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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de canal doble N de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 2x2 La familia StrongIRFET™ Performance MOSFET está optimizada para un RDS(on) bajo y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
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MOSFET de potencia HEXFET Aplicaciones Convertidor dc-dc de alta frecuencia Sin plomo
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Aplicaciones • Interruptor primario en topologías de puente o de dos interruptores hacia delante con 48 V (±10%) o 36 V a 60 V de entrada ETSI. • Interruptor rectificador síncrono del lado secundario para salida de 12 V. • Adecuado para aplicaciones dc-dc de Bucks síncronos no aislados de 48 V Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas
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HEXFET® Power MOSFET Descripción: Los MOSFET® POWER de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia hacia adelante extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo conocido por los MOSFET HEXFET, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una variedad de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un marco de plomo personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de múltiples troqueles, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento IDEAL. Estas mejoras permiten utilizar múltiples bloques de construcción en una aplicación con un espacio de tablero dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o de onda. En una aplicación de montaje de PCB típica, es posible una disipación de potencia de más de 0,8 W. Características: • Tecnología de generación V. • Ultra-bajo en resistencia • N-canal MOSFET • Montaje superficial • Disponible como cinta y carrete • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido • Sin plomo
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características • Tecnología de la generación V. • Resistencia en marcha extremadamente baja • Montaje en superficie • sin plomo • totalmente avalancha
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Chasis MOSFET de potencia MOSFET SO-8 de canal único N de 20 V. Características: - Compatible con RoHS • RDS(on) bajo • Calidad líder del sector • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido • Totalmente apto para viento • Temperatura de funcionamiento 175 °C.
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una pérdida de potencia de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la Industria.
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MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia mediante silicon area. Las características adicionales de este diseño son a 175 °C temperatura de funcionamiento de la junta, velocidad de conmutación rápida y calificación crediticia de valor repetitivo mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Sistemas de MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET® están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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La tecnología HEXFET es la clave de la gama avanzada de transistores MOSFET de potencia de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento exclusivo del diseño HEXFET garantizan una resistencia de paso muy baja, junto con una gran transconductancia y una resistencia extrema del dispositivo. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Se ha evaluado la salida repetida de avalanchas • Cambio rápido • Requisitos de tracción sencillos • Conexión en paralelo sencilla
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología de generación V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N. Montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo
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IRF7341PbF, HEXFET® Power MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que se conocen los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un marco de plomo personalizado para mejorar las propiedades térmicas y aumentar la capacidad de recarga, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento IDEAL. Estas mejoras permiten utilizar múltiples componentes en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de soldadura por fase de vapor, infrarrojos o por ola. Una pérdida de potencia de más de 0,8 W es posible en una aplicación de montaje de PCB típica. Características • Tecnología de generación V. • Ultra bajo EN resistencia • Doble N-canal MOSFET • Montaje superficial • Disponible en cinta y carrete • Valor dinámico dv/dt • Cambio rápido
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MOSFET de potencia HEXFET Características Impedancia de puerta baja RDS(on) muy bajo con VGS de 10 V. Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones MOSFET síncrono para el rendimiento del procesador de portátiles MOSFET de rectificador síncrono para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Interruptor de carga Conversión CC/CC Beneficios Carga de puerta baja y RDS bajo (ON) Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente VGS máx. 20 V Clasificación puerta Prueba al 100% para RG Sin plomo (flujo de reflujo de hasta 260 °C cualificado) Compatible con RoHS (libre de halógenos) Descripción The IRF8313PBF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. El IRF8313PBF ha sido optimizado para los parámetros que se encuentran La operación de ángulo crítico en la sincronización incluye RDS(on) y la carga de puerta para reducir ambas conducciones y activar la conmutación. La reducción total de pérdidas hace que este producto sea ideal para los convertidores dc-dc de alta eficiencia que pueden ser la última generación de procesadores para portátiles y aplicaciones Netcom.
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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SIPMOS® Transistor de Señal Pequeña Características • Canal P • Modo de mejora • Nivel normal • Avalancha clasificada • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente ° Libre de halógenos según IEC61249_2_21 ° Calificado según AEC Q101
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Transistor MOSFET N-CH 55 V 75 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB
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600 V, 6 a IGBT Discrete con control de retroceso diodo 2 en la carcasa SOT-223 RC acciona discretamente 2 600 V, 6 a IGBT en la carcasa PG- SOT-223. El RC-D2 con el diodo integrado monolítico ofrece mejoras en el rendimiento, la capacidad de control y la fiabilidad en comparación con el RC-DF. Resumen de las características Mayor capacidad de control Rango de funcionamiento de 1 a 20 kHz Diseño resistente a la humedad Temperatura máxima de la capa de cierre 150 °C. Resistencia a cortocircuitos de 3 micros Distribución de parámetros muy estrecha Chapado de plomo sin PB, compatible con RoHS Gama completa de productos y modelos SPICE Ventajas Pequeñas pérdidas de cambio con un precio competitivo Mayor capacidad de control Mayor resistencia a la humedad Diseño sencillo en productos: Sustitución de montaje superficial en DPAK y SOT-223 Gran capacidad de implementación del sistema Permite la inversión de aplicaciones de dispositivos pequeños con SOT-223 Aplicaciones Ventiladores de techo: Soluciones de control y accionamiento del motor Campana extractora Refrigeradores y congeladores - accionamientos para compresores Climatización residencial Lavadoras
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IRFS7730-7PPbF, StrongIRFET™ Ventajas: • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body • Sin plomo, compatible con RoHS Aplicaciones: • Aplicaciones para accionamientos de motor con escobillas • Aplicaciones de accionamiento del motor BLDC • Circuitos accionados por batería • Topologías de puente completo y semipuente • Aplicaciones de rectificadores síncronos • Alimentación en modo de resonancia • Disyuntores redundantes y OR-ing • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Topología invertida PWM Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de lastre electrónico aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo Libre de halógenos
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MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Aplicaciones para accionamientos de motor con escobillas Aplicaciones para accionamientos de motor BLDC Circuitos accionados por batería Topologías de puente completo y semipuente Aplicaciones de rectificadores síncronos Alimentación en modo de resonancia Disyuntores redundantes y OR-ing Convertidores dc/dc y ac/dc Inversor de CC/CA
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MPN: irfs3006trl7pp
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones DC motor Drive Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Optimizado para accionamiento de nivel lógico Muy bajo RDS(ON) en 4.5V VGS Superior R*Q at 4.5V VGS Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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MPN: irfs3004trl7pp
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfs7530trl7pp
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Brand: Infineon
MPN: irls3036trl7pp
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones DC motor Drive Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Sin plomo Beneficios Optimizado para accionamiento de nivel lógico Muy bajo RDS(ON) en 4.5V VGS Superior R*Q at 4.5V VGS Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: isp452
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Disyuntor del lado de la red con FET de potencia vertical integrado que proporciona protección y funciones de diagnóstico integradas. Características especiales • Protección contra cortocircuitos • Protección de entrada • Protección contra sobretemperatura con histéresis • Protección contra sobrecarga • Protección contra sobretensiones • Carga inductiva conmutable • Limitación de la tensión de salida negativa con cargas inductivas • Desconexión por tensión insuficiente Corriente máxima limitada internamente
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Brand: Infineon
MPN: ipp65r125c7xksa1
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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