Adesto Technologies Corporatio | Ofertas Consumibles Y Almacenamiento

Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db641eshnt
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 1,7V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 256 bytes. • 2 x búferes de datos SRAM independientes (256/264 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Eliminar sector (256KB) - Borrado de chip (64 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 400nA Ultra-Deep Power-down corriente - 5µA corriente de apagado profundo - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 7mA activa lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - 8-pin SOIC (0.208'' de ancho)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db041esshn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Memoria Flash, Serial-NOR, 4 Mbit, SPI, SO-8 0.150'', 85Mhz, 2048 páginas x 264 bytes Características: - Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V - Compatible con interfaz periférica serie (SPI) - Soporta los modos SPI 0 y 3 - Apoya el funcionamiento de RapidS™ - Capacidad de lectura continua en todo el arreglo - Hasta 85MHz - Opción de lectura de bajo consumo hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (tV) de un máximo de 6ns - Tamaño de página definible por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de página puede preconfigurarse de fábrica para 256 bytes. - 2 búferes de datos SRAM independientes (256/264 bytes) - Permite recibir datos durante la reprogramación del dispositivo de memoria principal. - Programación flexible - Programa de bytes/página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - escritura en búfer - Almacenamiento en memoria intermedia para el programa de página de la memoria principal - Opciones de borrado flexibles - Supresión de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Borrar sector (64KB) - Supresión de chip (4-Mbit/s) - Suspender / Reanudar programación y borrado - Funciones avanzadas de protección de datos de hardware y software - Protección del sector individual - Bloque de sector individual para que cada sector esté permanentemente protegido contra escritura. - Registro de seguridad OTP de 128 bytes (programable una sola vez) - 64 bytes programados de fábrica con un identificador único - 64 bytes programables por el usuario - Opciones de restablecimiento controladas por hardware y software - Estándar JEDEC Fabricante e ID de dispositivo - Baja disipación de energía - Corriente descendente de potencia ultra profunda de 400nA (típica) - Corriente de reducción de potencia de 3µA (típica) - 25µA Corriente de reposo (típica) - 7mA Corriente de lectura activa (típica) - Vida útil: 100.000 ciclos de programación/borrado por página - Retención de datos: 20 años - Corresponde a todo el rango de temperatura industrial - Verde (libre de halogenuros/respetuoso con RoHS) Diseño de la carcasa - SOIC de 8 clavijas (0,150'' y 0,208'' de ancho) - DFN ultraplano de 8 pines (5 x 6 x 0,6 mm)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db321eshfb
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 2,3V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 512 bytes por página - 528 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 512 bytes. • 2 x búferes de datos SRAM independientes (512/528 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 512/528 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (512/528 bytes) - Borrar bloque (4KB) - Eliminar sector (64KB) - Borrado de chip (32 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 400nA Ultra-Deep Power-down corriente - 3µA corriente de apagado profundo - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 7mA activa lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - 8-pin SOIC (0.208'' de ancho)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db081eshnb
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 1,7V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 256 bytes. • 2 x búferes de datos SRAM independientes (256/264 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Eliminar sector (64KB) - Borrado de chip (8 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 400nA Ultra-Deep Power-down corriente - 4,5µA Deep power-down actual - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 11mA activa lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - SOIC de 8 pines (0.150'' y 0.208'' de ancho)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db041eshn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Memoria Flash, Serial-NOR, 4 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 70Mhz, 2048 páginas x 256 bytes Características: - Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V - Compatible con interfaz periférica serie (SPI) - Soporta los modos SPI 0 y 3 - Apoya el funcionamiento de RapidS™ - Capacidad de lectura continua en todo el arreglo - Hasta 85MHz - Opción de lectura de bajo consumo hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (tV) de un máximo de 6ns - Tamaño de página definible por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de página puede preconfigurarse de fábrica para 256 bytes. - 2 búferes de datos SRAM independientes (256/264 bytes) - Permite recibir datos durante la reprogramación del dispositivo de memoria principal. - Programación flexible - Programa de bytes/página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - escritura en búfer - Almacenamiento en memoria intermedia para el programa de página de la memoria principal - Opciones de borrado flexibles - Supresión de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Borrar sector (64KB) - Supresión de chip (4-Mbit/s) - Suspender / Reanudar programación y borrado - Funciones avanzadas de protección de datos de hardware y software - Protección del sector individual - Bloque de sector individual para que cada sector esté permanentemente protegido contra escritura. - Registro de seguridad OTP de 128 bytes (programable una sola vez) - 64 bytes programados de fábrica con un identificador único - 64 bytes programables por el usuario - Opciones de restablecimiento controladas por hardware y software - Estándar JEDEC Fabricante e ID de dispositivo - Baja disipación de energía - Corriente descendente de potencia ultra profunda de 400nA (típica) - Corriente de reducción de potencia de 3µA (típica) - 25µA Corriente de reposo (típica) - 7mA Corriente de lectura activa (típica) - Vida útil: 100.000 ciclos de programación/borrado por página - Retención de datos: 20 años - Corresponde a todo el rango de temperatura industrial - Verde (libre de halogenuros/respetuoso con RoHS) Diseño de la carcasa - SOIC de 8 clavijas (0,150'' y 0,208'' de ancho) - DFN ultraplano de 8 pines (5 x 6 x 0,6 mm)
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Adesto Technologies Corporatio in Consumibles y almacenamiento

Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db021esshn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 256 bytes. • Buffer de datos SRAM (256/264 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Eliminar sector (32KB) - Borrado de chip (2 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 200nA Ultra-Deep Power-down corriente - 3µA corriente de apagado profundo - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 4.5mA activo de lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - SOIC de 8 pines (0.150'' y 0.208'' de ancho) - 8 pines ultra delgados DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db021eshn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Características: • Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V • Compatible con SPI - Soporta modos SPI 0 + 3 - Apoya el funcionamiento de Rapids™ • Capacidad de lectura continua en toda la matriz: - Hasta 85MHz - Opción de lectura de baja potencia hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (TV) de máximo 6ns • Tamaño de página definido por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de la página se puede configurar previamente en la fábrica para 256 bytes. • Buffer de datos SRAM (256/264 bytes) • Opciones de programación flexibles - Byte / programa de página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - Buffer escritura - Buffering al programa de la página principal de memoria • Opciones de borrado flexibles - Eliminación de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Eliminar sector (32KB) - Borrado de chip (2 Mbps) • Características avanzadas de protección de datos - Protección individual del sector - Cierre individual del sector • Registro de seguridad OTP de 128 bytes - 64 bytes programados en fábrica con un identificador único - 64 bytes usuario-programable • Restablecer opciones • JEDEC Standard Fabricante e ID de dispositivo • Disipación de baja potencia - 200nA Ultra-Deep Power-down corriente - 3µA corriente de apagado profundo - 25µA de corriente de espera (a 20MHz) - 4.5mA activo de lectura actual • Duración: 100.000 ciclos de programa/borrado por página • Retención de datos: 20 años • Diseño - SOIC de 8 pines (0.150'' y 0.208'' de ancho) - 8 pines ultra delgados DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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Brand: Adesto Technologies Corporatio
MPN: at45db021emhn
Categoría: Consumibles y almacenamiento

Memoria flash, Serial-NOR, 2 Mbit, SPI, UDFN-8, 70Mhz, 1024 páginas x 264 bytes Características: - Tensión de alimentación 1,65V - 3,6V - Compatible con interfaz periférica serie (SPI) - Soporta los modos SPI 0 y 3 - Apoya el funcionamiento de RapidS™ - Capacidad de lectura continua en todo el arreglo - Hasta 85MHz - Opción de lectura de bajo consumo hasta 15MHz - Tiempo de reloj a salida (tV) de un máximo de 6ns - Tamaño de página definible por el usuario - 256 bytes por página - 264 bytes por página (por defecto) - El tamaño de página puede preconfigurarse de fábrica para 256 bytes. - Búfer de datos SRAM (256/264 bytes) - Programación flexible - Programa de bytes/página (1 a 256/264 bytes) directamente en la memoria principal - escritura en búfer - Almacenamiento en memoria intermedia para el programa de página de la memoria principal - Opciones de borrado flexibles - Supresión de página (256/264 bytes) - Borrar bloque (2KB) - Borrar sector (32KB) - Supresión de chip (2-Mbit/s) - Funciones avanzadas de protección de datos de hardware y software - Protección del sector individual - Bloque de sector individual para que cada sector esté permanentemente protegido contra escritura. - Registro de seguridad OTP de 128 bytes (programable una sola vez) - 64 bytes programados de fábrica con un identificador único - 64 bytes programables por el usuario - Opciones de restablecimiento controladas por hardware y software - Estándar JEDEC Fabricante e ID de dispositivo - Baja disipación de energía - Corriente de apagado ultraprofunda de 200nA (típica) - Corriente de reducción de potencia de 3µA (típica) - Corriente de espera de 25µA (típica a 20MHz) - 4.5mA Corriente de lectura activa (típica) - Vida útil: 100.000 ciclos de programación/borrado por página - Retención de datos: 20 años - Corresponde a todo el rango de temperatura industrial - Verde (libre de halogenuros/respetuoso con RoHS) Diseño de la carcasa - SOIC de 8 clavijas (0,150'' y 0,208'' de ancho) - DFN ultraplano de 8 pines (5 x 6 x 0,6 mm)
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Adesto Technologies Corporatio in Consumibles y almacenamiento