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Brand: Infineon
MPN: igd06n60tatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 6 A IGBT Diskret im TO252-Gehäuse Der hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™ IGBT3 in einem TO252-Gehäuse führt zu einer deutlichen Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bauelements durch die Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept. Die Kombination des IGBT mit einer emittergesteuerten Diode mit weicher Erholung minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht. Zusammenfassung der Merkmale Geringster VCEsat-Abfall für geringere Leitungsverluste Geringe Schaltverluste Leichte Parallelschaltbarkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat Sehr weiche, schnell erholende antiparallele emittergesteuerte Diode Hohe Widerstandsfähigkeit, temperaturstabiles Verhalten Geringe EMI-Emissionen Niedrige Gate-Ladung Sehr enge Parameterverteilung Vorteile Höchste Effizienz - geringe Leitungs- und Schaltverluste Umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Flexibilität im Design Hohe Zuverlässigkeit der Geräte Anwendungen Vernetzte und intelligente Beleuchtung
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
0.81 EUR
Infineon Igd06n60t - Transistor Igbt, 600 V, 6 A, 88 W, To-252
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: igd06n60tatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 6 A IGBT Diskret im TO252-Gehäuse Der hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™ IGBT3 in einem TO252-Gehäuse führt zu einer deutlichen Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bauelements durch die Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept. Die Kombination des IGBT mit einer emittergesteuerten Diode mit weicher Erholung minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht. Zusammenfassung der Merkmale Geringster VCEsat-Abfall für geringere Leitungsverluste Geringe Schaltverluste Leichte Parallelschaltbarkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat Sehr weiche, schnell erholende antiparallele emittergesteuerte Diode Hohe Widerstandsfähigkeit, temperaturstabiles Verhalten Geringe EMI-Emissionen Niedrige Gate-Ladung Sehr enge Parameterverteilung Vorteile Höchste Effizienz - geringe Leitungs- und Schaltverluste Umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Flexibilität im Design Hohe Zuverlässigkeit der Geräte Anwendungen Vernetzte und intelligente Beleuchtung
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Brand: Infineon
MPN: ikd03n60rfatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Der hart schaltende RC-Drives 600 V, 3 A IGBT3 mit monolithisch integrierter Sperrschichtdiode in einem TO252-Gehäuse wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den Consumer-Antriebsmarkt entwickelt. Diese Basistechnologie bietet eine hervorragende Leistung für Permanentmagnet-Synchronmotoren und bürstenlose Gleichstromantriebe. Zusammenfassung der Merkmale Optimierte Parameter für bis zu 20% geringere Schaltverluste Betriebsbereich von DC bis 30 kHz Maximale Sperrschichttemperatur 175°C Kurzschlussfestigkeit von 5µs Sehr enge Parameterverteilung Klassenbeste Leistung bei Strom und Gehäusegröße Sanftes Schaltverhalten führt zu niedrigen EMI-Werten Vorteile Hervorragendes Preis-/Leistungsverhältnis für hart schaltende Anwendungen Hervorragende Temperaturstabilität Sehr gutes EMI-Verhalten Bis zu 60% Platzersparnis auf der Leiterplatte Höhere Zuverlässigkeit durch monolithisch integrierten IGBT & Diode aufgrund geringerer thermischer Zyklen beim Schalten Potentielle Zielanwendungen Waschmaschinen Allzweck-Wechselrichter Kompressoren für Klimaanlagen Hart schaltende Topologien bis zu 1,0 kW Anwendungen DIN-Schienen-Stromversorgung Energiespeichersysteme
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
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0.79 EUR
Infineon Ikd03n60rf - Transistor Igbt, 600 V, 3 A, 53,6 W, To-252
Reichelt.com
Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ikd03n60rfatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Der hart schaltende RC-Drives 600 V, 3 A IGBT3 mit monolithisch integrierter Sperrschichtdiode in einem TO252-Gehäuse wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den Consumer-Antriebsmarkt entwickelt. Diese Basistechnologie bietet eine hervorragende Leistung für Permanentmagnet-Synchronmotoren und bürstenlose Gleichstromantriebe. Zusammenfassung der Merkmale Optimierte Parameter für bis zu 20% geringere Schaltverluste Betriebsbereich von DC bis 30 kHz Maximale Sperrschichttemperatur 175°C Kurzschlussfestigkeit von 5µs Sehr enge Parameterverteilung Klassenbeste Leistung bei Strom und Gehäusegröße Sanftes Schaltverhalten führt zu niedrigen EMI-Werten Vorteile Hervorragendes Preis-/Leistungsverhältnis für hart schaltende Anwendungen Hervorragende Temperaturstabilität Sehr gutes EMI-Verhalten Bis zu 60% Platzersparnis auf der Leiterplatte Höhere Zuverlässigkeit durch monolithisch integrierten IGBT & Diode aufgrund geringerer thermischer Zyklen beim Schalten Potentielle Zielanwendungen Waschmaschinen Allzweck-Wechselrichter Kompressoren für Klimaanlagen Hart schaltende Topologien bis zu 1,0 kW Anwendungen DIN-Schienen-Stromversorgung Energiespeichersysteme
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- Bosch -
21.82 EUR
Bosch Professionnal 2 608 601 119 - Plato De Lija Hart, 125 Mm (pack 1)
electropolis.es
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17.99 EUR
Fila Hart - Marino - Polo Hombre Talla S Azul Male
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Fila Hart - Marino - Polo Hombre Talla L Azul Male
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Fila Hart - Marino - Polo Hombre Talla Xl Azul Male
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17.99 EUR
Fila Hart - Marino - Polo Hombre Talla 2xl Azul Male
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Fila Hart - Marino - Polo Hombre Talla M Azul Male
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17.99 EUR
Fila Hart - - Polo Hombre Talla S Blanco Male
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17.99 EUR
Fila Hart - - Polo Hombre Talla M Blanco Male
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- Fila -
17.99 EUR
Fila Hart - - Polo Hombre Talla L Blanco Male
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- Hart -
105.74 EUR 142.90 EUR
Hart Burberry 0be2319 3865 52 Red Male
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