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1 
Brand: Infineon
MPN: irfr3910trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
0.67 EUR
Infineon Irfr3910pbf - Mosfet N-ch 100v 16a 0,115r To252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr3910trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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2 
Brand: Infineon
MPN: ipa60r380c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, LCD y PDP TV,
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1.8 EUR
Infineon Ipa60r380c6xksa1 - Mosfet, N-ch 600v 10,6a 0,38r, To-220-fullpak
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r380c6xksa1
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, LCD y PDP TV,
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3 
Brand: Infineon
MPN: irfr1205pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Resistencia de paso extremadamente baja • Montaje en superficie (IRFR1205) • Conector recto (IRFU1205) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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0.67 EUR
Infineon Irfr 1205 - Mosfet, N-ch 55v 37a 0,027r, D-pak
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Brand: Infineon
MPN: irfr1205pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Resistencia de paso extremadamente baja • Montaje en superficie (IRFR1205) • Conector recto (IRFU1205) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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4 
Brand: Infineon
MPN: irf710pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF710, MOSFET de potencia Descripción: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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Infineon Irf 710 - Mosfet, N-ch 400v 2a 3,6r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irf710pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF710, MOSFET de potencia Descripción: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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5 
Brand: Infineon
MPN: ipw60r190p6fksa1
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600 V CoolMOS™ P6 Power MOSFET Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Día PFC, día de conmutaci n de hardware PWM y día de conmutaci n de resonancia para, por ejemplo, PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, Telecom y UPS.
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3.61 EUR
Infineon Ipw60r190p6 - Mosfet N-ch 600v 20,2a 151w 0,19r To247
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MPN: ipw60r190p6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ P6 Power MOSFET Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Día PFC, día de conmutaci n de hardware PWM y día de conmutaci n de resonancia para, por ejemplo, PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, Telecom y UPS.
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6
Brand: Infineon
MPN: irlr2705trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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0.43 EUR
Infineon Irlr2705pbf - Mosfet N-logl 55v 28a 0,04r To252aa
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MPN: irlr2705trpbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r125c6xksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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6.2 EUR
Infineon Ipa60r125c6 - Mosfet N-ch 600v 30a 34w 0,125r To220-fullpak
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MPN: ipa60r125c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: irf1310nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales/industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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1.22 EUR
Infineon Irf 1310ns - Mosfet, N-ch 100v 42a 0,036r, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irf1310nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales/industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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Brand: Infineon
MPN: irfi4020h117p
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Este medio puente MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Consta de dos conmutadores MOSFET de potencia conectados en una configuración de medio puente. El proceso más reciente se utiliza para lograr una resistencia baja por cara de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo Body y la resistencia interna de puerta se han optimizado para mejorar los factores de rendimiento clave de los amplificadores de audio de clase D, como la eficiencia, THD y EMI. Esta combinación hace de este medio puente un componente de alta eficiencia, robusto y fiable para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Características: • Carcasa de semipuente integrada • Reduce a la mitad el número de componentes • Permite un mejor diseño de PCB • Parámetros de clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio clase D. • t RDS(ON) bajo para una mayor eficiencia Qg y Qsw bajos para un mejor THD y una mayor eficiencia • Qrr bajo para un mejor factor de distorsión y EMI menor • Puede alcanzar hasta 300 W por canal a una carga de 8o en la configuración de semipuente del amplificador • Carcasa sin plomo
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6.3 EUR
Infineon Irfi 4020h-117 - Mosfet, P-ch, 200v 9,1a 21w, To-220-5-fullpak
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Brand: Infineon
MPN: irfi4020h117p
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Este medio puente MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Consta de dos conmutadores MOSFET de potencia conectados en una configuración de medio puente. El proceso más reciente se utiliza para lograr una resistencia baja por cara de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo Body y la resistencia interna de puerta se han optimizado para mejorar los factores de rendimiento clave de los amplificadores de audio de clase D, como la eficiencia, THD y EMI. Esta combinación hace de este medio puente un componente de alta eficiencia, robusto y fiable para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Características: • Carcasa de semipuente integrada • Reduce a la mitad el número de componentes • Permite un mejor diseño de PCB • Parámetros de clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio clase D. • t RDS(ON) bajo para una mayor eficiencia Qg y Qsw bajos para un mejor THD y una mayor eficiencia • Qrr bajo para un mejor factor de distorsión y EMI menor • Puede alcanzar hasta 300 W por canal a una carga de 8o en la configuración de semipuente del amplificador • Carcasa sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfs4310ztrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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2.75 EUR
Infineon Irfs4310zpbf - Mosfet N-ch 100v 120a 0,006r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfs4310ztrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: isc026n03l5satma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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- Infineon -
2.02 EUR
Infineon Isc026n03l5s - Mosfet, N-ch 30v 100a Rds(on)0,0026r, Tdson-8
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Brand: Infineon
MPN: isc026n03l5satma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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Brand: Infineon
MPN: irfpc50apbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, resistencia baja y rentabilidad. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO-247 es similar a la anterior caja TO-218, pero es superior debido a su abertura de montaje aislada. También proporciona una mayor distancia de fuga entre los pasadores para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
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2.19 EUR
Infineon Irfpc 50 - Mosfet, N-ch 600v 11a 180w, To-247ac
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Brand: Infineon
MPN: irfpc50apbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, resistencia baja y rentabilidad. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO-247 es similar a la anterior caja TO-218, pero es superior debido a su abertura de montaje aislada. También proporciona una mayor distancia de fuga entre los pasadores para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
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Brand: Infineon
MPN: bss131h6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET DE POTENCIA PEQUEÑA SMT SIPMOS Características Modo de enriquecimiento Revestimiento de plomo sin PB; compatible con RoHS Cualificado según AEC Q101 Libre de halógenos según IEC61249-2-21
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0.15 EUR
Infineon Bss131h6327xtsa1 - Mosfet, N-ch 240v 0,1a 16r, So-t23
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Brand: Infineon
MPN: bss131h6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET DE POTENCIA PEQUEÑA SMT SIPMOS Características Modo de enriquecimiento Revestimiento de plomo sin PB; compatible con RoHS Cualificado según AEC Q101 Libre de halógenos según IEC61249-2-21
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Brand: Infineon
MPN: irfp4468pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
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7.11 EUR
Infineon Irfp 4468 - Mosfet, N-ch 100v 195a 0,002r, To-247ac
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfp4468pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
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Brand: Infineon
MPN: irfr3607trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica dv/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Irfr3607pbf - Mosfet N-ch 75v 56a 0,009r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr3607trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica dv/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt
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Brand: Infineon
MPN: irfp4768pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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8.49 EUR
Infineon Irfp4768pbf - Mosfet N-ch 250v 93a 520w 0,0175r To247ac
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfp4768pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Brand: Infineon
MPN: irlml6346trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema
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0.2 EUR
Infineon Irlml 6346 - Mosfet, N-ch 30v 3,47a 0,063r, Sot-23
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlml6346trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema
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Brand: Infineon
MPN: irfu120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios.
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0.56 EUR
Infineon Irfu 120n - Mosfet, N-ch 100v 9,4a 0,21r, To-251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfu120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios.
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19 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irf7343trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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0.67 EUR
Infineon Irf7343pbf - Mosfet Doble N+p-ch, 55/-55v 4,7/-3,4a 0,043/0,095r,
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7343trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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20 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irf530nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 100 V 17A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK
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1.32 EUR
Infineon Irf 530ns - Mosfet, N-ch 100v 17a 0,09r 70w, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irf530nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 100 V 17A 3 clavijas (2+Tab) D2-PAK
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r160c6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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5.49 EUR
Infineon Ipw60r160c6 - Mosfet N-ch 600v 23,8a 0,14r, To-247
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipw60r160c6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r160c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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3.25 EUR
Infineon Ipp60r160c6 - Mosfet N-ch 600v 23,8a 176w 0,16r To220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipp60r160c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: irfh8318trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de un canal N de 30 V en un encapsulado PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren potencia y robustez. La completa cartera es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC. Características Caja estándar del sector para montaje en superficie Calificación del producto según la norma JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo de cuerpo más blando comparado con la anterior generación de silicio
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- Infineon -
1.42 EUR
Infineon Irfh8318 - Mosfet, N-ch 30v 50a 0,0025r, Qfn-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfh8318trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de un canal N de 30 V en un encapsulado PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren potencia y robustez. La completa cartera es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC. Características Caja estándar del sector para montaje en superficie Calificación del producto según la norma JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo de cuerpo más blando comparado con la anterior generación de silicio
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24 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irfh8324trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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- Infineon -
1.37 EUR
Infineon Irfh8324 - Mosfet, N-ch 30v 50a 0,0033r, Qfn-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfh8324trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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Brand: Infineon
MPN: bsp129h6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor de señal pequeña SIPMOS® Características • N-channel • modo de implementación • dv /dt rated • Disponible con indicador VGS(th) en la reel • PB Free lead Plating; compatible con RoHS • Clasificado según AEC Q101
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0.63 EUR
Infineon Bsp129 - Mosfet N-ch 240v 0,35a 6r Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: bsp129h6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor de señal pequeña SIPMOS® Características • N-channel • modo de implementación • dv /dt rated • Disponible con indicador VGS(th) en la reel • PB Free lead Plating; compatible con RoHS • Clasificado según AEC Q101
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Brand: Infineon
MPN: irf7105pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N/P-CH 25 V 3,5A/2,3A SO-8
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- Infineon -
0.36 EUR
Infineon Irf 7105 - Mosfet, N+p-ch, 25v 2,3a 2w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7105pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N/P-CH 25 V 3,5A/2,3A SO-8
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27 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irf7319pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF7319, HEXFET® PERFORMANCE MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un componente extremadamente eficiente y fiable para una gran variedad de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de utilizar varios componentes, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características: • Tecnología de generación V. • Resistencia de encendido ultra baja • MOSFET de canal doble N y p. • Montaje en superficie • Totalmente apto para Avalon
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0.66 EUR
Infineon Irf 7319 - Mosfet Doble, N+p-ch, 30/-30v 6,5/-4,9a 2w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7319pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF7319, HEXFET® PERFORMANCE MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un componente extremadamente eficiente y fiable para una gran variedad de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de utilizar varios componentes, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características: • Tecnología de generación V. • Resistencia de encendido ultra baja • MOSFET de canal doble N y p. • Montaje en superficie • Totalmente apto para Avalon
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Brand: Infineon
MPN: irfs7730trl7pp
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFS7730-7PPbF, StrongIRFET™ Ventajas: • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body • Sin plomo, compatible con RoHS Aplicaciones: • Aplicaciones para accionamientos de motor con escobillas • Aplicaciones de accionamiento del motor BLDC • Circuitos accionados por batería • Topologías de puente completo y semipuente • Aplicaciones de rectificadores síncronos • Alimentación en modo de resonancia • Disyuntores redundantes y OR-ing • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA
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2.64 EUR
Infineon Irfs7730trl7pp - Mosfet N-ch 75v 240a 0,0017r, D²pak-7
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfs7730trl7pp
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFS7730-7PPbF, StrongIRFET™ Ventajas: • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body • Sin plomo, compatible con RoHS Aplicaciones: • Aplicaciones para accionamientos de motor con escobillas • Aplicaciones de accionamiento del motor BLDC • Circuitos accionados por batería • Topologías de puente completo y semipuente • Aplicaciones de rectificadores síncronos • Alimentación en modo de resonancia • Disyuntores redundantes y OR-ing • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA
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Brand: Infineon
MPN: irlu3110zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de rendimiento HEXFET® aprovecha las innovaciones más recientes, características adicionales de temperatura de funcionamiento, velocidad de conmutación rápida y evaluación de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de otras aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax
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1.37 EUR
Infineon Irlu 3110z - Mosfet, N-ch 100v 63a 140w, To-251aa
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Brand: Infineon
MPN: irlu3110zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de rendimiento HEXFET® aprovecha las innovaciones más recientes, características adicionales de temperatura de funcionamiento, velocidad de conmutación rápida y evaluación de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de otras aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax
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Brand: Infineon
MPN: idw15g120c5bfksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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- Infineon -
10.58 EUR
Infineon Idw15g120c5b - Diodo Schottky Doble Sic, 1200v, 15a (2x7.5), To247
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: idw15g120c5bfksa1
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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Brand: Infineon
MPN: irf3205zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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- Infineon -
1.17 EUR
Infineon Irf3205zspbf - Mosfet N-ch 55v 75a 0,0065r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3205zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf1010zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Irf1010zstrlpbf - Mosfet, N-ch 55v 75a 0,0075r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1010zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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