R O De Sol Braga | ofertas similares hoy

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MPN: ff400r12ke3hosa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode Überlegene Lösung für frequenzgesteuerte Umrichterantriebe UL/CSA-Zertifizierung mit UL1557 E83336 Betriebstemperatur bis zu 125 °C (max. 150 °C) Optimiertes Schaltverhalten wie Weichheit und reduzierte Schaltverluste Bestehende Gehäuse mit höherer Strombelastbarkeit
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MPN: ff300r12ke3hosa1
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Módulo serie C de 62 mm con parada de separación/campo IGBT3 y diodo de alta eficiencia controlado por emisor Solución superior para accionamientos de convertidor controlados por frecuencia Certificación UL/CSA con UL1557 E83336 Temperatura de servicio hasta 125 °C (máx. 150 °C) Comportamiento de cambio optimizado, como suavidad y pérdidas de cambio reducidas Carcasas existentes con mayor capacidad de carga eléctrica
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MPN: fs35r12w1t4boma1
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Módulo Easypack con parada de campo/separación IGBT4 y diodo emisor controlado 4 y NTC Módulo IGBT Easypack™ 1B de 1200 V, 35 a de sixpack con IGBT4 TRENCHSTOPTM, diodo emisor controlado 4 y NTC. También disponible con tecnología de contacto PressFIT: FS35R12W1T4_B11. Si desea aumentar el rendimiento, eche un vistazo al FS35R12W1T7 con la última tecnología de chip IGBT7 de TRENCHSTOP™. Resumen de las características Bajas pérdidas por cambio de marcha VCEsat con coeficiente de temperatura positivo VCEsat bajo Sustrato AI2o3 con baja resistencia térmica Diseño compacto Tecnología de contacto de soldadura Montaje robusto gracias a las grapas de fijación integradas
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MPN: ipw60r041c6fksa1
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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MPN: imza65r027m1h
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MOSFET 650 V CoolSiCª M1 dispositivo de alimentación de separación de SiC El CoolSiC™ de 650 V se basa en la tecnología de carburo de silicio macizo desarrollada por Infineon en más de 20 años. El CoolSiC™ MOSFET de 650V aprovecha las características del material de SiC con una amplia separación de bandas y ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Es adecuado para altas temperaturas y condiciones de funcionamiento adversas, y permite un suministro simplificado y rentable de sistemas con la máxima eficiencia. Características • Comportamiento de conmutación optimizado con corrientes más altas • Diodo de cuerpo Fast-Body resistente al conmutación con Qrr bajo • Excelente fiabilidad de óxido de punto de inyección • Mejor conductividad y comportamiento térmico • Menor RDS(on) y dependencia de la corriente de impulsos de la temperatura • Mayor capacidad de Avalon • Compatible con controladores estándar (tensión de controlador recomendada: 18 V) • La fuente Kelvin ofrece hasta 4 veces menos pérdidas de conmutación Aplicaciones potenciales • SMPS • UPS (fuentes de alimentación ininterrumpida) • Inversor solar-PV • Infraestructura de carga EV • Almacenamiento de energía y acumulación de batería • Amplificador de clase D. Validación del producto Totalmente cualificado según JEDEC para aplicaciones industriales
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MPN: ipw65r045c7fksa1
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: ipw60r041p6fksa1
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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MPN: ipw60r070c6fksa1
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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MPN: ipw65r070c6fksa1
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C6 Características • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC1) • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos Aplicaciones Día PFC, día de PWM de conmutación dura y día de PWM de conmutación resonante Por ejemplo, PC Silverbox, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: ipw60r125c6fksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: irfp4768pbf
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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MPN: ipw60r099c6fksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: ipz65r095c7
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MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Características Mayor resistencia MOSFET dv/dt Mejor eficiencia gracias a la mejor clasificación de FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/chasis de clase Uso/control sencillo mediante el pin de la fuente del controlador para un mejor control de la puerta Revestimiento sin PB, masa de conformación sin halógenos Apto para aplicaciones industriales según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Niveles PFC y niveles PWM de conmutación dura para, por ejemplo, ordenadores, servidores, telecomunicaciones, SAI y Solar.
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MPN: ipp60r099c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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MPN: spa17n80c3
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Autobloqueo Baja resistencia de encendido Bajas pérdidas de conmutación
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MPN: irfp4468pbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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MPN: spw32n50c3
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Diseño: TO-247 Drenaje al voltaje de fuente (Vdss): 560 V. VGS: 3,9 V. Rango de temperatura: -40 ... +150 °C. Rendimiento: 284 W.. RDS: 110 mOhm Tipo: N-canal
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MPN: irfp4768pbfxkma1
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MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Conmutación de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia conmutadas con dureza
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MPN: ipw60r099c7xksa1
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: irfp4868pbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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MPN: ipp65r095c7xksa1
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MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Características Mayor resistencia MOSFET dv/dt Mejor eficiencia gracias a la mejor clasificación de FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/chasis de clase Uso/control sencillo mediante el pin de la fuente del controlador para un mejor control de la puerta Revestimiento sin PB, masa de conformación sin halógenos Apto para aplicaciones industriales según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Niveles PFC y niveles PWM de conmutación dura para, por ejemplo, ordenadores, servidores, telecomunicaciones, SAI y Solar.
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MPN: irfp4668pbfxkma1
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MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Conmutación de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia conmutadas con dureza
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650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características Baja resistencia específica en estado (RDS(ON)*A) Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @400V. Carga baja de la puerta (Qg) Calidad Fieldprobado CoolMOS™ La tecnología CoolMOS™ ha sido fabricada por INFINEON desde 1998 Beneficios: Alta eficiencia y densidad de potencia Costo/rendimiento sobresaliente Alta fiabilidad Facilidad de uso Aplicaciones de destino: Consumidor PC Power Adaptador
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MPN: ipa60r125c6xksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: irfp4368pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica dv/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt
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MPN: ipw65r095c7xksa1
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: irfp4668pbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r160c6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: ipa60r099c7xksa1
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: spp20n60s5
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Diseño: TO-220 Drenaje al voltaje de fuente (Vdss): 600 V. Drenaje actual - continuo: 20A (TC) VGS: +-30V Rango de temperatura: -40 ... +150 °C. Rendimiento: 208 W.. RDS: 0,19 ohmios Tipo: N-canal
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Brand: Infineon
MPN: irfp4137pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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