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Brand: Infineon
MPN: idh16g120c5
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 y atrás - Cátodo - Pin 2 - Ánodo
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r125c6fksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: fm16w08sg
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16 Kbit (2 Kx8) serie (SPI) F-RAM, 5V, 20MHz SO8 El FM25C160B es una memoria no volátil de 16 Kbit con un proceso ferroeléctrico avanzado. La memoria de acceso aleatorio o la memoria F-RAM son no volátiles y se realiza y se introducen en una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complexities, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad del nivel de sistema que se han generado mediante flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles.
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Brand: Infineon
MPN: auirg4ph50s
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1200 V CC-1 kHz (estándar) IGBT discreto para automoción en encapsulado TO-247AC Bajo Vce(on) Optimizado para aplicaciones de conmutación Temperatura de funcionamiento de 150°C Certificación AEC-Q101 Sin plomo, conforme a RoHS
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Brand: Infineon
MPN: pvg612pbf
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Relé fotovoltaico salida MOSFET El relé fotovoltaico de la serie PVG612 es un solo polo, Relés de estado sólido normalmente abiertos, que se encuentran en muchos Puede reemplazar relés electromecánicos en muchas aplicaciones. Utiliza el HEXFET, propiedad de International Rectifier Potencia MOSFET de INTERNATIONAL RECTIFIER como un interruptor de salida operado por uno Generador fotovoltaico con circuito integrado y nuevo Construcción. El interruptor de salida es controlado por la radiación Controlado por un diodo emisor de luz GaAlAs (led) Ópticamente aislado del generador fotovoltaico El generador está aislado. Características importantes Operación sin rebote Alta capacidad de carga de corriente Alta resistencia fuera del estado Operación lineal AC/DC 4000 AISLAMIENTO DE E/S VRMS Fiabilidad de estado sólido
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MPN: irfp4768pbf
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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MPN: ipw60r099c6fksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: idd08sg60cxtma1
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Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - alta resistencia a la corriente de choque - Certificado JEDEC Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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MPN: pvg612spbf
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Relé fotovoltaico Salida MOSFET El relé fotovoltaico de la serie PVG612 es un relé unipolar, normalmente abierto de estado sólido que puede sustituir a los relés electromecánicos en muchas relés electromecánicos en muchas aplicaciones. Utiliza HEXFET patentado por International Rectifier MOSFET de potencia de International Rectifier como interruptor de salida, alimentado por un generador fotovoltaico con circuitos integrados y una novedosa construcción. El interruptor de salida se alimenta de la radiación de un diodo emisor de luz (LED) de GaAlAs ópticamente que está aislado ópticamente del generador fotovoltaico generador está aislado. Características importantes Funcionamiento sin rebote alta capacidad de transporte de corriente alta resistencia en estado desactivado Funcionamiento lineal CA/CC Aislamiento de E/S de 4000 VRMS Fiabilidad de estado sólido
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MPN: ir2183pbf
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El IR 2183 es un MOSFET de alta velocidad y un controlador IGBT con canales de salida dependientes. Las entradas lógicas son compatibles con las salidas estándar CMOS o LSTTL de hasta 3,3 V. Carcasa: DIP-8
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MPN: ipz65r095c7
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MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Características Mayor resistencia MOSFET dv/dt Mejor eficiencia gracias a la mejor clasificación de FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/chasis de clase Uso/control sencillo mediante el pin de la fuente del controlador para un mejor control de la puerta Revestimiento sin PB, masa de conformación sin halógenos Apto para aplicaciones industriales según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Niveles PFC y niveles PWM de conmutación dura para, por ejemplo, ordenadores, servidores, telecomunicaciones, SAI y Solar.
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MPN: idw20g120c5b
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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MPN: ipp60r099c6xksa1
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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MPN: ikw75n65el5xksa1
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La nueva familia L5 IGBT de Infineon con baja tensión de saturación (V CE(sat)) La familia TRENCHSTOP™ IGBT ha sido optimizada específicamente para bajas frecuencias de conmutación en el rango de 50 Hz a 20 kHz. La optimización del perfil de portadora de la innovadora tecnología de oblea delgada TRENCHSTOP™ 5 de 55 µm permite reducir las pérdidas de conducción a un nivel intrínsecamente bajo: 1,05 V para IGBT de 30 A y 1,10 V para IGBT de 75 A. Resumen de características Mínima tensión de saturación V CE(sat) de sólo 1,05 V Bajas pérdidas de conmutación de 1,6mJ a 25°C para IGBT de 30 A Alta estabilidad térmica de los parámetros eléctricos - sólo un 2% de deriva al aumentar la T j de 25°C a 175°C Ventajas Mayor eficiencia para 50 Hz Mayor vida útil y fiabilidad del IGBT Alta fiabilidad de diseño gracias a un comportamiento térmico estable
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MPN: spa17n80c3
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Autobloqueo Baja resistencia de encendido Bajas pérdidas de conmutación
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MPN: irfp4468pbf
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MPN: ikz75n65eh5xksa1
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IKZ75N65EH5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Conmutación con pérdidas extremadamente bajas gracias al Kelvin-emitterpin IN Combinación con TRENCHSTOPTM 5 • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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MPN: irfp4568pbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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MPN: spw32n50c3
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Diseño: TO-247 Drenaje al voltaje de fuente (Vdss): 560 V. VGS: 3,9 V. Rango de temperatura: -40 ... +150 °C. Rendimiento: 284 W.. RDS: 110 mOhm Tipo: N-canal
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MPN: irfp4768pbfxkma1
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MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Conmutación de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia conmutadas con dureza
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MPN: 1ed020i12f2xuma1
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Todos los circuitos lógicos son compatibles con CMOS de 5V y se pueden conectar directamente a un microcontrolador. La transmisión de datos a través de la separación galvánica se realiza mediante la tecnología integrada del transmisor de corte. El 1ED020I12-F2 ofrece diversas funciones de protección, como la protección contra el desaturamiento IGBT, la lámpara de Miller activa Y desconexión activa. Características esenciales Lado alto, controlador de puerta IGBT Tipo: EiceDRIVER™. Diseño: PG-DSO-16-15 Para 600 V/1200 V IGBT 2 a salida Rail-to-Rail Detección de vcesat Abrazadera activa del Miller
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MPN: idw20g65c5b
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5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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MPN: ipw60r099c7xksa1
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: irfp4868pbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipp65r095c7xksa1
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MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Características Mayor resistencia MOSFET dv/dt Mejor eficiencia gracias a la mejor clasificación de FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/chasis de clase Uso/control sencillo mediante el pin de la fuente del controlador para un mejor control de la puerta Revestimiento sin PB, masa de conformación sin halógenos Apto para aplicaciones industriales según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Niveles PFC y niveles PWM de conmutación dura para, por ejemplo, ordenadores, servidores, telecomunicaciones, SAI y Solar.
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MPN: irfi4020h117p
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Este medio puente MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Consta de dos conmutadores MOSFET de potencia conectados en una configuración de medio puente. El proceso más reciente se utiliza para lograr una resistencia baja por cara de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo Body y la resistencia interna de puerta se han optimizado para mejorar los factores de rendimiento clave de los amplificadores de audio de clase D, como la eficiencia, THD y EMI. Esta combinación hace de este medio puente un componente de alta eficiencia, robusto y fiable para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Características: • Carcasa de semipuente integrada • Reduce a la mitad el número de componentes • Permite un mejor diseño de PCB • Parámetros de clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio clase D. • t RDS(ON) bajo para una mayor eficiencia Qg y Qsw bajos para un mejor THD y una mayor eficiencia • Qrr bajo para un mejor factor de distorsión y EMI menor • Puede alcanzar hasta 300 W por canal a una carga de 8o en la configuración de semipuente del amplificador • Carcasa sin plomo
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MPN: ikw50n65h5fksa1
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IKW50N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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Brand: Infineon
MPN: irfp4668pbfxkma1
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MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Conmutación de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia conmutadas con dureza
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Brand: Infineon
MPN: spp20n65c3xksa1
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650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características Baja resistencia específica en estado (RDS(ON)*A) Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @400V. Carga baja de la puerta (Qg) Calidad Fieldprobado CoolMOS™ La tecnología CoolMOS™ ha sido fabricada por INFINEON desde 1998 Beneficios: Alta eficiencia y densidad de potencia Costo/rendimiento sobresaliente Alta fiabilidad Facilidad de uso Aplicaciones de destino: Consumidor PC Power Adaptador
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