Adesto Technologies Corporatio | Ofertas Componentes Eléctricos Y Electrónicos

Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at25df321amh
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Características: O Suministro único 2,7V - 3,6V O Interfaz Periférica Serie (SPI) compatible - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ - Soporta programa de entrada dual y lectura de salida dual O Frecuencias de funcionamiento muy altas - 100MHz para Rapids - 85MHz para SPI - Reloj a salida (TV) de máximo 5ns máximo O Arquitectura de borrado flexible y optimizada para aplicaciones de almacenamiento de datos y código - Uniforme 4-Kbyte/32-KByte/64-KByte eliminación de bloques - Borrado completo del chip O Protección individual del sector con la funcionalidad Global Protect/Unprotect - 64 sectores cada uno con 64 Kbytes de contenido O Bloqueo controlado por hardware de sectores protegidos a través de WP pin - Cierre del sector O Registro de seguridad OTP programable de 128 bytes O Programación flexible - Byte / programa de página (1 a 256 bytes) O Programas rápidos y tiempos de eliminación - 1.0ms programa de página típica (256 bytes) tiempo requerido - 50 ms Típico de 4 Kbyte bloqueo de tiempo de borrado - 250 ms Típico 32 Kbyte bloqueo de tiempo de borrado - 400 ms Típico 64 Kbyte bloqueo de tiempo de borrado O Verificación automática y notificación de errores de borrado/programa O Reseteo controlado por software O JEDEC estándar fabricante + dispositivo ID método de lectura O Disipación de baja potencia - Corriente de lectura activa de 12mA (típica a 20MHz) - 5µA Deep Power-down Corriente (típico) O 100.000 ciclos de programa/borrado O Almacenamiento de datos: 20 años O corresponde a todo el rango de temperatura industrial
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Adesto Technologies Corporatio in Componentes eléctricos y electrónicos

Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db641eshnt
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 1,7V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 256 bytes. • 2 x búferes de datos SRAM independientes (256/264 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Eliminar sector (256KB) - Borrado de chip (64 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 400nA Ultra-Deep Power-down corriente - 5µA corriente de apagado profundo - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 7mA activa lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - 8-pin SOIC (0.208'' de ancho)
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Adesto Technologies Corporatio in Consumibles y almacenamiento

Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at25df081amh
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Memoria flash, Serial-NOR, 8 Mbit, SPI, UDFN-8, 100Mhz Características: - Suministro sencillo de 2.7V - 3.6V - Compatible con interfaz periférica serie (SPI) - Soporta los modos SPI 0 y 3 - Apoya el funcionamiento de RapidS™ - Soporta el programa de doble entrada y la lectura de doble salida - Frecuencias de funcionamiento muy altas - 100MHz para RapidS - 85MHz para SPI - Reloj a salida (tV) de máximo 5ns Máximo - Arquitectura de borrado flexible y optimizada para aplicaciones de código y almacenamiento de datos - Borrado de bloque uniforme de 4 Kbytes - Borrado de bloque de 32 kbytes uniforme - Borrado de bloque uniforme de 64 kbytes - Borrado completo del chip - Protección del sector individual con la funcionalidad Global Protect/Unprotect - 16 sectores con 64 KBytes de contenido cada uno - Bloqueo controlado por hardware de sectores protegidos a través de un pin WP - barrera sectorial - Cree cualquier combinación de sectores de 64 Kbytes que estén protegidos de forma permanente contra escritura. - Registro de seguridad OTP programable de 128 bytes - Programación flexible - Programa de bytes/página (de 1 a 256 bytes) - Programación rápida y tiempos de borrado - 1,0ms Programa de página típico (256 bytes) Tiempo invertido - 50 ms Tiempo típico de borrado del bloque de 4 kbytes - 250 ms Tiempo típico de borrado del bloque de 32 kbytes - 400 ms Tiempo típico de borrado del bloque de 64 kbytes - Comprobación e informe automáticos de los errores de borrado/programa - Reinicio controlado por software - Fabricante estándar JEDEC y metodología de lectura de ID de dispositivo - Baja disipación de energía - Corriente de lectura activa de 5mA (típica a 20MHz) - 5µA Corriente de bajada profunda (típica) - Vida útil: 100.000 ciclos de programación/borrado - Almacenamiento de datos: 20 años - Corresponde a todo el rango de temperatura industrial - Estándar de la industria Verde (libre de Pb/Halide-Free/RoHS compliant) Opciones de paquete - SOIC de 8 canales (150-mil y 208-mil de ancho) - 8 polos, ultraplano DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at25df321ash
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Características: O Suministro único 2,7V - 3,6V O Interfaz Periférica Serie (SPI) compatible - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ - Soporta programa de entrada dual y lectura de salida dual O Frecuencias de funcionamiento muy altas - 100MHz para Rapids - 85MHz para SPI - Reloj a salida (TV) de máximo 5ns máximo O Arquitectura de borrado flexible y optimizada para aplicaciones de almacenamiento de datos y código - Uniforme 4-Kbyte/32-KByte/64-KByte eliminación de bloques - Borrado completo del chip O Protección individual del sector con la funcionalidad Global Protect/Unprotect - 64 sectores cada uno con 64 Kbytes de contenido O Bloqueo controlado por hardware de sectores protegidos a través de WP pin - Cierre del sector O Registro de seguridad OTP programable de 128 bytes O Programación flexible - Byte / programa de página (1 a 256 bytes) O Programas rápidos y tiempos de eliminación - 1.0ms programa de página típica (256 bytes) tiempo requerido - 50 ms Típico de 4 Kbyte bloqueo de tiempo de borrado - 250 ms Típico 32 Kbyte bloqueo de tiempo de borrado - 400 ms Típico 64 Kbyte bloqueo de tiempo de borrado O Verificación automática y notificación de errores de borrado/programa O Reseteo controlado por software O JEDEC estándar fabricante + dispositivo ID método de lectura O Disipación de baja potencia - Corriente de lectura activa de 12mA (típica a 20MHz) - 5µA Deep Power-down Corriente (típico) O 100.000 ciclos de programa/borrado O Almacenamiento de datos: 20 años O corresponde a todo el rango de temperatura industrial
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db321eshfb
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 2,3V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 512 bytes por página - 528 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 512 bytes. • 2 x búferes de datos SRAM independientes (512/528 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 512/528 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (512/528 bytes) - Borrar bloque (4KB) - Eliminar sector (64KB) - Borrado de chip (32 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 400nA Ultra-Deep Power-down corriente - 3µA corriente de apagado profundo - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 7mA activa lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - 8-pin SOIC (0.208'' de ancho)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db021eshn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 256 bytes. • Buffer de datos SRAM (256/264 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Eliminar sector (32KB) - Borrado de chip (2 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 200nA Ultra-Deep Power-down corriente - 3µA corriente de apagado profundo - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 4.5mA activo de lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - SOIC de 8 pines (0.150'' y 0.208'' de ancho) - 8 pines ultra delgados DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db021emhn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Memoria flash, Serial-NOR, 2 Mbit, SPI, UDFN-8, 70Mhz, 1024 páginas x 264 bytes Características: - Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V - Compatible con interfaz periférica serie (SPI) - Soporta los modos SPI 0 y 3 - Apoya el funcionamiento de RapidS™ - Capacidad de lectura continua en todo el arreglo - Hasta 85MHz - Opción de lectura de bajo consumo hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (tV) de un máximo de 6ns - Tamaño de página definible por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de página puede preconfigurarse de fábrica para 256 bytes. - Búfer de datos SRAM (256/264 bytes) - Programación flexible - Programa de bytes/página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - escritura en búfer - Almacenamiento en memoria intermedia para el programa de página de la memoria principal - Opciones de borrado flexibles - Supresión de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Borrar sector (32KB) - Supresión de chip (2-Mbit/s) - Funciones avanzadas de protección de datos de hardware y software - Protección del sector individual - Bloque de sector individual para que cada sector esté permanentemente protegido contra escritura. - Registro de seguridad OTP de 128 bytes (programable una sola vez) - 64 bytes programados de fábrica con un identificador único - 64 bytes programables por el usuario - Opciones de restablecimiento controladas por hardware y software - Estándar JEDEC Fabricante e ID de dispositivo - Baja disipación de energía - Corriente de apagado ultraprofunda de 200nA (típica) - Corriente de reducción de potencia de 3µA (típica) - Corriente de espera de 25µA (típica a 20MHz) - 4.5mA Corriente de lectura activa (típica) - Vida útil: 100.000 ciclos de programación/borrado por página - Retención de datos: 20 años - Corresponde a todo el rango de temperatura industrial - Verde (libre de halogenuros/respetuoso con RoHS) Diseño de la carcasa - SOIC de 8 clavijas (0,150'' y 0,208'' de ancho) - DFN ultraplano de 8 pines (5 x 6 x 0,6 mm)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db041esshn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Memoria Flash, Serial-NOR, 4 Mbit, SPI, SO-8 0.150'', 85Mhz, 2048 páginas x 264 bytes Características: - Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V - Compatible con interfaz periférica serie (SPI) - Soporta los modos SPI 0 y 3 - Apoya el funcionamiento de RapidS™ - Capacidad de lectura continua en todo el arreglo - Hasta 85MHz - Opción de lectura de bajo consumo hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (tV) de un máximo de 6ns - Tamaño de página definible por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de página puede preconfigurarse de fábrica para 256 bytes. - 2 búferes de datos SRAM independientes (256/264 bytes) - Permite recibir datos durante la reprogramación del dispositivo de memoria principal. - Programación flexible - Programa de bytes/página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - escritura en búfer - Almacenamiento en memoria intermedia para el programa de página de la memoria principal - Opciones de borrado flexibles - Supresión de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Borrar sector (64KB) - Supresión de chip (4-Mbit/s) - Suspender / Reanudar programación y borrado - Funciones avanzadas de protección de datos de hardware y software - Protección del sector individual - Bloque de sector individual para que cada sector esté permanentemente protegido contra escritura. - Registro de seguridad OTP de 128 bytes (programable una sola vez) - 64 bytes programados de fábrica con un identificador único - 64 bytes programables por el usuario - Opciones de restablecimiento controladas por hardware y software - Estándar JEDEC Fabricante e ID de dispositivo - Baja disipación de energía - Corriente descendente de potencia ultra profunda de 400nA (típica) - Corriente de reducción de potencia de 3µA (típica) - 25µA Corriente de reposo (típica) - 7mA Corriente de lectura activa (típica) - Vida útil: 100.000 ciclos de programación/borrado por página - Retención de datos: 20 años - Corresponde a todo el rango de temperatura industrial - Verde (libre de halogenuros/respetuoso con RoHS) Diseño de la carcasa - SOIC de 8 clavijas (0,150'' y 0,208'' de ancho) - DFN ultraplano de 8 pines (5 x 6 x 0,6 mm)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at25df081assh
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Memoria Flash, Serial-NOR, 8 Mbit, SPI, SO-8 0.150'', 100Mhz Características: - Suministro sencillo de 2.7V - 3.6V - Compatible con interfaz periférica serie (SPI) - Soporta los modos SPI 0 y 3 - Apoya el funcionamiento de RapidS™ - Soporta el programa de doble entrada y la lectura de doble salida - Frecuencias de funcionamiento muy altas - 100MHz para RapidS - 85MHz para SPI - Reloj a salida (tV) de máximo 5ns Máximo - Arquitectura de borrado flexible y optimizada para aplicaciones de código y almacenamiento de datos - Borrado de bloque uniforme de 4 Kbytes - Borrado de bloque de 32 kbytes uniforme - Borrado de bloque uniforme de 64 kbytes - Borrado completo del chip - Protección del sector individual con la funcionalidad Global Protect/Unprotect - 16 sectores con 64 KBytes de contenido cada uno - Bloqueo controlado por hardware de sectores protegidos a través de un pin WP - barrera sectorial - Cree cualquier combinación de sectores de 64 Kbytes que estén protegidos de forma permanente contra escritura. - Registro de seguridad OTP programable de 128 bytes - Programación flexible - Programa de bytes/página (de 1 a 256 bytes) - Programación rápida y tiempos de borrado - 1,0ms Programa de página típico (256 bytes) Tiempo invertido - 50 ms Tiempo típico de borrado del bloque de 4 kbytes - 250 ms Tiempo típico de borrado del bloque de 32 kbytes - 400 ms Tiempo típico de borrado del bloque de 64 kbytes - Comprobación e informe automáticos de los errores de borrado/programa - Reinicio controlado por software - Fabricante estándar JEDEC y metodología de lectura de ID de dispositivo - Baja disipación de energía - Corriente de lectura activa de 5mA (típica a 20MHz) - 5µA Corriente de bajada profunda (típica) - Vida útil: 100.000 ciclos de programación/borrado - Almacenamiento de datos: 20 años - Corresponde a todo el rango de temperatura industrial - Estándar de la industria Verde (libre de Pb/Halide-Free/RoHS compliant) Opciones de paquete - SOIC de 8 canales (150-mil y 208-mil de ancho) - 8 polos, ultraplano DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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Adesto Technologies Corporatio in Componentes eléctricos y electrónicos

Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db081eshnb
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 1,7V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 256 bytes. • 2 x búferes de datos SRAM independientes (256/264 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Eliminar sector (64KB) - Borrado de chip (8 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 400nA Ultra-Deep Power-down corriente - 4,5µA Deep power-down actual - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 11mA activa lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - SOIC de 8 pines (0.150'' y 0.208'' de ancho)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db161eshd
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Características: • Tensión de alimentación 2,5V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 512 bytes por página - 528 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 512 bytes. • 2 x búferes de datos SRAM independientes (512/528 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 512/528 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (512/528 bytes) - Borrar bloque (4KB) - Eliminar sector (128KB) - Borrado de chip (16 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 400nA Ultra-Deep Power-down corriente - 3µA corriente de apagado profundo - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 7mA activa lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - 8-pin SOIC (0.208'' de ancho)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db021esshn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 256 bytes. • Buffer de datos SRAM (256/264 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Eliminar sector (32KB) - Borrado de chip (2 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 200nA Ultra-Deep Power-down corriente - 3µA corriente de apagado profundo - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 4.5mA activo de lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - SOIC de 8 pines (0.150'' y 0.208'' de ancho) - 8 pines ultra delgados DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db041eshn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Memoria Flash, Serial-NOR, 4 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 70Mhz, 2048 páginas x 256 bytes Características: - Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V - Compatible con interfaz periférica serie (SPI) - Soporta los modos SPI 0 y 3 - Apoya el funcionamiento de RapidS™ - Capacidad de lectura continua en todo el arreglo - Hasta 85MHz - Opción de lectura de bajo consumo hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (tV) de un máximo de 6ns - Tamaño de página definible por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de página puede preconfigurarse de fábrica para 256 bytes. - 2 búferes de datos SRAM independientes (256/264 bytes) - Permite recibir datos durante la reprogramación del dispositivo de memoria principal. - Programación flexible - Programa de bytes/página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - escritura en búfer - Almacenamiento en memoria intermedia para el programa de página de la memoria principal - Opciones de borrado flexibles - Supresión de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Borrar sector (64KB) - Supresión de chip (4-Mbit/s) - Suspender / Reanudar programación y borrado - Funciones avanzadas de protección de datos de hardware y software - Protección del sector individual - Bloque de sector individual para que cada sector esté permanentemente protegido contra escritura. - Registro de seguridad OTP de 128 bytes (programable una sola vez) - 64 bytes programados de fábrica con un identificador único - 64 bytes programables por el usuario - Opciones de restablecimiento controladas por hardware y software - Estándar JEDEC Fabricante e ID de dispositivo - Baja disipación de energía - Corriente descendente de potencia ultra profunda de 400nA (típica) - Corriente de reducción de potencia de 3µA (típica) - 25µA Corriente de reposo (típica) - 7mA Corriente de lectura activa (típica) - Vida útil: 100.000 ciclos de programación/borrado por página - Retención de datos: 20 años - Corresponde a todo el rango de temperatura industrial - Verde (libre de halogenuros/respetuoso con RoHS) Diseño de la carcasa - SOIC de 8 clavijas (0,150'' y 0,208'' de ancho) - DFN ultraplano de 8 pines (5 x 6 x 0,6 mm)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at25sf041bshd
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Memoria flash SPI serie de 4 Mbit con soporte de E/S doble y E/S cuádruple Ideal para aplicaciones en las que el código de programa se carga desde la memoria flash hasta una RAM externa antes de la ejecución. Los tamaños de bloque de eliminación están optimizados para satisfacer las necesidades actuales de los dispositivos de almacenamiento de datos. Características • Frecuencia de funcionamiento máxima de 108 MHz • 2,5 - 3,6 V de tensión de servicio • COMPATIBLE CON SFDP, JDES216B. • Zonas de seguridad OTP • Protección contra escritura de hardware y software • Tamaño de programación: 256 bytes • Borra 4 kbyte en 70 ms / completo en 2 segundos • Corriente estable: 25 micras • Conservación de datos: 2 años
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