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Diodo epiaxial de recuperación rápida (FRED) DSEI 120-12a, Vrm = 1200 V, Ifavm = 109 a, trr = 40 ns Características: Carcasa estándar internacional VISUALIZACIÓN DE JEDEC A-247 Fichas pasivadas planas Tiempo de recuperación muy corto Pérdidas por cambio extremadamente bajas Valores IRM bajos Comportamiento de recuperación suave La resina epoxi cumple con UL 94V-0 Aplicaciones: Diodo antiparalelo para conmutadores de alta frecuencia Diodo antisaturación Diodo amortiguador Diodo de marcha libre en transformadores y circuitos de control del motor Rectificador en modo de conmutación Entregas (SMPS) Calentamiento inductivo y fundición Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) Limpiador ultrasónico y soldador Ventajas: Funcionamiento de circuito muy fiable Picos de tensión bajos para circuitos de protección reducidos Conmutación silenciosa Pérdidas reducidas Funcionamiento a una temperatura más baja o ahorro de espacio gracias a una refrigeración reducida
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Potencia polar3 HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Paquetes internacionales estándar Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Convertidores dc-dc Controladores láser Accionamientos de motor CA y CC Robótica y servocontroles
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MOSFET de potencia de puerta de separación Modo de mejora de n-Channel Características Avalancha aconsejada Capacidad de manejo de alta corriente Rectificador de entrada rápida RDS bajo (ON) ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Coverters CC-CC Cargador de baterías Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Choppers de CC Accionamientos de motor CA y CC Suministros de energía no perturbados Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características • International standard package • Encapsulamiento de epoxy meets UL 94 V-0, clasificación de inflamabilidad • MiniBLOC con aislamiento de nitruros de aluminio • Bajo RDS (ON) proceso HDMOSTM • Estructura celular de puerta de polisilicio rugada • Conmutación por inducción no activada (UIS) • Inductancia de paquetes bajos • Rectificador casi intrinsivo Aplicaciones • DC-DC converters • Rectificación sincrónica • cargador de baterías • modo conmutado y modo resonante suministros de alimentación • choppers de CC • controles de temperatura y iluminación • relés de baja tensión ADVantages • Fácil de montar • Space Savings • Alta densidad de potencia
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Potencia polar HiPerFET MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características International Standard Package Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Convertidores dc-dc Controladores láser Accionamientos de motor CA y CC Robótica y servocontroles
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Polar3TM HiperFETM Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Rectificador de entrada rápida Avalancha aconsejada RDS(ON) y QG bajos Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Convertidores dc-dc Controladores láser Accionamientos de motor CA y CC Robótica y servocontroles
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Diodo casi Intrinsic Características Sustratos de silicona Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Superficie de montaje aislada Resistencia de puerta Intrinsic baja Aislamiento eléctrico de 2500 V~ Dynamic dv/dt Rating Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida QG bajo RDS bajo (ON) Baja capacidad de drenaje a separador Inductancia de paquetes bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio
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IXTP80N10T, MOSFET de potencia TrenchTM Características: • Resistencia de conexión ultra baja • Evaluación de Avalon • Baja inductancia de la carcasa: Fácil de usar y proteger • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Diodo intrínseco rápido Ventajas • Fácil de montar • Ahorro de espacio • Alta densidad de potencia Aplicaciones • Automóvil - Mandos del motor - Bus de alimentación de 42 V. - Sistemas ABS • Convertidor CC/CC y SAI offline • Interruptor primario para sistemas de 24 V y 48 V. • Arquitecturas de rendimiento distribuidas y VRM • Sistemas electrónicos de accionamiento de válvulas • Aplicaciones de conmutación de alta corriente • Amplificador síncrono de alta tensión Características Paquetes internacionales estándar Temperatura de funcionamiento 175 °C. Avalancha aconsejada Capacidad de manejo de alta corriente Diodo casi Intrinsic RDS bajo (ON) ADVantages Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Automoción - Motores de accionamiento - Conversión DC/DC - 42V bus de alimentación - Sistemas ABS Convertidores de CC/CC y UPS de fuera de línea Interruptor primario para sistemas de 24 V y 48 V. Aplicaciones de conmutación de alta corriente Distributed Power Architectures y VRM Sistemas electrónicos de transporte de la válvula
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MOSFET de potencia clase X3 HiPerFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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Diodos epiaxiales de recuperación rápida (FRED) para su uso como diodo de marcha libre El comportamiento de recuperación suave evita la aparición de picos de sobretensión elevados
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Diodo epiaxial de recuperación rápida
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PolarHVTM Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Diodo de recuperación rápida Avalancha aconsejada Características diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) paquetes internacionales estándar Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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MOSFET de potencia PolarHV HiPerFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos: fácil de conducir y proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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MOSFET de potencia de TrenchT2 HiperFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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BiMOSFET de alta tensión y alto amplificador Transistor de MOS bipolar monolítico Características: • Diodo de retorno rápido monolítico • Alta tensión de bloqueo • JEDEC TO-268, carcasa de montaje superficial y JEDEC TO-247 AD • Pequeñas pérdidas de cambio • Alta capacidad de carga de corriente • Activación de MOS Gate: Simplicidad de accionamiento • Las resinas epoxídicas cumplen con la clase UL94V-0 de inflamabilidad Ventajas: • Pérdida de línea menor que MOSFET • Alta densidad de potencia • Adecuado para montaje en superficie • Fácil de montar con 1 tornillo (orificio de tornillo de fijación aislado) Aplicaciones: • Regulación de la velocidad del motor CA • Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) • Alimentación de modo de conmutación y modo de resonancia • Circuitos de descarga del condensador
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Potencia MOSFET HiPerFET Modo de mejora de canal N = 300 ns Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia Aplicaciones: modo conmutado de alta tensión y suministros de alimentación en modo residual Aplicaciones de alimentación de impulsos de alta tensión Circuitos de alta tensión Discharge en laser Pulsers, Spark Igniters, RF Generators Convertidores dc-dc de alta tensión inversor dc-ac de alta tensión
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Diodo epiaxial de recuperación rápida
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PolarHV HiPerFET Potencia MOSFET Modo de mejora de canal N = 200 ns Avalancha aconsejada Diodo casi Intrinsic Características paquetes internacionales estándar diodo de recuperación rápida Conmutación por inducción no activada (UIS) Inductancia de paquetes bajos - fácil de conducir y de proteger ADVantages Fácil de montar Space Savings Alta densidad de potencia
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MOSFET de potencia clase X3 HiPerFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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Diodo epiaxial de recuperación rápida
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Características • Diodo intrínseco rápido • Carcasa estándar internacional • Conmutación inductiva sin conexión (UIS) • Baja inductancia del chasis: Fácil de controlar y proteger Ventajas • fácil de montar • Ahorro de espacio • Alta densidad de potencia
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Diodo epiaxial de recuperación rápida
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Alimentación MOSFET Modo de mejora de canal N Clasificación Avalancha Diodo intrínseco rápido Características Paquete estándar internacional Temperatura de funcionamiento: 175 °C Alta capacidad de manejo de corriente Clasificación Avalancha Rectificador rápido intrínseco RDS bajo(on) Ventajas Fácil de montar Ahorro de espacio Alta densidad de potencia Aplicaciones Convertidores CC-CC Cargadores de baterías Fuentes de alimentación conmutadas y resonantes Cortadoras DC Accionamientos de motores de CA Sistemas de alimentación ininterrumpida Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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Diodo epiaxial de recuperación rápida
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MOSFET de potencia polar Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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MOSFET de potencia Polar3TM HiPerFET Modo de ganancia de canal N. Diodo intrínseco rápido
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Potencia MOSFET Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Características Paquetes internacionales estándar RDS(on) y QG bajos Avalancha aconsejada Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones • Coverters CC-CC • Cargador de baterías • Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación • Choppers de CC • Accionamientos de motor CA y CC • Suministros de energía no perturbados • Aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad
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HiperFET MOSFET de potencia Clase Q3 Modo de mejora de n-Channel Avalancha aconsejada Rectificador de entrada rápida Características Resistencia de puerta Intrinsic baja Paquetes internacionales estándar Inductancia de paquetes bajos Rectificador de entrada rápida RDS(on) y QG bajos ADVantages Alta densidad de potencia Fácil de montar Ahorro de espacio Aplicaciones Convertidores dc-dc Cargador de baterías Modo de conmutación y modo de resonancia suministros de alimentación Choppers de CC Controles de temperatura y iluminación
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Diodo epiaxial de recuperación rápida
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Brand: Bosch
EAN: 4051661037795

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EAN: 807014061405

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EAN: 195980464154

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EAN: 0195980464178

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