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Brand: Infineon
MPN: idw24g65c5b
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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10.37 EUR
Infineon Idw24g65c5b - Diodo Schottky Doble Sic, 650v, 24a (2x12), To247
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: idw24g65c5b
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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2
Brand: Infineon
MPN: idw10g120c5b
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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6.09 EUR
Infineon Idw10g120c5b - Diodo Schottky Doble Sic, 1200v, 10a (2x5), To247
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Brand: Infineon
MPN: idw10g120c5b
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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Brand: Infineon
MPN: idw15g120c5bfksa1
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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10.58 EUR
Infineon Idw15g120c5b - Diodo Schottky Doble Sic, 1200v, 15a (2x7.5), To247
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MPN: idw15g120c5bfksa1
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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Brand: Infineon
MPN: idw20g120c5b
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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7.68 EUR
Infineon Idw20g120c5b - Diodo Schottky Doble Sic, 1200v, 20a (2x10), To247
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Brand: Infineon
MPN: idw20g120c5b
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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6.61 EUR
Infineon Idw20g65c5b - Diodo Schottky Doble Sic, 650v, 20a (2x10), To247
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Brand: Infineon
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5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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Brand: Infineon
MPN: idw40g120c5b
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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15.15 EUR
Infineon Idw40g120c5b - Diodo Schottky Doble De Sic, 1200 V, 40 A (2x20 A), To-247
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: idw40g120c5b
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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Brand: Infineon
MPN: fm16w08sg
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
16 Kbit (2 Kx8) serie (SPI) F-RAM, 5V, 20MHz SO8 El FM25C160B es una memoria no volátil de 16 Kbit con un proceso ferroeléctrico avanzado. La memoria de acceso aleatorio o la memoria F-RAM son no volátiles y se realiza y se introducen en una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complexities, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad del nivel de sistema que se han generado mediante flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles.
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9.3 EUR
Infineon Fm16w08-sg - Fram, 16 Kb (2 K X 8), 4,5 ... 5,5 V, So-8
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Brand: Infineon
MPN: fm16w08sg
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
16 Kbit (2 Kx8) serie (SPI) F-RAM, 5V, 20MHz SO8 El FM25C160B es una memoria no volátil de 16 Kbit con un proceso ferroeléctrico avanzado. La memoria de acceso aleatorio o la memoria F-RAM son no volátiles y se realiza y se introducen en una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complexities, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad del nivel de sistema que se han generado mediante flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles.
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