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1 
Brand: Infineon
MPN: irf540nspbftrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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- Infineon -
0.76 EUR
Infineon Irf 540ns - Mosfet, N-ch 100v 33a 0,044r, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irf540nspbftrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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2 
Brand: Infineon
MPN: spp04n60c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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1.83 EUR
Infineon Spp04n60c3 - Mosfet N-ch 600v 4,5a 50w 0,95r To220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: spp04n60c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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3 
Brand: Infineon
MPN: irf7343trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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0.67 EUR
Infineon Irf7343pbf - Mosfet Doble N+p-ch, 55/-55v 4,7/-3,4a 0,043/0,095r,
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Brand: Infineon
MPN: irf7343trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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4 
Brand: Infineon
MPN: irfp260npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFP260NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier/Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que un mayor rendimiento impide el uso de componentes TO-220. La carcasa TO-247 es similar a la carcasa TO-218 anterior, pero es superior gracias a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Clasificación completa de Avalancha • Paralelización simple • Requisitos de accionamiento sencillos • Sin plomo
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1.93 EUR
Infineon Irfp 260n - Mosfet, N-ch 200v 50a 0,04r, To-247ac
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Brand: Infineon
MPN: irfp260npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFP260NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier/Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que un mayor rendimiento impide el uso de componentes TO-220. La carcasa TO-247 es similar a la carcasa TO-218 anterior, pero es superior gracias a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Clasificación completa de Avalancha • Paralelización simple • Requisitos de accionamiento sencillos • Sin plomo
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5 
Brand: Infineon
MPN: bss83ph6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
TRANSISTOR SMD P-FET SOT-23 -60V -0.33A
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0.2 EUR
Infineon Bss 83p Smd - Mosfet, P-ch, -60v -0,33a 2r, Sot-23
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Brand: Infineon
MPN: bss83ph6327xtsa1
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TRANSISTOR SMD P-FET SOT-23 -60V -0.33A
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6
Brand: Infineon
MPN: irf9540nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET P-CH 100 V 23 A. 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK
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1.22 EUR
Infineon Irf 9540ns - Mosfet, P-ch, -100v -23a 0,117r, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irf9540nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET P-CH 100 V 23 A. 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK
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Brand: Infineon
MPN: spp20n60s5
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseño: TO-220 Drenaje al voltaje de fuente (Vdss): 600 V. Drenaje actual - continuo: 20A (TC) VGS: +-30V Rango de temperatura: -40 ... +150 °C. Rendimiento: 208 W.. RDS: 0,19 ohmios Tipo: N-canal
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5.49 EUR
Infineon Spp 20n60 S5 - Mosfet N-ch 600v 20a 0,19r, To-220
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Brand: Infineon
MPN: spp20n60s5
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseño: TO-220 Drenaje al voltaje de fuente (Vdss): 600 V. Drenaje actual - continuo: 20A (TC) VGS: +-30V Rango de temperatura: -40 ... +150 °C. Rendimiento: 208 W.. RDS: 0,19 ohmios Tipo: N-canal
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Brand: Infineon
MPN: irfd9120pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es un encapsulado de montaje en máquina rentable que se puede apilar en varios conjuntos en centros de pluma estándar de 0,1''. El drenaje doble sirve como conexión térmica para la superficie de montaje para pérdidas de hasta 1 W. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV / dt • Repetición de la frecuencia de Avalon • Para el posicionamiento automático • Finalizar apilable • Temperatura de funcionamiento 175 ° C. • Cambio rápido
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0.69 EUR
Infineon Irfd 9120 - Mosfet, P-ch, -100v -1a 0,60r, Hvmdip-4
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MPN: irfd9120pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es un encapsulado de montaje en máquina rentable que se puede apilar en varios conjuntos en centros de pluma estándar de 0,1''. El drenaje doble sirve como conexión térmica para la superficie de montaje para pérdidas de hasta 1 W. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV / dt • Repetición de la frecuencia de Avalon • Para el posicionamiento automático • Finalizar apilable • Temperatura de funcionamiento 175 ° C. • Cambio rápido
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r180c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia 600V COOL MOS C7 CoolMOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para los MOSFET de alta tensión, desarrollada según el principio de superUnión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Características Adecuado para cambios duros y blandos (PFC y LLC de alto rendimiento) Mayor resistencia MOSFET dv/dt hasta 120V/ns Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/vivienda de clase Aplicaciones Niveles de PFC y niveles de PWM (TTF, LLC) para SMPS de alto rendimiento/rendimiento, por ejemplo, para ordenadores, servidores, telecomunicaciones, UPS y solar.
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3.04 EUR
Infineon Ipa60r180c7xksa1 - Mosfet, N-ch 600v 9a 0,18r, To-220-fullpak
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MPN: ipa60r180c7xksa1
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MOSFET de potencia 600V COOL MOS C7 CoolMOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para los MOSFET de alta tensión, desarrollada según el principio de superUnión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Características Adecuado para cambios duros y blandos (PFC y LLC de alto rendimiento) Mayor resistencia MOSFET dv/dt hasta 120V/ns Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/vivienda de clase Aplicaciones Niveles de PFC y niveles de PWM (TTF, LLC) para SMPS de alto rendimiento/rendimiento, por ejemplo, para ordenadores, servidores, telecomunicaciones, UPS y solar.
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r600c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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1.47 EUR
Infineon Ipa60r600c6 - Mosfet N-ch 600v 7,3a 28w 0,6r To220-fullpak
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MPN: ipa60r600c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: irf8010pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 100 V 80 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB
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1.47 EUR
Infineon Irf 8010 - Mosfet, N-ch 100v 80a 0,012r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irf8010pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 100 V 80 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB
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Brand: Infineon
MPN: irfd210pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Valor dv/dt dinámico • Para el uso automático • Apilable al final • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos
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0.46 EUR
Infineon Irfd 210 - Mosfet, N-ch 200v 0,6a 1,5r, Hd-1
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Brand: Infineon
MPN: irfd210pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Valor dv/dt dinámico • Para el uso automático • Apilable al final • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r380c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, LCD y PDP TV,
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1.8 EUR
Infineon Ipa60r380c6xksa1 - Mosfet, N-ch 600v 10,6a 0,38r, To-220-fullpak
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r380c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, LCD y PDP TV,
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Brand: Infineon
MPN: irfpc50apbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, resistencia baja y rentabilidad. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO-247 es similar a la anterior caja TO-218, pero es superior debido a su abertura de montaje aislada. También proporciona una mayor distancia de fuga entre los pasadores para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
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2.19 EUR
Infineon Irfpc 50 - Mosfet, N-ch 600v 11a 180w, To-247ac
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Brand: Infineon
MPN: irfpc50apbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, resistencia baja y rentabilidad. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO-247 es similar a la anterior caja TO-218, pero es superior debido a su abertura de montaje aislada. También proporciona una mayor distancia de fuga entre los pasadores para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
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Brand: Infineon
MPN: bsp170ph6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor de señal pequeña SIPMOS® Características • P-Channel • modo de mejora • Avalancha crated • dv /dt rated • PB Free lead Plating; compatible con RoHS • Clasificado según AEC Q101
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0.7 EUR
Infineon Bsp170p - Mosfet P-ch 60v 1,9a 0,3r Sot223
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Brand: Infineon
MPN: bsp170ph6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor de señal pequeña SIPMOS® Características • P-Channel • modo de mejora • Avalancha crated • dv /dt rated • PB Free lead Plating; compatible con RoHS • Clasificado según AEC Q101
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Brand: Infineon
MPN: irfd024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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1.02 EUR
Infineon Irfd 024 - Mosfet, N-ch 60v 2,5a 1,3w, Hd-1
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfd024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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Brand: Infineon
MPN: irf1310nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales/industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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1.22 EUR
Infineon Irf 1310ns - Mosfet, N-ch 100v 42a 0,036r, D2-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1310nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales/industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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Brand: Infineon
MPN: irf3710spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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1.17 EUR
Infineon Irf 3710s - Mosfet, N-ch 100v 57a 0,023r, D2-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3710spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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Brand: Infineon
MPN: irl540nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRL530NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRL540NS) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL540NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irl 540ns - Mosfet, N-ch 100v 36a 0,044r, D2-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irl540nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRL530NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRL540NS) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL540NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r280c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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2.24 EUR
Infineon Ipp60r280c6 - Mosfet N-ch 600v 13,8a 0,28r, To-220
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r280c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r099c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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5.49 EUR
Infineon Ipa60r099c7 - Mosfet N-ch 600v 12a 33w 0,099r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipa60r099c7xksa1
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r380c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C6 Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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2.19 EUR
Infineon Ipp60r380c6 - Mosfet N-ch 600v 10,6a 83w 0,38r To220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C6 Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r180c7xksa1
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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3.81 EUR
Infineon Ipw60r180c7 - Mosfet N-ch 600v 13a 68w 0,18r To247
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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2.19 EUR
Infineon Ipp60r180c7 - Mosfet N-ch 600v 13a 68w 0,18r To220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipp60r180c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: irf640nspbf
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IRF640NSPbF , HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Sin plomo
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0.95 EUR
Infineon Irf 640ns - Mosfet, N-ch 200v 18a 0,15r, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irf640nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF640NSPbF , HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETÆ avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia de estado activado por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de potencia de montaje superficial adecuado para tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia en estado encendido posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia de conexión interna y puede suministrar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión con orificio pasante (IRF540NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
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0.51 EUR
Infineon Irf 540n - Mosfet, N-ch 100v 33a 0,044r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETÆ avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia de estado activado por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de potencia de montaje superficial adecuado para tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia en estado encendido posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia de conexión interna y puede suministrar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión con orificio pasante (IRF540NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
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Brand: Infineon
MPN: irl530nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRL530NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRL530NS) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL530NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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0.85 EUR
Infineon Irl 530ns - Mosfet, N-ch 100v 17a 79w, D2-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irl530nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRL530NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRL530NS) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL530NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r160c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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3.25 EUR
Infineon Ipp60r160c6 - Mosfet N-ch 600v 23,8a 176w 0,16r To220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipp60r160c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: spp80p06phxksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
SIPMOS MOSFET de potencia Características Canal p. Modo de enriquecimiento Con capacidad de avalancha Cambio rápido Con calificación DV/dt Revestimiento de plomo sin PB Compatible con RoHS, sin halógenos Cualificado según AEC Q101
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- Infineon -
4.27 EUR
Infineon Spp80p06phxksa1 - Mosfet, P-ch, -60v -80a 0,023r, To-220
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Brand: Infineon
MPN: spp80p06phxksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
SIPMOS MOSFET de potencia Características Canal p. Modo de enriquecimiento Con capacidad de avalancha Cambio rápido Con calificación DV/dt Revestimiento de plomo sin PB Compatible con RoHS, sin halógenos Cualificado según AEC Q101
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r190e6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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- Infineon -
3.06 EUR
Infineon Ipp60r190e6xksa1 - Mosfet, N-ch 600v 20,2a 0,19r, To-220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipp60r190e6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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Brand: Infineon
MPN: irlr110pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-PAK es para montaje superficial con fases de vapor, infrarrojos o Técnicas de soldadura por ola. La versión de conector recto (serie IRFU) es para Aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • RDS(on) especificado en VGS=4V & %V.
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- Infineon -
0.51 EUR
Infineon Irlr 110 - Mosfet, N-ch 100v 4,3a 25w, To-252
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr110pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-PAK es para montaje superficial con fases de vapor, infrarrojos o Técnicas de soldadura por ola. La versión de conector recto (serie IRFU) es para Aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • RDS(on) especificado en VGS=4V & %V.
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Brand: Infineon
MPN: irfbc30pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFBC30, MOSFET de potencia Descripción: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Irfbc 30 - Mosfet, N-ch 600v 3,6a 2,2r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfbc30pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFBC30, MOSFET de potencia Descripción: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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