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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package MiniBLOC con aislamiento de nitruros de aluminio Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida RDS(on) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Convertidores dc-dc Cargador de baterías Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Suministros de energía no perturbados Accionamientos de motor CA Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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IXFN82N60P. MOSFET de potencia Modo de ampliación de canal N. Evaluación de Avalon Rectificador Intrinsic rápido Características • Paquete internacional estándar • MiniBLOC, con aislamiento de nitruro de aluminio • Evaluación dinámica dv/dt • Evaluación de avalanchas • Rectificador Intrinsic rápido • RDS(on) bajo • Baja capacidad de drenaje a separador • Baja inductividad del paquete Ventajas • Fácil de montar • Ahorro de espacio Aplicaciones • Convertidor CC-CC • Cargadores de baterías • Alimentación de modo de red de conmutación y resonancia • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Accionamientos de motor de CA • Aplicaciones de cambio de potencia de alta velocidad
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Potencia polar HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Convertidores dc-dc Controladores láser Accionamientos de motor CA y CC Robótica y servocontroles
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MOSFET de potencia de TrenchT2 HiperFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package MiniBLOC con aislamiento de nitruros de aluminio Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida RDS(on) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Convertidores dc-dc Cargador de baterías Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Suministros de energía no perturbados Accionamientos de motor CA Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Potencia lineal MOSFET w/Extended FBSOA Modo de mejora de n-Channel Garantía de FBSOA Características Diseñado para operaciones lineales Paquetes internacionales estándar Protección de FBSOA a 60 °C. Clasificación de inflamabilidad de epoxies Molding Meet UL94 V-0 Aplicaciones Cargas programables Reguladores actuales Convertidores dc-dc Cargador de baterías Choppers de CC Controles de temperatura y iluminación ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia
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CoolMOS™ 1) Power MOSFET En el paquete ISOPLUS247TM Modo de mejora de n-Channel Baja RDSON, alta VDSS MOSFET Paquete con base aislada eléctrica Características • paquete ISOPLUS247™ con base DCB - el aislamiento eléctrico se inclina hacia el efecto de calor - Baja capacidad de coupling en el tren de calor para EMI reducida - disipación de alta potencia - Capacidad de ciclo de alta temperatura del chip en DCB - COMPATIBLE CON JEDEC TO-247AD - conjunto Easy clip • Fast CoolMOS™ 1) power MOSFET de 3a generación - Alta capacidad de bloqueo - Baja resistencia - Avalanche rated for unclapped inductive switching (UIS) - Baja resistencia térmica debido a la reducción del grosor del chip • potencia total mejorada Aplicaciones • Soporte de alimentación de modo conmutado (SMPS) • Suministros de alimentación ininterruptible (UPS) • Corrección del factor de potencia (PFC) • Welding • Calefacción inductiva 1) CoolMOS™ es una marca registrada de Infineon Technologies AG
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Alimentación MOSFET de alta tensión Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características Paquetes internacionales estándar Paquete de alta tensión Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada La clasificación de inflamabilidad de los epoxies molding es UL 94 V-0 Alta tensión de bloqueo ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Suministros de alimentación de alta tensión Aplicaciones de captura de captura Circuitos de pulso
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio tensión de aislamiento 2500 V~ Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Una nueva codificación sincrónica Convertidores dc-dc Cargador de baterías Modo conmutado y modo de resonancia suministros de alimentación Choppers de CC Accionamientos de motor CA Suministros de alimentación ininterruptible Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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MOSFET de potencia TrenchT2 Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Temperatura de funcionamiento del rectificador casi Intrinsic 175 °C. Capacidad de manejo de alta corriente Compatible con ROHS Tecnología de tendencias de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente bajo ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Automotive Engine control Convertidor de ángulo síncrono (para Notebook SystemPower y General Purpose Point & Load) Convertidores de CC/CC Aplicaciones de conmutación de alta corriente Gestión del tren de potencia Arquitectura de alimentación distribuida
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MOSFET de potencia de puerta de separación Modo de mejora de n-Channel Características Avalancha aconsejada Capacidad de manejo de alta corriente Rectificador de entrada rápida RDS bajo (ON) ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Coverters CC-CC Cargador de baterías Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Choppers de CC Accionamientos de motor CA y CC Suministros de energía no perturbados Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Potencia polar3 HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Paquetes internacionales estándar Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Convertidores dc-dc Controladores láser Accionamientos de motor CA y CC Robótica y servocontroles
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Diseño: TO-247 Tensión de drenaje a fuente (Vdss): 300 V. Corriente - corriente continua: 50a (TC) VGS: +-30 V Rango de temperatura: -55 ... +150 °C. Potencia: 690 W. RDS: 0,08 ohmios Tipo: Canal N.
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Potencia polar HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar RDS(ON) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Convertidores dc-dc Circuitos PFC Accionamientos de motor CA y CC Robótica y servocontroles
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Polar3TM HiperFETM Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Convertidores dc-dc Controladores láser Accionamientos de motor CA y CC Robótica y servocontroles
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MOSFET de potencia clase X3 HiPerFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características • International standard package • Encapsulamiento de epoxy meets UL 94 V-0, clasificación de inflamabilidad • MiniBLOC con aislamiento de nitruros de aluminio • Bajo RDS (ON) proceso HDMOSTM • Estructura celular de puerta de polisilicio rugada • Conmutación por inducción no activada (UIS) • Inductancia de paquetes bajos • Rectificador casi intrinsivo Aplicaciones • DC-DC converters • Rectificación sincrónica • cargador de baterías • modo conmutado y modo resonante suministros de alimentación • choppers de CC • controles de temperatura y iluminación • relés de baja tensión ADVantages • Fácil de montar • Space Savings • Alta densidad de potencia
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Potencia PolarP MOSFET Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada Proceso PolarPTM rugged Inductancia de paquetes bajos Diodo casi Intrinsic ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Interruptores de lado alto Ampliadores de impulsos de empuje Choppers de CC Equipo de comprobación automático Reguladores actuales
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MOSFET de potencia Polar2TM HiPerFETM Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic
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Potencia MOSFET ISOPLUS247TM (Superficie posterior aislada de forma eléctrica) Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquete aislado estándar internacional paquete UL reconocido Silicon chip en sustratos de Unión de cobre directo - disipación de alta potencia - Superficie de montaje aislada - aislamiento eléctrico de 2500 V. Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger diodo casi intrinsivo ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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PolarHV HiPerFET Potencia MOSFET Modo de mejora de canal N = 200 ns Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Diodo casi Intrinsic Características Sustratos de silicona Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Superficie de montaje aislada Resistencia de puerta Intrinsic baja Aislamiento eléctrico de 2500 V~ Dynamic dv/dt Rating Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida QG bajo RDS bajo (ON) Baja capacidad de drenaje a separador Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio
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PolarHVTM Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Diodo de recuperación rápida Avalancha aconsejada Características diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) paquetes internacionales estándar Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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Potencia MOSFET HiPerFET Modo de mejora de canal N = 300 ns Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia Aplicaciones: modo conmutado de alta tensión y suministros de alimentación en modo residual Aplicaciones de alimentación de impulsos de alta tensión Circuitos de alta tensión Discharge en laser Pulsers, Spark Igniters, RF Generators Convertidores dc-dc de alta tensión inversor dc-ac de alta tensión
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características Paquetes internacionales estándar Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic Avalancha aconsejada RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Una nueva codificación sincrónica Convertidores dc-dc Cargador de baterías Modo conmutado y modo de resonancia suministros de alimentación Choppers de CC Accionamientos de motor CA Suministros de alimentación ininterruptible Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones • Coverters CC-CC • Cargador de baterías • Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación • Choppers de CC • Accionamientos de motor CA y CC • Suministros de energía no perturbados • Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características International standard package Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características International Standard Package MiniBLOC, con aislamiento de nitruros de aluminio RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Coverters CC-CC Cargador de baterías Modo de conmutación y modo de resonancia Suministros de energía Choppers de CC Accionamientos de motor CA y CC Suministros de energía no perturbados Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Potencia lineal MOSFET w/ extendido FBSOA Modo de mejora de n-Channel Garantía de FBSOA Avalancha aconsejada Características Diseñado para operaciones lineales Avalancha aconsejada Protección de FBSOA a 75 °C. ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Disyuntores de circuito de estado sólido Controles de arranque suave Ampliadores lineales Cargas programables Reguladores actuales
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MOSFET de potencia TrenchP Modo de mejora P-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar Avalancha aconsejada FBSOA ampliado Diodo casi Intrinsic RDS(ON) y QG bajos ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Conmutación de lado alto Ampliadores de impulsos de empuje Choppers de CC ? Equipo de comprobación automático ? Reguladores actuales ? Aplicaciones de cargador de baterías
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Potencia MOSFET (Pestaña aislada de electricidad) Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Sustratos de silicona chip on Direct-Copper Bond (DCB) - Paquete reconocido por UL - Superficie de montaje aislada - Aislamiento eléctrico de 2500 V~ RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Coverters CC-CC Cargador de baterías Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Choppers de CC Accionamientos de motor CA y CC Suministros de energía no perturbados Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Alimentación MOSFET Modo de mejora de canal N FBSOA garantizado Clasificación Avalancha Características Diseñado para funcionamiento lineal Paquete estándar internacional FBSOA garantizado a 75 °C Clasificación Avalancha El epoxi de moldeo cumple la clasificación de inflamabilidad UL94 V-0 MiniBLOC con aislamiento de nitruro de aluminio Aplicaciones Cargas programables Reguladores de corriente Convertidores CC-CC Cargadores de baterías Cortadoras DC Controles de temperatura e iluminación Ventajas Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia
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