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1 
Brand: Infineon
MPN: irfr3411trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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0.79 EUR
Infineon Irfr3411trpbf - Mosfet, N-ch 100v 32a 0,044r, To-252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr3411trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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2 
Brand: Infineon
MPN: irlz24nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Montaje en superficie (IRLZ24NS) Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos de conmutación rápida que permite a los MOSFET de potencia HEXFET si se conoce bien, proporcione a los diseñadores un punto extremo dispositivo eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Infineon Irlz24nspbf - Mosfet N-logl, 55v 18a 0,06r, D²pak
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Brand: Infineon
MPN: irlz24nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Montaje en superficie (IRLZ24NS) Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos de conmutación rápida que permite a los MOSFET de potencia HEXFET si se conoce bien, proporcione a los diseñadores un punto extremo dispositivo eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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3 
Brand: Infineon
MPN: irfz46npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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0.65 EUR
Infineon Irfz 46n - Mosfet, N-ch 55v 46a 107w, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irfz46npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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4 
Brand: Infineon
MPN: irlu2905pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR2905) • Línea recta (IRLU2905) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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1.17 EUR
Infineon Irlu 2905 - Mosfet, N-ch 55v 42a 110w, To-251aa
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Brand: Infineon
MPN: irlu2905pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR2905) • Línea recta (IRLU2905) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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5
Brand: Infineon
MPN: irfr3910trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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0.67 EUR
Infineon Irfr3910pbf - Mosfet N-ch 100v 16a 0,115r To252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr3910trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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6 
Brand: Infineon
MPN: irfz44epbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irfz44epbf - Mosfet N-ch 60v 48a 110w 0,023r To220ab
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Brand: Infineon
MPN: irfz44epbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfp260npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFP260NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier/Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que un mayor rendimiento impide el uso de componentes TO-220. La carcasa TO-247 es similar a la carcasa TO-218 anterior, pero es superior gracias a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Clasificación completa de Avalancha • Paralelización simple • Requisitos de accionamiento sencillos • Sin plomo
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1.93 EUR
Infineon Irfp 260n - Mosfet, N-ch 200v 50a 0,04r, To-247ac
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Brand: Infineon
MPN: irfp260npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFP260NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier/Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que un mayor rendimiento impide el uso de componentes TO-220. La carcasa TO-247 es similar a la carcasa TO-218 anterior, pero es superior gracias a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Clasificación completa de Avalancha • Paralelización simple • Requisitos de accionamiento sencillos • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irlu3410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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0.81 EUR
Infineon Irlu 3410 - Mosfet, N-ch 100v 17a 79w, To-251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlu3410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf3415pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 se convierte generalmente en una pérdida de potencia para todas las aplicaciones comerciales e industriales. De hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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1.53 EUR
Infineon Irf 3415 - Mosfet, N-ch 150v 43a 0,042r 200w, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irf3415pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 se convierte generalmente en una pérdida de potencia para todas las aplicaciones comerciales e industriales. De hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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Brand: Infineon
MPN: irf3710spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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1.17 EUR
Infineon Irf 3710s - Mosfet, N-ch 100v 57a 0,023r, D2-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3710spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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Brand: Infineon
MPN: irf7205pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un cuadro de alimentación personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de doble acción, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Una pérdida de potencia superior a 0,8 W es posible en una aplicación de montaje PDB típica. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • MOSFET de canal doble N • Montaje en superficie • Disponible en cinta y reel • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido
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0.36 EUR
Infineon Irf 7205 - Mosfet, P-ch, 30v 4,6a 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7205pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un cuadro de alimentación personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de doble acción, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Una pérdida de potencia superior a 0,8 W es posible en una aplicación de montaje PDB típica. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • MOSFET de canal doble N • Montaje en superficie • Disponible en cinta y reel • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido
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Brand: Infineon
MPN: irfr120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Resistencia de paso extremadamente baja • Montaje en superficie (IRFR024N) • Conector recto (IRFU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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0.76 EUR
Infineon Irfr 120n - Mosfet, N-ch 100v 9,4a 48w, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Resistencia de paso extremadamente baja • Montaje en superficie (IRFR024N) • Conector recto (IRFU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr2407trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free
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0.97 EUR
Infineon Irfr2407pbf - Mosfet N-ch 75v 42a 0,026r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr2407trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free
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Brand: Infineon
MPN: irf5305strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Se ha restado completamente la avalancha Sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irf5305spbf - Mosfet P-ch, -55v -31a 0,06r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf5305strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Se ha restado completamente la avalancha Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf2804strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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2.24 EUR
Infineon Irf2804spbf - Mosfet N-ch 40v 75a 0,002r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2804strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr3710ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Opciones de paquete múltiple Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Las características adicionales de este diseño son a 175 °C temperatura de funcionamiento de la junta, velocidad de conmutación rápida y calificación crediticia de valor repetitivo mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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- Infineon -
1.17 EUR
Infineon Irfr3710zpbf - Mosfet N-ch 100v 42a 0,018r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr3710ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Opciones de paquete múltiple Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Las características adicionales de este diseño son a 175 °C temperatura de funcionamiento de la junta, velocidad de conmutación rápida y calificación crediticia de valor repetitivo mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irlr120ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje en superficie (IRLR120N) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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0.47 EUR
Infineon Irlr120npbf - Mosfet N-logl, 100v 10a 0,185r, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr120ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje en superficie (IRLR120N) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf7401pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Chasis MOSFET de potencia MOSFET SO-8 de canal único N de 20 V. Características: - Compatible con RoHS • RDS(on) bajo • Calidad líder del sector • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido • Totalmente apto para viento • Temperatura de funcionamiento 175 °C.
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- Infineon -
0.65 EUR
Infineon Irf 7401 - Mosfet, N-ch 20v 8,7a 0,022r, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7401pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Chasis MOSFET de potencia MOSFET SO-8 de canal único N de 20 V. Características: - Compatible con RoHS • RDS(on) bajo • Calidad líder del sector • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido • Totalmente apto para viento • Temperatura de funcionamiento 175 °C.
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Brand: Infineon
MPN: idk09g65c5xtma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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3.66 EUR
Infineon Idk09g65c5 - Diodo Schottky Smd-sic 650v, 9a, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: idk09g65c5xtma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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Brand: Infineon
MPN: bat60ae6327htsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diodos Schottky / diodos de operador activo Se ha optimizado para un cambio rápido Caída de tensión baja en dirección de paso
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0.22 EUR
Infineon Bat60ae6327h - Smd Schottky, 10v, 3a, Sod323
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: bat60ae6327htsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diodos Schottky / diodos de operador activo Se ha optimizado para un cambio rápido Caída de tensión baja en dirección de paso
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Brand: Infineon
MPN: irlr2705trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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0.43 EUR
Infineon Irlr2705pbf - Mosfet N-logl 55v 28a 0,04r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr2705trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: idk06g65c5xtma2
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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1.27 EUR
Infineon Idk06g65c5 - Diodo Schottky Sic Smd 650v, 6a, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: idk06g65c5xtma2
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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Brand: Infineon
MPN: ikw50n65h5fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IKW50N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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6.3 EUR
Infineon Ikw50n65h5 - Transistor Igbt, N-ch, 650v, 80a, 305w, To-247-3
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ikw50n65h5fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IKW50N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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Brand: Infineon
MPN: irl2505strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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- Infineon -
4.58 EUR
Infineon Irl2505spbf - Mosfet N-logl 55v 104a 0,008r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irl2505strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irl3705zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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1.32 EUR
Infineon Irl3705zspbf - Mosfet N-logl 55v 75a 0,008r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irl3705zstrlpbf
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HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irl540nstrlpbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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1.17 EUR
Infineon Irl540nspbf - Mosfet N-logl 100v 36a 0,044r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irl540nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf7416pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
-30V un canal P HEXFET MOSFET de potencia en la carcasa SO-8 Ventajas: Compatible con RoHS RDS(on) bajo Calidad líder del sector Evaluación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente apto para viento Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p.
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- Infineon -
0.72 EUR
Infineon Irf 7416 - Mosfet, P-ch, 30v 10a 0,02r 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7416pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
-30V un canal P HEXFET MOSFET de potencia en la carcasa SO-8 Ventajas: Compatible con RoHS RDS(on) bajo Calidad líder del sector Evaluación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente apto para viento Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p.
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r041c6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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21.35 EUR
Infineon Ipw60r041c6fksa1 - Mosfet, N-ch 600v 77,5a 0,041r, To-247
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipw60r041c6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r041p6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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- Infineon -
15.86 EUR
Infineon Ipw60r041p6fksa1 - Mosfet, N-ch 600v 77,5a 0,041r, To-247
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MPN: ipw60r041p6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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Brand: Infineon
MPN: irlr110pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-PAK es para montaje superficial con fases de vapor, infrarrojos o Técnicas de soldadura por ola. La versión de conector recto (serie IRFU) es para Aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • RDS(on) especificado en VGS=4V & %V.
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- Infineon -
0.51 EUR
Infineon Irlr 110 - Mosfet, N-ch 100v 4,3a 25w, To-252
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr110pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-PAK es para montaje superficial con fases de vapor, infrarrojos o Técnicas de soldadura por ola. La versión de conector recto (serie IRFU) es para Aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • RDS(on) especificado en VGS=4V & %V.
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- Bosch -
76.65 EUR
Bosch S. Of. Batería 2,5ah Bosch P4a 5001518 Rapid
electropolis.es
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52.49 EUR
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- Columbia -
29.99 EUR
Columbia Rapid Ridge Camiseta Montaa Manga Corta Hombre Blanco Male
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- Columbia -
29.99 EUR
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70.83 EUR
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61.59 EUR
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- Columbia -
29.99 EUR
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- Columbia -
20.99 EUR
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- Columbia -
30.09 EUR
Columbia Rapid Rivers Camisa Montaa Manga Corta Hombre Verde Male
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- Rapid -
38.56 EUR
Rapid 10bx Grapadora Eléctrica 10 Hojas Grapado Permanente
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- Rapid -
13.70 EUR
Rapid Grapas Strong Electric 44/7 Galvanizadas -caja De 5000-
electropolis.es
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- Rapid -
16.20 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x8mm - Alto Rendimiento 5001432 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
6.15 EUR
Rapid Blister 50 Remaches ø4.8x10mm. Alu + Broca 5000387 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
16.67 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x12mm - Alto Rendimiento 5001434 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
6.68 EUR
Rapid Blister 50 Remaches ø4.8x12mm. Alu + Broca 5000388 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
16.43 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x10mm - Alto Rendimiento 5001433 Rapid
electropolis.es
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- High Peak -
102.90 EUR
High Peak Rapid Beach 80, 10139, Tienda De Campaa Red Female
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119.94 EUR
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Impresoras3d -
20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Negro 1,75 Mm
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Transporte: 0.00 EUR
Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Impresoras3d -
20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Blanco 1,75 Mm
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Transporte: 0.00 EUR
Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Impresoras3d -
20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Gris 1,75 Mm
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Transporte: 0.00 EUR
Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Columbia -
30.00 EUR
Columbia Para Hombre. Camiseta Rapid Ridge Ii Blanco Male
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- Columbia -
30.00 EUR
Columbia Para Hombre. Camiseta Rapid Ridge Negro Male
esdemarca.com
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- Sensodyne -
4.46 EUR
Sensodyne Rapid Fresh Mint 75 Ml Male
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