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Brand: Infineon
MPN: ikb06n60tatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 6 A IGBT Discreto con diodo antiparalelo en caja TO263 El IGBT3 TRENCHSTOP™ de conmutación dura de 600 V y 6 A, que se combina con un diodo antiparalelo completo en una carcasa TO263 D2Pak, supone una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del componente gracias a la combinación del concepto de celda de zanja y fieldstop. La combinación de IGBT y diodo controlado por emisor con rearme suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. La mayor eficiencia se consigue mediante el mejor compromiso entre pérdidas de conmutación y de conducción. Resumen de características Menor caída de VCEsat para reducir las pérdidas por conducción Bajas pérdidas por conmutación Fácil puesta en paralelo gracias al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat Diodo controlado por emisor antiparalelo muy suave y de rápida recuperación Alta resistencia, comportamiento estable a la temperatura Bajas emisiones EMI Baja carga de puerta Distribución de parámetros muy estrecha Ventajas Máxima eficiencia: bajas pérdidas de línea y de conmutación Amplia gama de productos en 600 V y 1200 V para una mayor flexibilidad de diseño Alta fiabilidad de los dispositivos
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- Infineon -
1.42 EUR
Infineon Ikb06n60t - Transistor Igbt, 600 V, 6 A, 88 W, D2pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ikb06n60tatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 6 A IGBT Discreto con diodo antiparalelo en caja TO263 El IGBT3 TRENCHSTOP™ de conmutación dura de 600 V y 6 A, que se combina con un diodo antiparalelo completo en una carcasa TO263 D2Pak, supone una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del componente gracias a la combinación del concepto de celda de zanja y fieldstop. La combinación de IGBT y diodo controlado por emisor con rearme suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. La mayor eficiencia se consigue mediante el mejor compromiso entre pérdidas de conmutación y de conducción. Resumen de características Menor caída de VCEsat para reducir las pérdidas por conducción Bajas pérdidas por conmutación Fácil puesta en paralelo gracias al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat Diodo controlado por emisor antiparalelo muy suave y de rápida recuperación Alta resistencia, comportamiento estable a la temperatura Bajas emisiones EMI Baja carga de puerta Distribución de parámetros muy estrecha Ventajas Máxima eficiencia: bajas pérdidas de línea y de conmutación Amplia gama de productos en 600 V y 1200 V para una mayor flexibilidad de diseño Alta fiabilidad de los dispositivos
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Brand: Infineon
MPN: igb15n60tatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La pantalla táctil de 600 V, 15 a, única TRENCHSTOP™ IGBT3 en el chasis TO263 D2Paks, gracias a la combinación de los conceptos de celda de separación y de parada de campo, produce una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del componente. La máxima eficiencia se consigue mediante el mejor compromiso entre pérdidas de conmutación y de línea. Resumen de las características Residuos de VC más bajos de la red de distribución de la red de distribución de la red de distribución de la red Pequeñas pérdidas de cambio Fácil conexión en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat Alta resistencia, comportamiento estable a la temperatura Bajas emisiones de EMI Carga de puerta baja Distribución de parámetros muy estrecha Ventajas Máxima eficiencia: Pérdidas reducidas de cables y cambios de marcha Amplia gama de 600 V y 1200 V para una mayor flexibilidad de diseño Alta fiabilidad de los dispositivos
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- Infineon -
1.83 EUR
Infineon Igb15n60t - Transistor Igbt, 600, V, 15, A, 130, W, D2pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: igb15n60tatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La pantalla táctil de 600 V, 15 a, única TRENCHSTOP™ IGBT3 en el chasis TO263 D2Paks, gracias a la combinación de los conceptos de celda de separación y de parada de campo, produce una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del componente. La máxima eficiencia se consigue mediante el mejor compromiso entre pérdidas de conmutación y de línea. Resumen de las características Residuos de VC más bajos de la red de distribución de la red de distribución de la red de distribución de la red Pequeñas pérdidas de cambio Fácil conexión en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat Alta resistencia, comportamiento estable a la temperatura Bajas emisiones de EMI Carga de puerta baja Distribución de parámetros muy estrecha Ventajas Máxima eficiencia: Pérdidas reducidas de cables y cambios de marcha Amplia gama de 600 V y 1200 V para una mayor flexibilidad de diseño Alta fiabilidad de los dispositivos
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Brand: Infineon
MPN: igb10n60tatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
The hard-switching 600 V, 10 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete in the TO263 D2Pak package leads to a significant improvement in the static and dynamic performance of the component thanks to the combination of the trench cell and fieldstop concept. The highest efficiency is achieved through the best compromise between switching and conduction losses. Summary of features Lowest VCEsat drop for lower conduction losses Low switching losses Easy to connect in parallel due to the positive temperature coefficient in VCEsat High resistance, temperature-stable behavior Low EMI emissions Low gate charge Very narrow parameter distribution Advantages Highest efficiency - low line and switching losses Comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for design flexibility High reliability of the devices
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- Infineon -
1.53 EUR
Infineon Igb10n60t - Transistor Igbt, 600 V, 10 A, 110 W, D2pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: igb10n60tatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
The hard-switching 600 V, 10 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete in the TO263 D2Pak package leads to a significant improvement in the static and dynamic performance of the component thanks to the combination of the trench cell and fieldstop concept. The highest efficiency is achieved through the best compromise between switching and conduction losses. Summary of features Lowest VCEsat drop for lower conduction losses Low switching losses Easy to connect in parallel due to the positive temperature coefficient in VCEsat High resistance, temperature-stable behavior Low EMI emissions Low gate charge Very narrow parameter distribution Advantages Highest efficiency - low line and switching losses Comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for design flexibility High reliability of the devices
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2812.32 EUR
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Brand: Wakkap
- Wakkap -
24.90 EUR
Wakkap Concept Destruction Male
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Brand: Wakkap
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Brand: Toyplanet
EAN: 5425016922668
Categoría: Categoría > Juegos de Mesa
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- Toyplanet -
31.99 EUR
Toyplanet Juego Concept
toyplanet.com
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Brand: Toyplanet
EAN: 5425016922668
Categoría: Categoría > Juegos de Mesa
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468.00 EUR
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456.00 EUR
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468.00 EUR
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Hilding Das Sin Iva Colchon Green Concept 150x200 Muelle Ensacado Red Female
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