensión baja en dirección de paso
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Infineon Bat6405e6327h - 2xsmd Schottky, Ca, 40v, 0,25a, Sot23
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Brand: Infineon
MPN: bat6405e6327htsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diodos Schottky / diodos de operador activo Se ha optimizado para un cambio rápido Caída de tensión baja en dirección de paso
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Brand: Infineon
MPN: irlr120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Montaje en superficie (IRLR120N) • Línea recta (IRLU120N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Infineon Irlr 120n - Mosfet, N-ch 100v 10a 0,185r, D-pak
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Brand: Infineon
MPN: irlr120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Montaje en superficie (IRLR120N) • Línea recta (IRLU120N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf3205strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irf3205spbf - Mosfet N-ch 55v 75a 0,008r, D²pak
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Brand: Infineon
MPN: irf3205strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irlr024npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier Utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de silicio. Esta ventaja se combina con la velocidad de cambio rápida Velocidad de conmutación y diseño robusto del dispositivo, para los MOSFET de potencia HEXFET Conocidos por los HEXFETT, el diseñador ofrece un componente de construcción extremadamente eficiente para Una gran variedad de aplicaciones. El D-PAK es para montaje superficial con fases de vapor, infrarrojos o Técnicas de soldadura por ola. La versión de conector recto (serie IRFU) es para Aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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0.42 EUR
Infineon Irlr 024n - Mosfet, N-ch 55v 17a 0,065r, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr024npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier Utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de silicio. Esta ventaja se combina con la velocidad de cambio rápida Velocidad de conmutación y diseño robusto del dispositivo, para los MOSFET de potencia HEXFET Conocidos por los HEXFETT, el diseñador ofrece un componente de construcción extremadamente eficiente para Una gran variedad de aplicaciones. El D-PAK es para montaje superficial con fases de vapor, infrarrojos o Técnicas de soldadura por ola. La versión de conector recto (serie IRFU) es para Aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irlr3410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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- Infineon -
0.65 EUR
Infineon Irlr 3410 - Mosfet, N-ch 100v 17a 0,105r, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr3410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf1404pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 se convierte generalmente en una pérdida de potencia para todas las aplicaciones comerciales e industriales. De hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRF 1310NS) • Orificio pasante plano (IRF 1310NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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1.42 EUR
Infineon Irf 1404 - Mosfet, N-ch 40v 162a 0,004r 200w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1404pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 se convierte generalmente en una pérdida de potencia para todas las aplicaciones comerciales e industriales. De hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRF 1310NS) • Orificio pasante plano (IRF 1310NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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Brand: Infineon
MPN: irfd110pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y equipada con una máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pluma estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • • • • •
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0.56 EUR
Infineon Irfd 110 - Mosfet, N-ch 100v 1a 1,3w, Hd-1
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfd110pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y equipada con una máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pluma estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • • • • •
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Brand: Infineon
MPN: irf7341pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF7341PbF, HEXFET® Power MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que se conocen los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un marco de plomo personalizado para mejorar las propiedades térmicas y aumentar la capacidad de recarga, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento IDEAL. Estas mejoras permiten utilizar múltiples componentes en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de soldadura por fase de vapor, infrarrojos o por ola. Una pérdida de potencia de más de 0,8 W es posible en una aplicación de montaje de PCB típica. Características • Tecnología de generación V. • Ultra bajo EN resistencia • Doble N-canal MOSFET • Montaje superficial • Disponible en cinta y carrete • Valor dinámico dv/dt • Cambio rápido
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0.5 EUR
Infineon Irf 7341 - Mosfet Doble, N-ch 55v 4,7a 0,05r, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7341pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF7341PbF, HEXFET® Power MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que se conocen los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un marco de plomo personalizado para mejorar las propiedades térmicas y aumentar la capacidad de recarga, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento IDEAL. Estas mejoras permiten utilizar múltiples componentes en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de soldadura por fase de vapor, infrarrojos o por ola. Una pérdida de potencia de más de 0,8 W es posible en una aplicación de montaje de PCB típica. Características • Tecnología de generación V. • Ultra bajo EN resistencia • Doble N-canal MOSFET • Montaje superficial • Disponible en cinta y carrete • Valor dinámico dv/dt • Cambio rápido
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Brand: Infineon
MPN: irf9540n
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de cambio de marchas rápida y el diseño robusto del dispositivo, para la potencia HEXFET Conocidos por MOSFET, el diseñador ofrece un componente de construcción altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 es de preferencia universal para todas las aplicaciones industriales comerciales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Valor dv/dt dinámico • Cambio rápido • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Totalmente apto para Avalon • Canal p.
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0.86 EUR
Infineon Irf 9540n - Mosfet, P-ch, 100v 23a 140w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf9540n
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de cambio de marchas rápida y el diseño robusto del dispositivo, para la potencia HEXFET Conocidos por MOSFET, el diseñador ofrece un componente de construcción altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 es de preferencia universal para todas las aplicaciones industriales comerciales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Valor dv/dt dinámico • Cambio rápido • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Totalmente apto para Avalon • Canal p.
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Brand: Infineon
MPN: irf4905strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET® Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia a la conexión ultrabaja Temperatura de funcionamiento: 150 °C Conmutación rápida Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax Sin plomo
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2.02 EUR
Infineon Irf4905spbf - Mosfet P-ch, -55v -42a 0,02r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf4905strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET® Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia a la conexión ultrabaja Temperatura de funcionamiento: 150 °C Conmutación rápida Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r099c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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7.68 EUR
Infineon Ipp60r099c6xksa1 - Mosfet, N-ch 600v 37,9a 0,099r, To-220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipp60r099c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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Brand: Infineon
MPN: irfr3910trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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0.67 EUR
Infineon Irfr3910pbf - Mosfet N-ch 100v 16a 0,115r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr3910trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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Brand: Infineon
MPN: irlr2705trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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0.43 EUR
Infineon Irlr2705pbf - Mosfet N-logl 55v 28a 0,04r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr2705trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irlr3110ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Descripción Específicamente diseñado para aplicaciones industriales, this HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para lograr una resistencia extrema en el área de silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida e mejora de la calificación de la avalancha repetitiva . Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en aplicaciones industriales y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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1.32 EUR
Infineon Irlr3110zpbf - Mosfet N-logl 100v 42a 0,014r To252aa
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Brand: Infineon
MPN: irlr3110ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Descripción Específicamente diseñado para aplicaciones industriales, this HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para lograr una resistencia extrema en el área de silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida e mejora de la calificación de la avalancha repetitiva . Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en aplicaciones industriales y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irf3710spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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1.17 EUR
Infineon Irf 3710s - Mosfet, N-ch 100v 57a 0,023r, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irf3710spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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Brand: Infineon
MPN: irfr3710ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Opciones de paquete múltiple Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Las características adicionales de este diseño son a 175 °C temperatura de funcionamiento de la junta, velocidad de conmutación rápida y calificación crediticia de valor repetitivo mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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1.17 EUR
Infineon Irfr3710zpbf - Mosfet N-ch 100v 42a 0,018r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr3710ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Opciones de paquete múltiple Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Las características adicionales de este diseño son a 175 °C temperatura de funcionamiento de la junta, velocidad de conmutación rápida y calificación crediticia de valor repetitivo mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irfr2407trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free
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0.97 EUR
Infineon Irfr2407pbf - Mosfet N-ch 75v 42a 0,026r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr2407trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free
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Brand: Infineon
MPN: irfz44epbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irfz44epbf - Mosfet N-ch 60v 48a 110w 0,023r To220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz44epbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irlu3410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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0.81 EUR
Infineon Irlu 3410 - Mosfet, N-ch 100v 17a 79w, To-251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlu3410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Resistencia de paso extremadamente baja • Montaje en superficie (IRFR024N) • Conector recto (IRFU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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0.76 EUR
Infineon Irfr 120n - Mosfet, N-ch 100v 9,4a 48w, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Resistencia de paso extremadamente baja • Montaje en superficie (IRFR024N) • Conector recto (IRFU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfp260npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFP260NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier/Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que un mayor rendimiento impide el uso de componentes TO-220. La carcasa TO-247 es similar a la carcasa TO-218 anterior, pero es superior gracias a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Clasificación completa de Avalancha • Paralelización simple • Requisitos de accionamiento sencillos • Sin plomo
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1.93 EUR
Infineon Irfp 260n - Mosfet, N-ch 200v 50a 0,04r, To-247ac
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfp260npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFP260NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier/Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que un mayor rendimiento impide el uso de componentes TO-220. La carcasa TO-247 es similar a la carcasa TO-218 anterior, pero es superior gracias a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Clasificación completa de Avalancha • Paralelización simple • Requisitos de accionamiento sencillos • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr3411trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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0.79 EUR
Infineon Irfr3411trpbf - Mosfet, N-ch 100v 32a 0,044r, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr3411trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf2804strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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- Infineon -
2.24 EUR
Infineon Irf2804spbf - Mosfet N-ch 40v 75a 0,002r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2804strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf3415pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 se convierte generalmente en una pérdida de potencia para todas las aplicaciones comerciales e industriales. De hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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1.53 EUR
Infineon Irf 3415 - Mosfet, N-ch 150v 43a 0,042r 200w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3415pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 se convierte generalmente en una pérdida de potencia para todas las aplicaciones comerciales e industriales. De hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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Brand: Infineon
MPN: irfz46npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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- Infineon -
0.65 EUR
Infineon Irfz 46n - Mosfet, N-ch 55v 46a 107w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz46npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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- Bosch -
76.65 EUR
Bosch S. Of. Batería 2,5ah Bosch P4a 5001518 Rapid
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- Hi Tec -
52.49 EUR
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- Columbia -
29.99 EUR
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- Columbia -
29.99 EUR
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- Columbia -
70.83 EUR
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- Columbia -
61.59 EUR
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- Columbia -
29.99 EUR
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- Columbia -
20.99 EUR
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- Columbia -
30.09 EUR
Columbia Rapid Rivers Camisa Montaa Manga Corta Hombre Verde Male
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- Rapid -
38.56 EUR
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electropolis.es
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- Rapid -
16.67 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x12mm - Alto Rendimiento 5001434 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
6.68 EUR
Rapid Blister 50 Remaches ø4.8x12mm. Alu + Broca 5000388 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
16.43 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x10mm - Alto Rendimiento 5001433 Rapid
electropolis.es
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Impresoras3d -
20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Negro 1,75 Mm
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Impresoras3d -
20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Blanco 1,75 Mm
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Transporte: 0.00 EUR
Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Impresoras3d -
20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Gris 1,75 Mm
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Columbia -
30.00 EUR
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- Columbia -
30.00 EUR
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esdemarca.com
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