Silicon Power | Ofertas Componentes Eléctricos Y Electrónicos
Range Precio
1 
Brand: Microchip
MPN: msc080sma330b4
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MSC080SMA330B4, 3300 V, 80 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El dispositivo MSC080SMA330B4 es de 3300 V, 80 Mo SiC MOSFET en un paquete TO-247-4L con detección de fuente. Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 150 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía .
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Microchip in Componentes eléctricos y electrónicos
- Microchip -
139.25 EUR
Microchip Msc080sma330b4 - Sic-mosfet N-ch 3300v 41a 0,08r, To-247-4l
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Microchip
MPN: msc080sma330b4
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MSC080SMA330B4, 3300 V, 80 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El dispositivo MSC080SMA330B4 es de 3300 V, 80 Mo SiC MOSFET en un paquete TO-247-4L con detección de fuente. Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 150 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía .
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2 
Brand: Infineon
MPN: irf3710pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Descripción Los MOSFET de potencia avanzada HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a través del área de silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universal preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. La resistencia térmica baja y el bajo coste del paquete de TO-220 contribuyen a su ancho aceptar la industria. Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
1.12 EUR
Infineon Irf 3710 - Mosfet, N-ch 100v 57a 0,023r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3710pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Descripción Los MOSFET de potencia avanzada HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a través del área de silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universal preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. La resistencia térmica baja y el bajo coste del paquete de TO-220 contribuyen a su ancho aceptar la industria. Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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3 
Brand: Microchip
MPN: msc035sma170s
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MSC035SMA170S, 1700 V, 35 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El dispositivo MSC035SMA170S es de 1700 V, 35 Mo SiC MOSFET en un paquete TO-268 (D3PAK). Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 175 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía
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- Microchip -
47.54 EUR
Microchip Msc035sma170s - Sic-mosfet N-ch 1700v 59a 0.035r To-268 (d3pak)
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Brand: Microchip
MPN: msc035sma170s
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MSC035SMA170S, 1700 V, 35 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El dispositivo MSC035SMA170S es de 1700 V, 35 Mo SiC MOSFET en un paquete TO-268 (D3PAK). Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 175 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía
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4 
Brand: Qorvo
MPN: uj3d1250k
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 50A - 1200V SiC Schottky Diode Description: United Silicon Carbide, Inc. offers the 3rd generation of high performance SiC Merged-PiN-Schottky (MPS) diodes. With zero reverse recovery charge and 175°C maximum junction temperature, these diodes are ideally suited for high frequency and high efficiency power systems with minimum cooling requirements. Features: - 175°C maximum operating junction temperature - Easy paralleling - Extremely fast switching not dependent on temperature - No reverse or forward recovery - Enhanced surge current capability, MPS structure - Excellent thermal performance, Ag sintered - 100% UIS tested - AEC-Q101 qualified Typical Applications: - Power converters - Industrial motor drives - Switching-mode power supplies - Power factor correction modules Delivery in complete industrial packaging (Tube of 30 pieces) possible, please contact our quotation department!
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Qorvo in Componentes eléctricos y electrónicos
- Qorvo -
17.72 EUR
Qorvo Uj3d1250k - Diodo Sic Schottky 1200v, Mps, 50a, Gen-iii, To-247-3l
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d1250k
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Gen-III 50A - 1200V SiC Schottky Diode Description: United Silicon Carbide, Inc. offers the 3rd generation of high performance SiC Merged-PiN-Schottky (MPS) diodes. With zero reverse recovery charge and 175°C maximum junction temperature, these diodes are ideally suited for high frequency and high efficiency power systems with minimum cooling requirements. Features: - 175°C maximum operating junction temperature - Easy paralleling - Extremely fast switching not dependent on temperature - No reverse or forward recovery - Enhanced surge current capability, MPS structure - Excellent thermal performance, Ag sintered - 100% UIS tested - AEC-Q101 qualified Typical Applications: - Power converters - Industrial motor drives - Switching-mode power supplies - Power factor correction modules Delivery in complete industrial packaging (Tube of 30 pieces) possible, please contact our quotation department!
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5 
Brand: Ams Osram
MPN: lrg6spcbea11
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
LR G6SP potencia avanzada TOPLED® Descripción Última versión del Advanced Power TOPLED con mayor brillo y mejor gestión térmica. Características • Carcasa: Cuerpo blanco SMT, resina de silicona transparente e incolora • Tecnología de chip: Thinfilm • Tipo. Radiación: 120° (radiador de lámina) • Color: 623 nm ( rojo) • Clase de resistencia a la corrosión: 3B. • Cualificaciones: AEC-Q102 cualificado con nivel RV 1 • ESD: 2 kV conforme a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 2)
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Ams Osram in Componentes eléctricos y electrónicos
- Ams Osram -
0.24 EUR
Ams Osram Lr G6sp - Smd Led 3532, Rojo, 623 Nm, 3.5 ... 9 Cd, 120°, Plcc-6
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Brand: Ams Osram
MPN: lrg6spcbea11
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
LR G6SP potencia avanzada TOPLED® Descripción Última versión del Advanced Power TOPLED con mayor brillo y mejor gestión térmica. Características • Carcasa: Cuerpo blanco SMT, resina de silicona transparente e incolora • Tecnología de chip: Thinfilm • Tipo. Radiación: 120° (radiador de lámina) • Color: 623 nm ( rojo) • Clase de resistencia a la corrosión: 3B. • Cualificaciones: AEC-Q102 cualificado con nivel RV 1 • ESD: 2 kV conforme a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 2)
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6 
Brand: Ams Osram
MPN: lwg6cpeafajkql1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
LW G6CP, Advanced Power TOPLED® Descripciones: El Advanced Power TOPLED se caracteriza por su carcasa compacta con un gran rango de luminosidad y un alto rendimiento lumínico. Características: • Carcasa: Cuerpo blanco SMT, resina de silicona transparente e incolora • Tecnología de chip: ThinGaN • Tipo. Radiación: 120° (radiador de lámina) • Color: CX = 0,33, CY = 0,33 según CIE 1931 (blanco) • Rendimiento lumínico: 46 lm/W • Clase de resistencia a la corrosión: 3B. • CRI: 80 • ESD: 2 kV conforme a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 2) Aplicaciones: • Clúster, retroiluminación de teclas • Ajuste personalizado • Iluminación interior (p. ej., Ambient Map)
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- Ams Osram -
1.01 EUR
Ams Osram Lw G6cp - Led, Smd 3532, Plcc6, Blanco Frío, 7100 Mcd, 120°
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Brand: Ams Osram
MPN: lwg6cpeafajkql1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
LW G6CP, Advanced Power TOPLED® Descripciones: El Advanced Power TOPLED se caracteriza por su carcasa compacta con un gran rango de luminosidad y un alto rendimiento lumínico. Características: • Carcasa: Cuerpo blanco SMT, resina de silicona transparente e incolora • Tecnología de chip: ThinGaN • Tipo. Radiación: 120° (radiador de lámina) • Color: CX = 0,33, CY = 0,33 según CIE 1931 (blanco) • Rendimiento lumínico: 46 lm/W • Clase de resistencia a la corrosión: 3B. • CRI: 80 • ESD: 2 kV conforme a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 2) Aplicaciones: • Clúster, retroiluminación de teclas • Ajuste personalizado • Iluminación interior (p. ej., Ambient Map)
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Brand: Stmicroelectronics
MPN: imp23absu
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
The IM23ABSU is a compact low-power microphone with capacitive sensing and IC interface. The MEMS microphone is manufactured in a special silicon microprocessing process and is suitable for reflow soldering. The special feature is the wide frequency range of up to 80 kHz (ultrasound). Special features Omni-directional sensitivity High EMC immunity High signal-to-noise ratio (typ. 64 dB) Acoustic overload point: 130 dBSPL Ultra-low power (150 µA)
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Stmicroelectronics in Componentes eléctricos y electrónicos
- Stmicroelectronics -
4.88 EUR
Stmicroelectronics Imp23absu - Micrófono Mems, Hasta 80 Khz, 1,52-3,6 V, Rhlga-5
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Brand: Stmicroelectronics
MPN: imp23absu
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
The IM23ABSU is a compact low-power microphone with capacitive sensing and IC interface. The MEMS microphone is manufactured in a special silicon microprocessing process and is suitable for reflow soldering. The special feature is the wide frequency range of up to 80 kHz (ultrasound). Special features Omni-directional sensitivity High EMC immunity High signal-to-noise ratio (typ. 64 dB) Acoustic overload point: 130 dBSPL Ultra-low power (150 µA)
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Brand: Inchange
MPN: 2sb1186a
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPCIÓN Alto voltaje de ruptura del colector emisor- : V(BR)CEO= -160V(Min.) Buena linealidad de hFE Complemento al Tipo 2SD1763A APLICACIONES -Aplicaciones de amplificadores de potencia. -Aplicaciones de amplificadores de etapa de excitación.
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- Inchange -
0.77 EUR
Inchange Sb 1186a - Transistor Bipolar Hf, Pnp, 160v, 1,5a, 20w, To-220fa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Inchange
MPN: 2sb1186a
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPCIÓN Alto voltaje de ruptura del colector emisor- : V(BR)CEO= -160V(Min.) Buena linealidad de hFE Complemento al Tipo 2SD1763A APLICACIONES -Aplicaciones de amplificadores de potencia. -Aplicaciones de amplificadores de etapa de excitación.
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- Silicon Power -
59.43 EUR
Silicon Power Xd80 M.2 512 Gb Pci Express 3.0 Nvme
electropolis.es
10 ![]()
- Silicon Power -
43.06 EUR
Silicon Power Sp016gbsfu266x02 Módulo De Memoria 16 Gb 1 X 16 Gb Ddr4 2666 Mhz
electropolis.es
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- Silicon Power -
9.01 EUR
Silicon Power Jewel J80 Unidad Flash Usb 16 Gb Usb Tipo A 3.2 Gen 1 (3.1 Gen 1) Titanio
electropolis.es
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- Silicon Power -
26.65 EUR
Silicon Power Blaze B25 Unidad Flash Usb 256 Gb Usb Tipo A 3.2 Gen 1 (3.1 Gen 1) Negro
electropolis.es
13 ![]()
- Silicon Power -
157.67 EUR
Silicon Power Xs70 M.2 2 Tb Pci Express 4.0 3d Nand Nvme
electropolis.es
14 ![]()
- Silicon Power -
113.70 EUR
Silicon Power Ms60 1 Tb Azul
electropolis.es
15 ![]()
- Silicon Power -
160.55 EUR
Silicon Power Xd80 M.2 2 Tb Pci Express 3.0 Nvme
electropolis.es
16 ![]()
- Silicon Power -
21.22 EUR
Silicon Power Silicon Power Blaze B02 Pendrive Usb Flash Drive 256 Gb Usb Type-a 3.2 Gen 1 (sp256gbuf3b02v1k) Black
electropolis.es
