Stmicroelectronics | Ofertas Componentes Eléctricos Y Electrónicos

Brand: Stmicroelectronics
MPN: stb11nk50zt4
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

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Brand: Stmicroelectronics
MPN: stp3nk90z
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N-Channel 900 V, 3,6 O tipo., 3 A SuperMESH™ Power MOSFETs Características • Extremadamente alta capacidad dv/dt • 100% avalancha probada • Se minimizó la carga de la puerta • Capacitancia intrínseca muy baja • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de aplicaciones
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MPN: 1n6263
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Diodo Schottky, DO35 / DO204AH, 60 V, 200 na
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Brand: Stmicroelectronics
MPN: stp42n65m5
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N-Channel 650 V, 0.070 O, 33 A MDmesh™ V Power MOSFET Características TO-220 Mejor RDS en todo el mundo(on) Calificación VDSS más alta Alta capacidad DV/dt Excelente rendimiento de conmutación Fácil de conducir 100% avalancha probada Aplicación Conmutación de aplicaciones
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MPN: std25nf10t4
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MOSFET de potencia StripFET™ II. Esta serie MOSFET de potencia, realizada con el exclusivo proceso StripFET de ST Microelectronics, se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como interruptor primario en convertidores dc-dc aislados avanzados de alta eficiencia para aplicaciones de telecomunicaciones y ordenadores, también es adecuado para todas las aplicaciones que requieren una carga de puerta baja. Características Extraordinaria capacidad dv/dt 100% de avalancha probada Carga de puerta baja Aplicaciones Aplicaciones de conmutación
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MPN: stw42n65m5
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N-Channel 650 V, 0.070 O, 33 A MDmesh™ V Power MOSFET Características TO-220 Mejor RDS en todo el mundo(on) Calificación VDSS más alta Alta capacidad DV/dt Excelente rendimiento de conmutación Fácil de conducir 100% avalancha probada Aplicación Conmutación de aplicaciones
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MPN: stb16nf06lt4
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STREFFET™ Power MOSFET Características generales �Excepcional capacidad dv/dt �Cargo bajo de la puerta en 100�{C �Dispositivo de nivel lógico �Conducción de umbral bajo Descripción Este Power MOSFET es el último desarrollo de STMicroelectronics único proceso basado en tiras ''Single Feature Size™''. El transistor resultante muestra una densidad de embalaje extremadamente alta para una resistencia baja, características de avalancha resistentes y pasos de alineación menos críticos, por lo que una reproducibilidad de fabricación notable. Aplicaciones �Aplicación de conmutación
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MPN: db3
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Descripción La pasivación de vidrio de alta fiabilidad garantiza la estabilidad de los parámetros y la protección contra la contaminación en las transiciones. Características • VBO : VERSIONES DE 32 V / 34 V / 40 V. • Corriente de conmutación baja
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MPN: tyn412
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TIRISTOR 8A / 400V, TO-220
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MPN: 1n5908
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Diodo TRANSIL, CB421, 5 V, 1500 WA
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MPN: stm32f103zet6
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MPN: stm32l031f6p6
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MCU de brazo de potencia ultrabaja Cortex-M0+ con 32 Kbytes de memoria flash, CPU de 32 MHz La línea de acceso de potencia ultra baja STM32L031x4/6 incorpora la familia ARM® Cortex®-M0+ de 32 bits RISC core en una frecuencia de 32 MHz, memorias integradas de alta velocidad (hasta 32 Kbytes de memoria de programa flash, 1 Kbytes de EEPROM de datos y 8 Kbytes de RAM) más una amplia gama de sistemas operativos periféricos y mejorados. Los módulos STM32L031x4/6 ofrecen varias funciones analógicas, un ADC de 12 bits con sobremuestreo de hardware, dos comparadores de potencia ultrabaja, varios temporizadores, un temporizador de baja potencia (LPTIM), tres temporizadores universales de 16 bits, un RTC y un SysTick que se pueden utilizar como base de tiempo. Además, tienen dos vatchdogs, un vatchdog con capacidad independiente de reloj y ventana y un vatchdog de ventana basado en el ciclo del autobús.
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MPN: stw70n60m2
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N-Channel 600 V, 0,03 O typ., 68 A MDmesh™ M2 Potencia MOSFET en un paquete TO-247 Características • Tarifa de puerta extremadamente baja • Excelente perfil de capacitancia de salida (Coss) • 100% avalancha probada • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de aplicaciones
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MPN: stw20n95k5
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N-Channel 950 V, 0.275 O tipo., 17,5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs Características El área RDS(on) x más baja de la industria El mejor FOM de la industria (figura de mérito) Cargo de puerta ultra bajo 100% avalancha probada Zener-protegido Aplicaciones Conmutación de aplicaciones
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MPN: sm6t33a
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La serie P6SMB/SMBJ se ha diseñado para proteger equipos eléctricos sensibles de impulsos de sobretensión.
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MPN: sm6t33ca
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Transil (Supresores de Voltaje Transitorio) proporcionan la máxima protección contra la sobretensión Son ideales para proteger semiconductores sensibles, como dispositivos MOS e ICs Aplicaciones: ESD y protección contra rayos para periféricos y dispositivos industriales, como protección LAN en caso de congestión de la red
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MPN: stp4nk60z
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N-Channel 600 V, 1,7 O tipo., 4 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs Características • 100% avalancha probada • Capacidades intrínsecas muy bajas • Zener-protegido Aplicaciones • Conmutación de aplicaciones
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MPN: btb12800cwrg
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12 a Triacs TO-220 Descripción Las series Triac BTA12, BTB12 y T12xx están disponibles en carcasas de montaje en superficie o THT y son adecuadas para circuitos de alimentación de CA generales. Aplicaciones Función de ENCENDIDO/APAGADO o corte de fase en aplicaciones como relés estáticos, atenuadores de luz y reguladores de velocidad de los motores de aparatos. Las versiones Snubberless™ (series BTA/BTB...W y T12) se recomiendan especialmente para el uso con cargas inductivas debido a su alto rendimiento de conmutación. La serie BTA ofrece una lengüeta aislada (potencia nominal 2500 VRMS). Características • Triac de corriente media • Baja resistencia térmica con pegado de clip • Cerámica aislante con baja resistencia térmica para BTA aislado • Alta capacidad de conmutación (4Q) o muy alta capacidad de conmutación (3Q, Snubberless™) • Certificación de la serie BTA UL1557 (número de referencia: 81734) • Las carcasas cumplen con RoHS (2002/95/EC)
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MPN: stb80nf10t4
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MOSFET de potencia StripFET™ II. Esta serie MOSFET de potencia, realizada con el exclusivo proceso StripFET de ST Microelectronics, se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como interruptor primario en convertidores dc-dc aislados avanzados de alta eficiencia para aplicaciones de telecomunicaciones y ordenadores, también es adecuado para todas las aplicaciones que requieren una carga de puerta baja. Características Extraordinaria capacidad dv/dt 100% de avalancha probada Aplicaciones Aplicaciones de conmutación
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MPN: btb24600bwrg
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25 a Triacs TO-220 Descripción Las series Triac BTA24, BTB24, BTA25, BTA26, BTB26 y T25 están disponibles en carcasas de montaje en superficie o THT y son adecuadas para circuitos de alimentación de CA generales. Aplicaciones Las aplicaciones incluyen la función ON/OFF en aplicaciones como relés estáticos, regulación de la calefacción, circuitos de arranque del motor de inducción, etc., o para el funcionamiento del control de corte de fase en alternadores, controladores de velocidad del motor y silenciadores. Las versiones sin ranuras (serie BTA/BTB...W y T25) se recomiendan especialmente para su uso en cargas inductivas, debido a su alto nivel de conmutación de potencias. La serie BTA ofrece una pestaña aislada (evaluada en 2500 Vrms). Características - Triac de alta corriente - Baja resistencia térmica con pegado de clip - Alta capacidad de conmutación (4 cuadrantes) o muy alta capacidad de conmutación (3 cuadrantes) - Certificado de la serie BTA UL1557 (número de referencia: 81734) - Los paquetes cumplen con RoHS (2002/95/CE)
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Brand: Stmicroelectronics
MPN: stp36nf06l
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Descripción Este POWER MOSFET es la última evolución del exclusivo proceso Single Feature Size™ basado en tiras de STMicroelectronics. El transistor resultante tiene una densidad de empaque extremadamente alta para una baja resistencia a la ON, propiedades de avalancha robustas y pasos de alineación menos críticos, lo que resulta en una reproducibilidad de fabricación notable. Propiedades • Excepcional capacidad dv/dt • 100% Avalanche probado • Activación de umbral bajo Aplicaciones • Conmutación de aplicaciones
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MPN: stp120nf10
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N-Canal 100V, Tipo 9,0m, 110A STREFFET™ II Power MOSFET Características Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Tarifa de puerta baja Aplicaciones Conmutación de aplicaciones
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MPN: p6smb39a
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Diodo de protección contra sobretensiones unidireccional
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MPN: l78m05cdttr
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Regulador de tensión positivo de 0,5 A. Descripción La serie L78M de controladores positivos de tres puertos está disponible en carcasas TO-220, TO-220FP, DPAK e IPAK y con varias tensiones de salida fijas, lo que permite su uso en una amplia gama de aplicaciones. Estos controles pueden proporcionar un control local en la tarjeta, eliminando los problemas de distribución asociados con el control de punto único. Cada tipo tiene un límite de corriente interno, un corte térmico y una protección para el área segura, lo que lo hace esencialmente indestructible. Si hay un disipador de calor suficiente, pueden suministrar una corriente de salida superior a 0,5 A. Aunque estos dispositivos están diseñados principalmente como reguladores de tensión fija, pueden utilizarse con componentes externos para obtener tensiones y corrientes ajustables. Características • Corriente de salida hasta 0,5 A. • Tensiones de salida de 5; 6; 8; 9; 10; 12; 15; 24 V • Protección contra sobrecarga térmica • Protección contra cortocircuitos • Protección SOA para transiciones de salida • Tolerancia de tensión de salida: 2% (versiones AB y AC) o 4% (versión C) • Se garantiza en un rango de temperatura ampliado
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MPN: stm32f103vgt6
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La familia de líneas de rendimiento STM32F103xF y STM32F103xG incorpora el núcleo RISC de 32 bits ARM®Cortex®-M3 de alto rendimiento que funciona a una frecuencia de 72 MHz, memorias integradas de alta velocidad (memoria flash de hasta 1Mbytes y SRAM de hasta 96 Kbytes), + una amplia gama de E/S mejoradas y periféricos conectados a 2 buses APB. Todos los dispositivos ofrecen 3x12-bit ADCs, 10x temporizadores de 16-bit de uso general + temporizador 2xPWM, así como interfaces de comunicación estándar + avanzada: Hasta 2x I2C, 3x SPIs, 2x I2Ss, 1x SDIO, 5x USARTs, A USB y una LATA. Los dispositivos funcionan desde una fuente de alimentación de 2,0 a 3,6 V. Están disponibles tanto en el rango de temperatura de –40 a +85 °C. Un conjunto completo de modo de ahorro de energía permite el diseño de aplicaciones de baja potencia. Estas características hacen que la familia de microcontroladores de línea de alto rendimiento STM32F103xF/G sea adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como accionamientos de motor, control de aplicaciones, equipos médicos y portátiles, periféricos PC + Gaming, plataformas GPS, aplicaciones industriales, PLC, inversores, etc. impresoras, escáneres, sistemas de alarma + videoportero.
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MPN: smdb3
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Descripción La pasivación de vidrio de alta fiabilidad garantiza la estabilidad de los parámetros y la protección contra la contaminación en las transiciones. Características • VBO : VERSIONES DE 32 V / 34 V / 40 V. • Corriente de conmutación baja
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MPN: stm8s105c6t6tr
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Los microcontroladores de 8 bits de la línea de acceso STM8S105x4/6 ofrecen una memoria de programa flash de 16 a 32 KB y una EEPROM de datos verdaderos integrada. Todos los dispositivos de la línea de acceso STM8S105x4/6 ofrecen las siguientes ventajas: Costes reducidos del sistema, rendimiento y robustez, ciclos de desarrollo cortos y longevidad del producto. Los costos del sistema se reducen gracias a una EEPROM integrada de datos verdaderos para ciclos de escritura/borrado de hasta 300k y una alta integración del sistema con osciladores de reloj internos, control y restablecimiento de color marrón. El rendimiento del dispositivo está garantizado por una frecuencia de CPU de 16 MHz y características mejoradas como E/S robustas, controles independientes (con fuente de reloj separada) y sistema de seguridad con un solo toque. Los ciclos de desarrollo cortos están garantizados por la escalabilidad de la aplicación a través de una arquitectura de producto común con pinout compatible, mapa de memoria y periféricos modulares. La durabilidad de los productos está garantizada en la familia STM8S por su núcleo avanzado, que se fabrica utilizando tecnología de vanguardia para aplicaciones con una tensión de funcionamiento de 2,95 V a 5,5 V.. Documentación completa y una amplia gama de herramientas de desarrollo están disponibles.
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MPN: stb120nf10t4
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STREFFET™ II POWER MOSFET Características Excepcional capacidad dv/dt 100% avalancha probada Tarifa de puerta baja Aplicaciones Conmutación de aplicaciones Descripción Estos MOSFET de potencia se han desarrollado utilizando el proceso STTripFET único de STMicroelectronics, que está diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Esto hace que los dispositivos sean adecuados para su uso como conmutador primario en convertidores DC-DC aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones de telecomunicaciones y computadoras, y aplicaciones con requisitos de conducción de carga de compuerta baja.
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MPN: vnp20n07e
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''OMNIFET'': FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Características LÍMITE LINEAL CURRENT CORTOCIRCUITO TÉRMICO DOWN PROTECCIÓN DE CIRCUITO CORTO CLAMP INTEGRADO BAJA CURVA DESDE EL PIN DE ENTRADA INFORMACIÓN DE DIAGNÓSTICO A TRAVÉS DEL PIN DE ENTRADA PROTECCIÓN ESD ACCESO DIRECTO A LA PUERTA DEL MOSFET DE POTENCIA (CONDUCCIÓN ANALÓGICA) COMPATIBLE CON MOSFET DE POTENCIA ESTÁNDAR PAQUETE TO-220 ESTÁNDAR
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MPN: stm8l101k3t6
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

La familia de baja potencia STM8L101x3 cuenta con el núcleo de CPU STM8 mejorado con mayor potencia de procesamiento (hasta 16 MIPS a 16 MHz), al tiempo que mantiene los beneficios de una arquitectura CISC con densidad de código mejorada, espacio de dirección lineal de 24 bits y una arquitectura optimizada para operaciones de baja potencia. La familia incluye un módulo de depuración integrado con una interfaz de hardware (SWIM) que permite la depuración sin contacto en la aplicación y la programación flash ultra rápida. Todos los microcontroladores STM8L101xx tienen una memoria flash de baja potencia y bajo voltaje con una sola fuente de alimentación. La familia de baja potencia STM8L101xx se basa en un conjunto genérico de periféricos de última generación. El diseño modular del conjunto periférico permite que el mismo periférico se encuentre en diferentes familias de microcontroladores ST, incluidas las familias de 32 bits. Esto hace que sea aún más fácil mudarse a una familia diferente y usar un conjunto común de herramientas de desarrollo. Todos los STM8L se basan en la misma arquitectura con la misma imagen de memoria y un pinout consistente.
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MPN: stm32g441rbt6
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Descripción Los STM32G441xx se basan en el potente núcleo RISC ARM® Cortex®-M4 de 32 bits. El núcleo Cortex-M4 tiene un FPU de una sola precisión que admite las instrucciones de computación de una sola precisión del brazo y todos los demás tipos de datos. Implementado es un conjunto completo de instrucciones DSP y un MPU y un AES. Memoria de alta velocidad incorporada (128 KB Flash y 32 KB SRAM), muchos periféricos de E/S + conectados a 2 buses APB, 2 buses AHB y 1 matriz de bus multi-AHB de 32 bits. Mecanismos de protección incorporados para memoria flash integrada + SRAM. Los dispositivos incluyen dispositivos periféricos que permiten la aceleración funcional matemática / aritmética. - 2x 12-bit ADCs - 4x comparadores - 3x amplificadores operativos - 4x canales DAC - 1x búfer de referencia de voltaje - 1x RTC - 1x temporizador de 32 bits - 2x 16-bit PWM temporizador - 7x uni 16-bit temporizador - 1x temporizador de baja potencia de 16 bits - 3x I2Cs - 3x SPIs multiplexados con dos I2Ss semidúplex - 3 USARTs, 1x UART + 1x UART de baja potencia. - 1x FDCAN - 1x SAI - Dispositivo USB - UCPD Algunas fuentes de alimentación independientes son compatibles, incluyendo una entrada de alimentación independiente analógica para ADC, DAC, OPAMPs y comparadores. Una entrada VBAT permite respaldar el RTC y los registros.
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MPN: stm32l031k6t6
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MCU Arm Cortex-M0+ de muy bajo consumo con 32 Kbytes de memoria Flash, CPU de 32 MHz La familia de ultra bajo consumo STM32L031x4/6 incluye el potente núcleo RISC ARM® Cortex®-M0+ de 32 bits que funciona a 32 MHz, memoria de alta velocidad integrada (hasta 32 Kbytes de memoria flash de programa, 1 Kbyte de EEPROM de datos y 8 Kbytes de RAM) y una completa gama de E/S y periféricos avanzados. Los dispositivos STM32L031x4/6 ofrecen una alta eficiencia energética con un amplio espectro de potencia. Esto se consigue mediante una amplia gama de fuentes de reloj internas y externas, ajuste interno de la tensión y múltiples modos de bajo consumo. Los dispositivos STM32L031x4/6 ofrecen múltiples funciones analógicas, un ADC de 12 bits con sobremuestreo por hardware, dos comparadores de consumo ultrabajo, múltiples temporizadores, un temporizador de bajo consumo (LPTIM), tres temporizadores de 16 bits de uso general, un RTC y un SysTick que puede utilizarse como base de tiempos. También tienen dos watchdogs, un watchdog con reloj independiente y capacidad de ventana y un watchdog de ventana basado en el reloj del bus. Además, los dispositivos STM32L031x4/6 disponen de interfaces de comunicación estándar y avanzadas: una interfaz I2C, una SPI, una USART y una UART de bajo consumo (LPUART). El STM32L031x4/6 también incluye un reloj en tiempo real y un conjunto de registros de reserva que se alimentan en modo de espera. Los dispositivos de ultrabajo consumo STM32L031x4/6 funcionan con una tensión de alimentación de 1,8 a 3,6 V (hasta 1,65 V al apagarse) con BOR y de 1,65 a 3,6 V sin la opción BOR. Están disponibles en un rango de temperaturas de -40 a +125 °C. Un amplio conjunto de modos de ahorro de energía permite el desarrollo de aplicaciones de bajo consumo.
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