Qorvo | Ofertas Componentes Eléctricos Y Electrónicos
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d06506ts
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 6a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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2.49 EUR
Qorvo Uj3d06506ts - Diodo Sic Schottkyodo 650v, Mps, 6a, Gen-iii, To-220-2l
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Qorvo
MPN: uj3d06506ts
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 6a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d1202ts
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 2a - 1200V diodo SiC Schottky Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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2.95 EUR
Qorvo Uj3d1202ts - Diodo Sic Schottkyodo 1200v, Mps, 2a, Gen-iii, To-220-2l
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d1202ts
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 2a - 1200V diodo SiC Schottky Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d06508ts
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 8a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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3.04 EUR
Qorvo Uj3d06508ts - Diodo Sic Schottkyodo 650v, Mps, 8a, Gen-iii, To-220-2l
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d06508ts
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 8a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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Brand: Qorvo
MPN: uf3c120150k4s
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Cascada de 150 RM de 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L. Descripción: Los productos en cascada de carburo de silicio Unido empaquetan sus rápidos JFET de alto rendimiento F3-SiC con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único componente de accionamiento de compuerta estándar de SiC en el mercado actual. Esta serie tiene cambios de marcha muy rápidos utilizando un chasis TO-247 de 4 puertos y las mejores propiedades de recuperación inversa de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son excelentes para el cambio de cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un almacenamiento de puerta estándar. Características: - Resistencia típica en tiempo real RDS(on) de 150MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 - Caja TO-247-4L para un cambio más rápido, formas de señal de puerta limpias Aplicaciones típicas - Carga eléctrica del vehículo - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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9.41 EUR
Qorvo Uf3c120150k4s - Fet En Cascada De Sic, 1200v 18,4a Rdson 0,15r To-247-4l
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Brand: Qorvo
MPN: uf3c120150k4s
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Cascada de 150 RM de 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L. Descripción: Los productos en cascada de carburo de silicio Unido empaquetan sus rápidos JFET de alto rendimiento F3-SiC con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único componente de accionamiento de compuerta estándar de SiC en el mercado actual. Esta serie tiene cambios de marcha muy rápidos utilizando un chasis TO-247 de 4 puertos y las mejores propiedades de recuperación inversa de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son excelentes para el cambio de cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un almacenamiento de puerta estándar. Características: - Resistencia típica en tiempo real RDS(on) de 150MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 - Caja TO-247-4L para un cambio más rápido, formas de señal de puerta limpias Aplicaciones típicas - Carga eléctrica del vehículo - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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5 
Brand: Qorvo
MPN: uj3d06504ts
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 4a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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2.02 EUR
Qorvo Uj3d06504ts - Diodo Sic Schottkyodo 650v, Mps, 4a, Gen-iii, To-220-2l
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Transporte: 9.95 EUR
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MPN: uj3d06504ts
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Gen-III 4a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d06520ksd
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Gen-III 2x10a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 30 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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8.24 EUR
Qorvo Uj3d06520ksd - Diodo Sic De Pantalla Doble 650v, Mps, 2x10a, Gen-iii, To-247-3l
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Qorvo
MPN: uj3d06520ksd
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 2x10a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 30 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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Brand: Qorvo
MPN: uf3c065080b7s
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
SIC-Kaskode-FET, 650V, 27a, Rdson 0.08R D²Pak-7L. Descripción: Este componente de SiC-FET se basa en una configuración de circuito en cascada única, en la que se empaqueta un SiC-JFET normalmente activado junto con un si-MOSFET para producir un componente de SiC-FET normalmente desactivado. La característica de controlador de puerta estándar del módulo permite un ''reemplazo de gota en gota'' real para los bloques si-IGBT, si-FETS, SiC-MOSFETS o si-Superjunction. Disponible en la carcasa D2PAK-7L, el bloque se caracteriza por una carga de puerta extremadamente baja y excepcionales propiedades de recuperación de marcha atrás, lo que lo convierte en ideal para conmutar cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un control de puerta estándar. Características: • Resistencia típica en tiempo real RDS(on), tipo 80MR • Temperatura de servicio máxima de 175 °C. • Excelente recuperación hacia atrás • Carga de puerta baja • Baja capacidad intrínseca • Protección contra ESD, HBM clase 2 • Carcasa D2PAK-7L para un cambio más rápido y formas de señal de puerta limpias Aplicaciones: • Conexión de carga EV • Inversor fotovoltaico • Fuentes de alimentación conmutadas • Módulos PFC de compensación de potencia reactiva • Accionamientos motorizados • Calentamiento por inducción
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8.64 EUR
Qorvo Uf3c065080b7s - Fet En Cascada De Sic, 650 V 27 A Rdson 0,08 R, D²pak-7l
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Qorvo
MPN: uf3c065080b7s
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
SIC-Kaskode-FET, 650V, 27a, Rdson 0.08R D²Pak-7L. Descripción: Este componente de SiC-FET se basa en una configuración de circuito en cascada única, en la que se empaqueta un SiC-JFET normalmente activado junto con un si-MOSFET para producir un componente de SiC-FET normalmente desactivado. La característica de controlador de puerta estándar del módulo permite un ''reemplazo de gota en gota'' real para los bloques si-IGBT, si-FETS, SiC-MOSFETS o si-Superjunction. Disponible en la carcasa D2PAK-7L, el bloque se caracteriza por una carga de puerta extremadamente baja y excepcionales propiedades de recuperación de marcha atrás, lo que lo convierte en ideal para conmutar cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un control de puerta estándar. Características: • Resistencia típica en tiempo real RDS(on), tipo 80MR • Temperatura de servicio máxima de 175 °C. • Excelente recuperación hacia atrás • Carga de puerta baja • Baja capacidad intrínseca • Protección contra ESD, HBM clase 2 • Carcasa D2PAK-7L para un cambio más rápido y formas de señal de puerta limpias Aplicaciones: • Conexión de carga EV • Inversor fotovoltaico • Fuentes de alimentación conmutadas • Módulos PFC de compensación de potencia reactiva • Accionamientos motorizados • Calentamiento por inducción
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