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Brand: Infineon
MPN: cy8c4245axi483
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

• CPU ARM Cortex-M0 de 32 bits • Tensión de alimentación de CPU 1,71...5,5V • Rango de temperatura -40...+85 °C.
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: ipa60r180c7xksa1
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MOSFET de potencia 600V COOL MOS C7 CoolMOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para los MOSFET de alta tensión, desarrollada según el principio de superUnión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Características Adecuado para cambios duros y blandos (PFC y LLC de alto rendimiento) Mayor resistencia MOSFET dv/dt hasta 120V/ns Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/vivienda de clase Aplicaciones Niveles de PFC y niveles de PWM (TTF, LLC) para SMPS de alto rendimiento/rendimiento, por ejemplo, para ordenadores, servidores, telecomunicaciones, UPS y solar.
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, LCD y PDP TV,
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Características Mayor resistencia MOSFET dv/dt Mejor eficiencia gracias a la mejor clasificación de FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/chasis de clase Uso/control sencillo mediante el pin de la fuente del controlador para un mejor control de la puerta Revestimiento sin PB, masa de conformación sin halógenos Apto para aplicaciones industriales según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Niveles PFC y niveles PWM de conmutación dura para, por ejemplo, ordenadores, servidores, telecomunicaciones, SAI y Solar.
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 - Ánodo 1 - Pin 2 y atrás - Cátodo - Clavija 3 - Ánodo 2
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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MPN: idh16g65c5
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5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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MPN: idd09sg60cxtma1
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Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - alta resistencia a la corriente de choque - Certificado JEDEC Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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MPN: idh16g120c5
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 y atrás - Cátodo - Pin 2 - Ánodo
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MPN: idk09g65c5xtma1
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Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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Brand: Infineon
MPN: idh20g65c5
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5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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MPN: idd05sg60cxtma2
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Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - alta resistencia a la corriente de choque - Certificado JEDEC Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - alta resistencia a la corriente de choque - Certificado JEDEC Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - alta resistencia a la corriente de choque - Certificado JEDEC Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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MPN: idh04sg60c
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thinQ!tm tercera generación de diodo SiC Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente rendimiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 20mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura thinQ! Diodo 3G, desarrollado para aplicaciones de conmutación rápida cómo: - SMPS por ejemplo; CCM PFC - Accionamientos de motor; Aplicaciones solares; UPS
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MPN: spp11n60c3
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Autobloqueo Baja resistencia de encendido Bajas pérdidas de conmutación
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5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida
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CoolSiCTM SiC Diodo Schottky Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - no hay flujo de recuperación inversa / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - baja tensión de avance incluso a altas temperaturas de funcionamiento - excelente conductividad térmica - capacidad de corriente de sobretensión ampliada - robustez dv/dt especificada - calificado según JEDEC - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - Tamaño del sistema / ahorro de costes gracias a la reducción de los requisitos del disipador de calor y a los campos magnéticos más pequeños - IME reducido - máxima eficiencia en todo el rango de carga - funcionamiento robusto de los diodos durante los eventos de sobretensión - alta fiabilidad - Otros enlaces: www.infineon.com/sic Aplicaciones - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida - Accionamientos de motor - Corrección del factor de potencia Definiciones de los pines de los paquetes - Pin 1 y atrás - Cátodo - Pin 2 - Ánodo
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