Microchip Msc750sma170b4 Sic Mosfet N | ofertas similares hoy
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Brand: Microchip
MPN: msc750sma170b4
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MSC750SMA170B4, 1700 V, 750 mOhm, MOSFET de potencia de canal N de carburo de silicio Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El MSC750SMA170B4 es un sistema SiC-MOSFET de 1700 V y 750 Mo en una carcasa TO-247-4L. Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 175 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía
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Microchip in Componentes eléctricos y electrónicos
- Microchip -
7.07 EUR
Microchip Msc750sma170b4 - Sic-mosfet N-ch 1700v 7a 0,750r, To-247-4l
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Microchip
MPN: msc750sma170b4
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MSC750SMA170B4, 1700 V, 750 mOhm, MOSFET de potencia de canal N de carburo de silicio Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El MSC750SMA170B4 es un sistema SiC-MOSFET de 1700 V y 750 Mo en una carcasa TO-247-4L. Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 175 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía
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