Microchip Msc400sma330b4 Sic Mosfet N | ofertas similares hoy
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Brand: Microchip
MPN: msc400sma330b4
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MSC400SMA330B4, 3300 V, 400 mOhm canal SiC N potencia MOSFET Descripción general del producto La línea de productos MOSFET de rendimiento de carburo de silicio (SiC) de Microsemi aumenta el rendimiento de las soluciones MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El MSC400SMA330B4 es un dispositivo de 3300 V, 400 Mo SiC-MOSFET en un chasis de 4 conductores TO-247 con detección de código fuente. Características • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la baja resistencia interna de la compuerta (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 150 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía
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Microchip in Componentes eléctricos y electrónicos
- Microchip -
35.49 EUR
Microchip Msc400sma330b4 - Sic-mosfet N-ch 3300v 11a 0,416r, To-247-4l
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Microchip
MPN: msc400sma330b4
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MSC400SMA330B4, 3300 V, 400 mOhm canal SiC N potencia MOSFET Descripción general del producto La línea de productos MOSFET de rendimiento de carburo de silicio (SiC) de Microsemi aumenta el rendimiento de las soluciones MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El MSC400SMA330B4 es un dispositivo de 3300 V, 400 Mo SiC-MOSFET en un chasis de 4 conductores TO-247 con detección de código fuente. Características • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la baja resistencia interna de la compuerta (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 150 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía
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