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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de TrenchT2 HiperFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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MOSFET de potencia TrenchT2 Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Temperatura de funcionamiento del rectificador casi Intrinsic 175 °C. Capacidad de manejo de alta corriente Compatible con ROHS Tecnología de tendencias de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente bajo ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Automotive Engine control Convertidor de ángulo síncrono (para Notebook SystemPower y General Purpose Point & Load) Convertidores de CC/CC Aplicaciones de conmutación de alta corriente Gestión del tren de potencia Arquitectura de alimentación distribuida
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones • Coverters CC-CC • Cargador de baterías • Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación • Choppers de CC • Accionamientos de motor CA y CC • Suministros de energía no perturbados • Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características International standard package Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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Diodos epiaxiales de recuperación rápida (FRED) para su uso como diodo de marcha libre El comportamiento de recuperación suave evita la aparición de picos de sobretensión elevados
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Diodo epiaxial de recuperación rápida
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Diodos epiaxiales de recuperación rápida (FRED) para su uso como diodo de marcha libre El comportamiento de recuperación suave evita la aparición de picos de sobretensión elevados
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LAA110, relé OptoMOS® de doble polo Descripción: El LAA110 es un relé doble de estado sólido 1-Form-A con dos interruptores MOSFET de control independiente y acoplado ópticamente. Los interruptores MOSFET y el chip fotovoltaico utilizan la arquitectura OptoMOS® patentada de Clare para proporcionar 3750 Vrms de aislamiento entre entrada y salida. La salida acoplada ópticamente es controlada por un led infrarrojo GaAIAs altamente eficiente. Este relé OptoMOS de dos polos ofrece una solución de diseño más compacta que los relés discretos de un solo polo en una variedad de aplicaciones y ahorra espacio de PCB al alojar ambos interruptores en una sola carcasa de 8 pines. Características • Requisitos de potencia de accionamiento bajo (compatible con TTL/CMOS) • Libre de arco y sin circuitos de atenuación • Aislamiento de entrada/salida de 3750Vrms • Cumplimiento de la FCC • Cumple con VDE • Sin generación EMI/RFI • Montable a máquina, soldable por olas • Cajas de cinta y carrete montadas en la superficie disponibles Aprobaciones • UL aprobado: Número de caso E76270 • Certificado CSA: Referencia LR 43639-10 • ES/IEC 60950-1:2001 Cumpliente Aplicaciones: • Telecomunicaciones • Instrumentación • Seguridad • Aeroespacial • Controles industriales
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Diodo casi Intrinsic Características Sustratos de silicona Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Superficie de montaje aislada Resistencia de puerta Intrinsic baja Aislamiento eléctrico de 2500 V~ Dynamic dv/dt Rating Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida QG bajo RDS bajo (ON) Baja capacidad de drenaje a separador Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio
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MOSFET de potencia TrenchP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada FBSOA ampliado Diodo casi Intrinsic RDS(ON) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Conmutación de lado alto Ampliadores de impulsos de empuje Choppers de CC Equipo de comprobación automático Reguladores actuales Aplicaciones de cargador de baterías
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MOSFET de potencia Polar3TM HiPerFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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MOSFET de potencia polar Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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Potencia lineal MOSFET w/Extended FBSOA Modo de mejora de n-Channel Garantía de FBSOA Características Diseñado para operaciones lineales Paquetes internacionales estándar Protección de FBSOA a 60 °C. Clasificación de inflamabilidad de epoxies Molding Meet UL94 V-0 Aplicaciones Cargas programables Reguladores actuales Convertidores dc-dc Cargador de baterías Choppers de CC Controles de temperatura y iluminación ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia
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Características • Chasis estándar internacional • Diodo intrínseco rápido • Evaluación de Avalon • RDS(ON) y QG bajos • Baja inductancia de la carcasa Ventajas • Montaje sencillo • Ahorro de espacio • Alta densidad de potencia Aplicaciones • Convertidor CC-CC • Cargadores de baterías • Fuentes de alimentación conmutadas y de resonancia Fuentes de alimentación • Deshacador de CC • Accionamientos de motor de CA y CC • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Fuentes de alimentación conmutadas de alta velocidad
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MOSFET de potencia polar Modo de enriquecimiento del canal p.
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características International Standard Package Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Modo conmutado y modo de resonancia suministros de alimentación Convertidores dc-dc Controladores láser Accionamientos de motor CA y CC Robótica y servocontroles
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada High dv/dt, trr bajo Características International standard package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio Bajo RDS (ON) proceso HDMOSTM Estructura celular de puerta de polisilicio rugada Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos Rectificador casi intrinsivo Aplicaciones DC-DC converters cargador de baterías modo conmutado y modo resonante suministros de alimentación choppers de CC controles de temperatura y iluminación Reguladores de corriente lineal ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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MOSFET de potencia PolarP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada Proceso PolarPTM rugged Inductancia de paquetes bajos Diodo casi Intrinsic ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Interruptores de lado alto Ampliadores de impulsos de empuje Choppers de CC Equipo de comprobación automático Reguladores actuales
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MOSFET de potencia lineal con FBSOA ampliado Modo de mejora de canal N FBSOA garantizado Clasificación Avalancha Características • MiniBLOC con aislamiento de nitruro de aluminio • Diseñado para funcionamiento lineal • Paquete estándar internacional • FBSOA garantizado a 75 °C • Clasificación Avalancha • El epoxi de moldeo cumple la clasificación de inflamabilidad UL94 V-0 Ventajas • Fácil de montar • Ahorro de espacio • Alta densidad de potencia Aplicaciones • Cargas programables • Reguladores de corriente • Convertidores CC-CC • Cargadores de baterías • Cortadoras DC • Controles de temperatura e iluminación
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Diodo rectificador estándar DSI 30-12a simple Características/ventajas: • Fichas pasivadas planas • Corriente de fuga muy baja • Caída de tensión muy baja en el sentido de paso • Comportamiento térmico mejorado Aplicaciones: • Diodo para la alineación principal • Para configuraciones de puente monofásicas y trifásicas Carcasa: • TO-220 • Estructura del estándar industrial • Compatible con RoHS • Epoxi conforme a UL 94V-0
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PolarHVTM Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Diodo de recuperación rápida Avalancha aconsejada Características diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) paquetes internacionales estándar Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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PolarHV HiPerFET Potencia MOSFET Modo de mejora de canal N = 200 ns Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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IXTP80N10T, MOSFET de potencia TrenchTM Características: • Resistencia de conexión ultra baja • Evaluación de Avalon • Baja inductancia de la carcasa: Fácil de usar y proteger • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Diodo intrínseco rápido Ventajas • Fácil de montar • Ahorro de espacio • Alta densidad de potencia Aplicaciones • Automóvil - Mandos del motor - Bus de alimentación de 42 V. - Sistemas ABS • Convertidor CC/CC y SAI offline • Interruptor primario para sistemas de 24 V y 48 V. • Arquitecturas de rendimiento distribuidas y VRM • Sistemas electrónicos de accionamiento de válvulas • Aplicaciones de conmutación de alta corriente • Amplificador síncrono de alta tensión Características Paquetes internacionales estándar Temperatura de funcionamiento 175 °C. Avalancha aconsejada Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Automoción - Motores de accionamiento - Conversión DC/DC - 42V bus de alimentación - Sistemas ABS Convertidores de CC/CC y UPS de fuera de línea Interruptor primario para sistemas de 24 V y 48 V. Aplicaciones de conmutación de alta corriente Distributed Power Architectures y VRM Sistemas electrónicos de transporte de la válvula
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MOSFET de potencia TrenchP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada FBSOA ampliado Diodo casi Intrinsic RDS(ON) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Conmutación de lado alto Ampliadores de impulsos de empuje Choppers de CC Equipo de comprobación automático Reguladores actuales Aplicaciones de cargador de baterías
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Coverters CC-CC Cargador de baterías Modo de conmutación y modo de resonancia Suministros de energía Choppers de CC Accionamientos de motor CA y CC Suministros de energía no perturbados Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio tensión de aislamiento 2500 V~ Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Una nueva codificación sincrónica Convertidores dc-dc Cargador de baterías Modo conmutado y modo de resonancia suministros de alimentación Choppers de CC Accionamientos de motor CA Suministros de alimentación ininterruptible Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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BiMOSFET de alta tensión y alto amplificador Transistor de MOS bipolar monolítico Características: • Diodo de retorno rápido monolítico • Alta tensión de bloqueo • JEDEC TO-268, carcasa de montaje superficial y JEDEC TO-247 AD • Pequeñas pérdidas de cambio • Alta capacidad de carga de corriente • Activación de MOS Gate: Simplicidad de accionamiento • Las resinas epoxídicas cumplen con la clase UL94V-0 de inflamabilidad Ventajas: • Pérdida de línea menor que MOSFET • Alta densidad de potencia • Adecuado para montaje en superficie • Fácil de montar con 1 tornillo (orificio de tornillo de fijación aislado) Aplicaciones: • Regulación de la velocidad del motor CA • Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) • Alimentación de modo de conmutación y modo de resonancia • Circuitos de descarga del condensador
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Características • Carcasa estándar internacional • Diodo intrínseco rápido • Baja productividad del chasis: Fácil de controlar y proteger • Puesta en marcha inductiva sin conexión (UIS) valor nominal Ventajas • fácil de montar • Ahorro de espacio • Alta densidad de potencia
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MPN: dsei1212a
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Diodo epiaxial de recuperación rápida
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Alimentación MOSFET Modo de mejora de canal N Clasificación Avalancha Diodo intrínseco rápido Características Paquete estándar internacional Temperatura de funcionamiento: 175 °C Alta capacidad de manejo de corriente Clasificación Avalancha Rectificador rápido intrínseco RDS bajo(on) Ventajas Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Convertidores CC-CC Cargadores de baterías Fuentes de alimentación conmutadas y resonantes Cortadoras DC Accionamientos de motores de CA Sistemas de alimentación ininterrumpida Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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TrenchMV Power MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características paquetes internacionales estándar Temperatura de funcionamiento 175 °C. Avalancha aconsejada RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia Aplicaciones Convertidores de CC/CC y UPS fuera de línea Interruptor primario para sistemas de 24 V y 48 V. Aplicaciones de conmutación de alta corriente Distributed Power Architectures y VRM Sistemas electrónicos de transporte de la válvula Rectificador síncrono de alta tensión
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