Issi | Ofertas Instrumentos Musicales

Brand: Issi
MPN: is62c1024al35tli
Categoría: Instrumentos musicales

RAM estática CMOS de 128K x 8 baja potencia, SRAM, 5V 128kx8 35ns TSOP32(l) Descripción El ISSI IS62C1024al/IS65C1024al es una RAM CMOS estática de 8 bits con 131.072 palabras y bajo consumo de energía. Se fabrica con tecnología CMOS de alto rendimiento. Este procedimiento de gran fiabilidad, combinado con técnicas de diseño de circuito innovadoras, proporciona un mayor rendimiento y unos equipos con un bajo consumo de energía. Cuando CE1 está en HIGH o CE2 en LOW (deseleccionado), el dispositivo entra en un modo de espera en el que la disipación de energía puede reducirse mediante niveles de entrada CMOS. Características • Tiempo de acceso de alta velocidad: 35, 45 ns • Potencia activa baja: 100 mW (típica) • Baja potencia en espera: Espera CMOS de 20 micras (típica) • Salida compartida (OE) y dos entradas de habilitación de chip (CE1 y CE2) para aplicaciones sencillas • Funcionamiento totalmente estático: No se requiere reloj ni actualización • Entradas y salidas compatibles con TTL • Fuente de alimentación individual de 5 V (±10%) • Áreas de temperatura comerciales, industriales y de automoción • Configuración de pasador estándar: - SOP de 32 pines/ TSOP de 32 pines (tipo 1) • Sin plomo
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Brand: Issi
MPN: is62c1024al35qli
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128Kx8 RAM estática CMOS de baja potencia, SRAM, 5V 35ns SOP32 Descripción El ISSI IS62C1024AL/IS65C1024AL es una memoria RAM CMOS estática de 8 bits con 131.072 palabras y bajo consumo de energía. Se fabrica utilizando tecnología CMOS de alto rendimiento. Este proceso altamente confiable, combinado con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, da como resultado un mayor rendimiento y equipos de baja potencia. Cuando CE1 se establece en ALTO o CE2 se establece en BAJO (deseleccionado), el dispositivo entra en un modo de espera en el que la disipación de energía se puede reducir mediante el uso de niveles de entrada CMOS. Una simple expansión de memoria es posible mediante el uso de dos entradas habilitadas de chip, CE1 y CE2. La opción activa de escritura BAJA (WE) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Características • Tiempo de acceso: 35ns • Baja potencia activa: 100 mW • Rendimiento en espera: 20 µW CMOS en espera • Habilitación de salida (OE) + 2xChip habilitación de entradas (CE1 + CE2) para aplicaciones simples • Operación completamente estática: No se requiere reloj / actualización • TTL Compatible entradas + salidas • 5V (±10%) fuente de alimentación • Configuración predeterminada del pin: • SOP de 32 pines
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Brand: Issi
MPN: is61wv25616bll10tli
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Alta velocidad estática CMOS RAM 3,3V 256kx16 10ns TSOP44 (II) Descripción: Los ISSI IS61WV25616Axx/Bxx son RAM estática de alta velocidad de 4.194.304 bits, organizada como 262,144-palabra por 16-bit. Se fabrican utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente confiable, combinado con tecnologías innovadoras de circuitos, da como resultado componentes de alto rendimiento con bajo consumo de energía. Cuando CE se establece en ALTO (deseleccionado), el dispositivo entra en un modo de espera donde la disipación de energía se puede reducir hacia abajo con los niveles de entrada CMOS. La expansión simple de la memoria es posible mediante el uso de chip enable y output enable inputs, CE y OE. La opción activa de escritura BAJA (WE) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso a byte superior (UB) y byte inferior (LB). Los IS61WV6416DAxx/DBxx se fabrican en un paquete JEDEC estándar con TSOP de 44 pines Tipo II y SOJ de 44 pines de 400 mil.
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MPN: is61lv641610tli
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RAM estática CMOS de alta velocidad 64K x 16 con ALIMENTACIÓN DE 3,3V, SRAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II) El ISSI IS61LV6516/IS61LV6416L es de alta velocidad, 1,048,576 bit de RAM estática organizada como 65.536 palabras por 16 bits. Se fabrica utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente fiable se ha actualizado con técnicas de diseño de circuitos innovadores, ya que los tiempos de acceso son casi 8 ns con baja potencia.
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MPN: is61wv6416dbll10tli
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Alta velocidad estática CMOS RAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44 (II) Descripción: Los ISSI IS61WV6416DAxx/DBxx son RAM estática de alta velocidad con 1.048.576 bits organizados como 65.536 palabras por 16 bits. Se fabrican utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente confiable, combinado con tecnologías innovadoras de circuitos, da como resultado componentes de alto rendimiento con bajo consumo de energía. Cuando CE se establece en ALTO (deseleccionado), el dispositivo entra en un modo de espera donde la disipación de energía se puede reducir hacia abajo con los niveles de entrada CMOS. La expansión simple de la memoria es posible mediante el uso de chip enable y output enable inputs, CE y OE. La opción activa de escritura BAJA (WE) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso a byte superior (UB) y byte inferior (LB). Los IS61WV6416DAxx/DBxx se fabrican en un paquete JEDEC estándar con TSOP de 44 pines Tipo II y SOJ de 44 pines de 400 mil.
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Brand: Issi
MPN: is61c25616al10tli
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RAM estática CMOS de alta velocidad 5V 256kx16 10ns TSOP44 (II) Descripción: Los ISSI IS61C25616AL/AS e IS64C25616AL/AS son RAM estáticos de alta velocidad de 4.194.304 bits organizados como 262.144 palabras por 16 bits. Se fabrican utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente fiable, combinado con innovadoras tecnologías de circuitos, permite tiempos de acceso de hasta 12 ns con bajo consumo de energía. Cuando CE se establece en ALTO (deseleccionado), el dispositivo entra en un modo de espera donde la disipación de energía se puede reducir hacia abajo con los niveles de entrada CMOS. La expansión simple de la memoria es posible mediante el uso de chip enable y output enable inputs, CE y OE. La opción activa de escritura BAJA (WE) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso al byte superior (UB) + byte inferior (LB). Los IS61C25616AL/AS están empaquetados en los estándares JEDEC SOJ de 44 pines 400 mil y TSOP de 44 pines (Tipo II).
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Brand: Issi
MPN: is61wv1288eebll10tli
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RAM CMOS estática de alta velocidad 3,3V 128kx8 10ns TSOP32(I) con ECC Descripción: El ISSI IS61/64WV1288EBLL es una RAM estática de alta velocidad de 1.048.576 bits, organizada como 131.072 palabras de 8 bits. Se fabrica utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso de alta fiabilidad, combinado con técnicas de conmutación innovadoras, genera componentes de alto rendimiento con un bajo consumo de energía. Cuando CE se encuentra en HIGH (deseleccionado), el dispositivo pasa a un modo de espera en el que se puede reducir la pérdida de potencia con niveles de entrada CMOS hacia abajo. Se puede ampliar fácilmente la memoria mediante el uso de entradas de habilitación de chip y entradas de habilitación de salida, CE y OE. La habilitación de escritura BAJA activa (WE) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. El IS61/64WV1288EEBLL está alojado en el alojamiento estándar JEDEC con SOJ de 32 pines, TSOP-II, sTSOP-I y BGA de 48 bolas (6mmx8mm).
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MPN: is61c5128al10tli
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RAM estática CMOS de alta velocidad 5V 512kx8 10ns TSOP-44 Descripción: Los ISSI IS61C5128AL/AS e IS64C5128AL/AS son RAM estáticos de alta velocidad de 4.194.304 bits organizados como 524.288 palabras por 8 bits. Se fabrican utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente fiable, combinado con innovadoras tecnologías de circuitos, permite tiempos de acceso de hasta 12 ns con bajo consumo de energía. Cuando CE se establece en ALTO (deseleccionado), el dispositivo entra en un modo de espera donde la disipación de energía se puede reducir hacia abajo con los niveles de entrada CMOS. La expansión simple de la memoria es posible mediante el uso de chip enable y output enable inputs, CE y OE. La opción activa de escritura BAJA (WE) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso a byte superior (UB) y byte inferior (LB). Los IS61C5128AL/AS están alojados en los paquetes estándar JEDEC SOJ de 36 pines (400 mil) y TSOP-II de 44 pines.
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Brand: Issi
MPN: is61c5128al10kli
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RAM estática CMOS de alta velocidad 5V 512kx8 10ns SOJ-36 Descripción: Los ISSI IS61C5128AL/AS e IS64C5128AL/AS son RAM estáticos de alta velocidad de 4.194.304 bits organizados como 524.288 palabras por 8 bits. Se fabrican utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente fiable, combinado con innovadoras tecnologías de circuitos, permite tiempos de acceso de hasta 12 ns con bajo consumo de energía. Cuando CE se establece en ALTO (deseleccionado), el dispositivo entra en un modo de espera donde la disipación de energía se puede reducir hacia abajo con los niveles de entrada CMOS. La expansión simple de la memoria es posible mediante el uso de chip enable y output enable inputs, CE y OE. La opción activa de escritura BAJA (WE) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso a byte superior (UB) y byte inferior (LB). Los IS61C5128AL/AS están alojados en los paquetes estándar JEDEC SOJ de 36 pines (400 mil) y TSOP-II de 44 pines.
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MPN: is61c6416al12tli
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RAM estática CMOS de alta velocidad 5V 64kx16 12ns TSOP44(II) Descripción: Los modelos ISSI IS61C6416al, IS62C6416al, IS64C6416al e IS65C6416al son RAMs estáticos de alta velocidad de 1.048.576 bits organizados como 65.536 palabras de 16 bits. Se fabrican con la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este procedimiento extremadamente fiable, junto con técnicas de conmutación innovadoras, permite tiempos de acceso de hasta 12 ns con un bajo consumo de energía. Cuando CE se encuentra en HIGH (deseleccionado), el dispositivo entra en un modo de espera en el que la disipación de energía se puede reducir con niveles de entrada CMOS hacia abajo. Se puede ampliar fácilmente la memoria mediante el uso de entradas de habilitación de chip y de salida, CE y OE. La habilitación de escritura BAJA activa (WE) controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso a byte superior (UB) y byte inferior (LB).
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Brand: Issi
MPN: is61lv5128al10kli
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RAM estática CMOS de alta velocidad 512KX8, SRAM, 3,3V 10ns SOJ36 El ISSI IS61LV5128al es de alta velocidad, baja potencia, palabra 524,288 por RAM estática CMOS de 8 bits. El IS61LV5128al se fabrica con tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente reliable se ha actualizado con innovadoras técnicas de diseño de circuitos, y ofrece un rendimiento y unos dispositivos de ahorro de energía bajos. Cuando el CE es ALTO (desseleccionado), el dispositivo pasa un modo de espera en el que la disipación de potencia puede ser reducida a 250 (típica) con niveles de entrada CMOS. El IS61LV5128al funciona desde un único suministro de alimentación de 3,3V y todas las entradas son compatibles con TTL. El IS61LV5128al está disponible en paquetes de 36 patillas 400 mil SOJ, 36 patillas mini BGA y 44 patillas TSOP (tipo II)
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