Qorvo | Ofertas Componentes Eléctricos Y Electrónicos

Brand: Qorvo
MPN: uj3d06506ts
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Gen-III 6a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d1202ts
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Gen-III 2a - 1200V diodo SiC Schottky Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d1250k
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Gen-III 50A - 1200V SiC Schottky Diode Description: United Silicon Carbide, Inc. offers the 3rd generation of high performance SiC Merged-PiN-Schottky (MPS) diodes. With zero reverse recovery charge and 175°C maximum junction temperature, these diodes are ideally suited for high frequency and high efficiency power systems with minimum cooling requirements. Features: - 175°C maximum operating junction temperature - Easy paralleling - Extremely fast switching not dependent on temperature - No reverse or forward recovery - Enhanced surge current capability, MPS structure - Excellent thermal performance, Ag sintered - 100% UIS tested - AEC-Q101 qualified Typical Applications: - Power converters - Industrial motor drives - Switching-mode power supplies - Power factor correction modules Delivery in complete industrial packaging (Tube of 30 pieces) possible, please contact our quotation department!
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Brand: Qorvo
MPN: uj3d06560ksd
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Gen-III 2x30a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 30 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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MPN: uj3d06508ts
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Gen-III 8a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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Gen-III 4a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 50 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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MPN: uj3d1220ksd
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Gen-III 2x10a - 1200V, diodo SiC Schottky Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 30 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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MPN: uf3c120150k4s
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Cascada de 150 RM de 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L. Descripción: Los productos en cascada de carburo de silicio Unido empaquetan sus rápidos JFET de alto rendimiento F3-SiC con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único componente de accionamiento de compuerta estándar de SiC en el mercado actual. Esta serie tiene cambios de marcha muy rápidos utilizando un chasis TO-247 de 4 puertos y las mejores propiedades de recuperación inversa de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son excelentes para el cambio de cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un almacenamiento de puerta estándar. Características: - Resistencia típica en tiempo real RDS(on) de 150MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 - Caja TO-247-4L para un cambio más rápido, formas de señal de puerta limpias Aplicaciones típicas - Carga eléctrica del vehículo - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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MPN: uj3d1210ksd
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Gen-III 2x5a - 1200V, diodo SiC Schottky Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 30 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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MPN: uf3c065040k3s
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Código de caja de 650V SiC-MOSFET 42MR TO-247-3L. Descripción: Los productos a base de caseína de carburo de silicio Unido empaquetan sus JFET G3-SiC de alto rendimiento junto con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único elemento de construcción de SiC de accionamiento por puerta estándar en el mercado actual. Esta serie tiene una carga de compuerta extremadamente baja, pero también las mejores propiedades de recuperación de retroceso de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son ideales para conmutar cargas inductivas cuando se utilizan con los amortiguadores recomendados, así como para todas las aplicaciones que requieren un accionamiento de puerta estándar. Características: - Resistencia típica en tiempo real RDS(on) de 42MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 - Pérdidas de cambio muy bajas (pérdidas de RC-Snubber necesarias en condiciones de funcionamiento normales insignificantes) Aplicaciones típicas - Carga eléctrica del vehículo - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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MPN: uf3sc120040b7s
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SIC-Kaskode-FET, 1200V, 47a, Rdson 0,035R D²Pak-7L. Descripción: Este componente de SiC-FET se basa en una configuración de circuito en cascada única, en la que se empaqueta un SiC-JFET normalmente activado junto con un si-MOSFET para producir un componente de SiC-FET normalmente desactivado. La característica de controlador de puerta estándar del módulo permite un ''reemplazo de gota en gota'' real para los bloques si-IGBT, si-FETS, SiC-MOSFETS o si-Superjunction. Disponible en la carcasa D2PAK-7L, el bloque se caracteriza por una carga de puerta extremadamente baja y excepcionales propiedades de recuperación de marcha atrás, lo que lo convierte en ideal para conmutar cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un control de puerta estándar. Características: • Resistencia típica en tiempo real RDS(on), tipo 35MR • Temperatura de servicio máxima de 175 °C. • Excelente recuperación hacia atrás • Carga de puerta baja • Baja capacidad intrínseca • Protección contra ESD, HBM clase 2 • Carcasa D²Pak-7L para un cambio más rápido y formas de señal de puerta limpias Aplicaciones: • Conexión de carga EV • Inversor fotovoltaico • Fuentes de alimentación conmutadas • Módulos PFC de compensación de potencia reactiva • Accionamientos motorizados • Calentamiento por inducción
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MPN: uj3d06520ksd
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Gen-III 2x10a - diodo SiC Schottky de 650V. Descripción: United Silicon Carbide, Inc. Ofrece la 3a generación de diodos de SSiC Merged-Fy-Schottky (MPS) de alto rendimiento. Con una carga de recuperación de bloqueo cero y una temperatura de capa de bloqueo máxima de 175 °C, estos diodos son ideales para sistemas de rendimiento de alta frecuencia y alta eficiencia con una necesidad de refrigeración mínima. Propiedades: 175 °C temperatura de servicio máxima de la capa de bloqueo Paralelización sencilla Conmutación extremadamente rápida e independiente de la temperatura No hay recuperación hacia atrás ni hacia adelante Capacidad de corriente de choque mejorada, estructura MPS Excelente rendimiento térmico, sinterizado AG 100% de UIS probado Certificado AEC-Q101 Aplicaciones típicas: Transformador de potencia Motores industriales Fuentes de alimentación conmutadas Módulos de compensación de potencia reactiva Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (artículos de varilla de 30 unidades), hable con nuestro departamento de ofertas.
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MPN: uf3c065040b3
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Código de caja de 650V SiC-MOSFET 42m Ω D2PAK-3L Descripción: Los productos a base de caseína de carburo de silicio Unido empaquetan sus JFET G3-SiC de alto rendimiento junto con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único elemento de construcción de SiC de accionamiento por puerta estándar en el mercado actual. Esta serie tiene una carga de compuerta extremadamente baja, pero también las mejores propiedades de recuperación de retroceso de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son ideales para conmutar cargas inductivas cuando se utilizan con los amortiguadores recomendados, así como para todas las aplicaciones que requieren un accionamiento de puerta estándar. Características: - Resistencia típica en tiempo real RDS(on) de 42MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 - Pérdidas de cambio muy bajas (pérdidas de RC-Snubber necesarias en condiciones de funcionamiento normales insignificantes) Aplicaciones típicas - Carga eléctrica del vehículo - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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MPN: uf3c065030b3
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Código de caja 27MR D2PAK-3L de 650 V SiC-MOSFET Descripción: Los productos a base de caseína de carburo de silicio Unido empaquetan sus JFET G3-SiC de alto rendimiento junto con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único elemento de construcción de SiC de accionamiento por puerta estándar en el mercado actual. Esta serie tiene una carga de compuerta extremadamente baja, pero también las mejores propiedades de recuperación de retroceso de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son ideales para conmutar cargas inductivas cuando se utilizan con los amortiguadores recomendados, así como para todas las aplicaciones que requieren un accionamiento de puerta estándar. Características: - Resistencia típica en tiempo real RDS(on) de 27MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 - Pérdidas de cambio muy bajas (pérdidas de RC-Snubber necesarias en condiciones de funcionamiento normales insignificantes) Aplicaciones típicas - Carga eléctrica del vehículo - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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MPN: uf3c120040k4s
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Cascada de SiC-MOSFET de 1200V 35MR TO-247-4L. Descripción: Los productos en cascada de carburo de silicio Unido empaquetan sus rápidos JFET de alto rendimiento F3-SiC con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único componente de accionamiento de compuerta estándar de SiC en el mercado actual. Esta serie tiene cambios de marcha muy rápidos utilizando un chasis TO-247 de 4 puertos y las mejores propiedades de recuperación inversa de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son excelentes para el cambio de cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un almacenamiento de puerta estándar. Características: - Resistencia típica en tiempo real RDS(on) de 35MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 - Caja TO-247-4L para un cambio más rápido, formas de señal de puerta limpias Aplicaciones típicas - Carga eléctrica del vehículo - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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MPN: uf3c065040k4s
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Cascada de 600 V SiC-MOSFET 42MR TO-247-4L. Descripción: Los productos en cascada de carburo de silicio Unido empaquetan sus rápidos JFET de alto rendimiento F3-SiC con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único componente de accionamiento de compuerta estándar de SiC en el mercado actual. Esta serie tiene cambios de marcha muy rápidos utilizando un chasis TO-247 de 4 puertos y las mejores propiedades de recuperación inversa de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son excelentes para el cambio de cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un almacenamiento de puerta estándar. Características: - Resistencia típica en tiempo real RDS(on) de 42MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 - Caja TO-247-4L para un cambio más rápido, formas de señal de puerta limpias Aplicaciones típicas - Carga eléctrica del vehículo - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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MPN: uf3c120150b7s
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SIC-Kaskode-FET, 1200V, 27a, Rdson 0.15R D²Pak-7L. Descripción: Este componente de SiC-FET se basa en una configuración de circuito en cascada única, en la que se empaqueta un SiC-JFET normalmente activado junto con un si-MOSFET para producir un componente de SiC-FET normalmente desactivado. La característica de controlador de puerta estándar del módulo permite un ''reemplazo de gota en gota'' real para los bloques si-IGBT, si-FETS, SiC-MOSFETS o si-Superjunction. Disponible en la carcasa D2PAK-7L, el bloque se caracteriza por una carga de puerta extremadamente baja y excepcionales propiedades de recuperación de marcha atrás, lo que lo convierte en ideal para conmutar cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un control de puerta estándar. Características: • Resistencia típica en tiempo real RDS(on), tipo 150MR • Temperatura de servicio máxima de 175 °C. • Excelente recuperación hacia atrás • Carga de puerta baja • Baja capacidad intrínseca • Protección contra ESD, HBM clase 2 • Carcasa D²Pak-7L para un cambio más rápido y formas de señal de puerta limpias Aplicaciones: • Conexión de carga EV • Inversor fotovoltaico • Fuentes de alimentación conmutadas • Módulos PFC de compensación de potencia reactiva • Accionamientos motorizados • Calentamiento por inducción
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MPN: uf3c065030k3s
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Código de caja de 650V SiC-MOSFET 27MR TO-247-3L. Descripción: Los productos a base de caseína de carburo de silicio Unido empaquetan sus JFET G3-SiC de alto rendimiento junto con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único elemento de construcción de SiC de accionamiento por puerta estándar en el mercado actual. Esta serie tiene una carga de compuerta extremadamente baja, pero también las mejores propiedades de recuperación de retroceso de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son ideales para conmutar cargas inductivas cuando se utilizan con los amortiguadores recomendados, así como para todas las aplicaciones que requieren un accionamiento de puerta estándar. Características: - Resistencia típica en tiempo real RDS(on) de 27MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 - Pérdidas de cambio muy bajas (pérdidas de RC-Snubber necesarias en condiciones de funcionamiento normales insignificantes) Aplicaciones típicas - Carga eléctrica del vehículo - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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Brand: Qorvo
MPN: uf3sc065030b7s
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SIC-Kaskode-FET, 650V, 47a, Rdson 0,042R D²Pak-7L. Descripción: Este componente de SiC-FET se basa en una configuración de circuito en cascada única, en la que se empaqueta un SiC-JFET normalmente activado junto con un si-MOSFET para producir un componente de SiC-FET normalmente desactivado. La característica de controlador de puerta estándar del módulo permite un ''reemplazo de gota en gota'' real para los bloques si-IGBT, si-FETS, SiC-MOSFETS o si-Superjunction. Disponible en la carcasa D2PAK-7L, el bloque se caracteriza por una carga de puerta extremadamente baja y excepcionales propiedades de recuperación de marcha atrás, lo que lo convierte en ideal para conmutar cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un control de puerta estándar. Características: • Resistencia típica en tiempo real RDS(on), tipo 42MR • Temperatura de servicio máxima de 175 °C. • Excelente recuperación hacia atrás • Carga de puerta baja • Baja capacidad intrínseca • Protección contra ESD, HBM clase 2 • Carcasa D²Pak-7L para un cambio más rápido y formas de señal de puerta limpias Aplicaciones: • Conexión de carga EV • Inversor fotovoltaico • Fuentes de alimentación conmutadas • Módulos de compensación de potencia reactiva • Accionamientos motorizados • Calentamiento por inducción
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SIC-Kaskode-FET, 650V, 27a, Rdson 0.08R D²Pak-7L. Descripción: Este componente de SiC-FET se basa en una configuración de circuito en cascada única, en la que se empaqueta un SiC-JFET normalmente activado junto con un si-MOSFET para producir un componente de SiC-FET normalmente desactivado. La característica de controlador de puerta estándar del módulo permite un ''reemplazo de gota en gota'' real para los bloques si-IGBT, si-FETS, SiC-MOSFETS o si-Superjunction. Disponible en la carcasa D2PAK-7L, el bloque se caracteriza por una carga de puerta extremadamente baja y excepcionales propiedades de recuperación de marcha atrás, lo que lo convierte en ideal para conmutar cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un control de puerta estándar. Características: • Resistencia típica en tiempo real RDS(on), tipo 80MR • Temperatura de servicio máxima de 175 °C. • Excelente recuperación hacia atrás • Carga de puerta baja • Baja capacidad intrínseca • Protección contra ESD, HBM clase 2 • Carcasa D2PAK-7L para un cambio más rápido y formas de señal de puerta limpias Aplicaciones: • Conexión de carga EV • Inversor fotovoltaico • Fuentes de alimentación conmutadas • Módulos PFC de compensación de potencia reactiva • Accionamientos motorizados • Calentamiento por inducción
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650V SiC-MOSFET-Kaskode 27m Ω TO-220-3L Descripción: Los productos en cascada de carburo de silicio Unido empaquetan sus JFET G3-SiC de alto rendimiento junto con un MOSFET optimizado en cascada para producir el único componente de accionamiento de puerta de SiC estándar en el mercado actual. Esta serie tiene una carga de compuerta extremadamente baja, pero también las mejores propiedades de recuperación de retroceso de todos los componentes con valores nominales similares. Estos componentes son excelentes para el cambio de cargas inductivas y para todas las aplicaciones que requieren un controlador de puerta estándar. Propiedades: - Resistencia única típica RDS(on) de 27MR - Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C. - Excelente recuperación hacia atrás - Carga de puerta baja - Baja capacidad intrínseca - Protegido contra ESD, HBM clase 2 Aplicaciones típicas - Cargadores de vehículos eléctricos - Inversor PV - Fuentes de alimentación conmutadas - Módulos de compensación de potencia reactiva - Accionamientos motorizados - Calentamiento por inducción
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