| Ofertas Ruedas Para Coche
1 
Brand: Infineon
MPN: ikd10n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 10 A IGBT discreto con control dirigido inverso de 2 diodos en carcasa TO-252 RC-Drive 2 600 V, 10 A IGBT discreto en carcasa PG-TO252-3. El RC-D2 con el diodo integrado monolíticamente ofrece mejoras en rendimiento, controlabilidad y fiabilidad en comparación con el RC-DF. Resumen de características Controlabilidad mejorada Rango de funcionamiento de hasta 20 kHz Diseño resistente a la humedad Resistencia al cortocircuito 3 us a 400 Vcc , TC = 150 °C Temperatura de unión 175 °C Distribución de parámetros muy estrecha Revestimiento de plomo sin Pb, conforme a RoHs Gama completa de productos y modelos SPICE Ventajas Bajas pérdidas de conmutación a un precio competitivo Controlabilidad mejorada Humedad Robustez mejorada Diseño sencillo de los productos: sustitución directa SMD en DPAK y SOT Alta realizabilidad del sistema Permite invertir aplicaciones de pequeños electrodomésticos con SOT aplicaciones Campana extractora Electrodomésticos Frigoríficos y congeladores - Accionamientos de compresores Aire acondicionado doméstico Aparatos de cocina de sobremesa - Procesadores de alimentos, batidoras y licuadoras
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Ikd10n60rc2 - Transistor Igbt, 600, V, 10, A, 79, W, To-252
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ikd10n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 10 A IGBT discreto con control dirigido inverso de 2 diodos en carcasa TO-252 RC-Drive 2 600 V, 10 A IGBT discreto en carcasa PG-TO252-3. El RC-D2 con el diodo integrado monolíticamente ofrece mejoras en rendimiento, controlabilidad y fiabilidad en comparación con el RC-DF. Resumen de características Controlabilidad mejorada Rango de funcionamiento de hasta 20 kHz Diseño resistente a la humedad Resistencia al cortocircuito 3 us a 400 Vcc , TC = 150 °C Temperatura de unión 175 °C Distribución de parámetros muy estrecha Revestimiento de plomo sin Pb, conforme a RoHs Gama completa de productos y modelos SPICE Ventajas Bajas pérdidas de conmutación a un precio competitivo Controlabilidad mejorada Humedad Robustez mejorada Diseño sencillo de los productos: sustitución directa SMD en DPAK y SOT Alta realizabilidad del sistema Permite invertir aplicaciones de pequeños electrodomésticos con SOT aplicaciones Campana extractora Electrodomésticos Frigoríficos y congeladores - Accionamientos de compresores Aire acondicionado doméstico Aparatos de cocina de sobremesa - Procesadores de alimentos, batidoras y licuadoras
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2 
Brand: Infineon
MPN: ikw40n120t2fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
DuoPack de baja pérdida : IGBT en TrenchStop® de 2a generación Con diodo controlado de emisor suave y rápido de recuperación en paralelo Mejor de su clase TO247 Posibilidad de conexión en paralelo sencilla gracias a los coeficientes de temperatura positivos en VCE(sat) EMI baja Carga de puerta baja Diodo HEDIDO controlado por emisor, muy suave y de recuperación rápida TrenchStopR de 2.a generación para aplicaciones de 1200 V. Una distribución de parámetros muy estrecha Gran robustez, comportamiento estable a la temperatura Diseñado para Convertidor de frecuencia Sistema de alimentación ininterrumpida
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6.2 EUR
Infineon Ikw40n120t2fks - Transistor Igbt, 1200 V, 75 A, 480w, To-247
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ikw40n120t2fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
DuoPack de baja pérdida : IGBT en TrenchStop® de 2a generación Con diodo controlado de emisor suave y rápido de recuperación en paralelo Mejor de su clase TO247 Posibilidad de conexión en paralelo sencilla gracias a los coeficientes de temperatura positivos en VCE(sat) EMI baja Carga de puerta baja Diodo HEDIDO controlado por emisor, muy suave y de recuperación rápida TrenchStopR de 2.a generación para aplicaciones de 1200 V. Una distribución de parámetros muy estrecha Gran robustez, comportamiento estable a la temperatura Diseñado para Convertidor de frecuencia Sistema de alimentación ininterrumpida
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3 
Brand: Infineon
MPN: ikn03n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 1 a IGBT Discrete con control de marcha atrás 2 diodo en la carcasa SOT-223 RC Drives 2 600 V, 1 a IGBT Discrete en carcasa PG- SOT-223. El RC-D2 con el diodo monolítico integrado ofrece mejoras en el rendimiento, la capacidad de control y la fiabilidad frente al RC-DF. Resumen de las características Control mejorado Rango de funcionamiento de 1 a 20 kHz Diseño resistente a la humedad Temperatura máxima de la capa de cierre 150 °C. Resistencia a cortocircuitos de 3 micros Distribución de parámetros muy estrecha Chapado de plomo sin PB, compatible con RoHS Gama completa de productos y modelos SPICE Ventajas Pequeñas pérdidas de cambio a un precio competitivo Mayor capacidad de control Mayor resistencia a la humedad Diseño sencillo en productos: Sustitución de montaje superficial en DPAK y SOT-223 Gran capacidad de implementación del sistema Permite la inversión de aplicaciones de dispositivos pequeños con SOT-223 Aplicaciones Ventiladores de techo - soluciones de control del motor y accionamiento Climatización de edificios residenciales: Inteligente (IoT) y refrigeración eficiente
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- Infineon -
0.61 EUR
Infineon Ikn03n60rc2 - Transistor Igbt, 600 V, 3 A, 6,3 W, Sot-223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ikn03n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 1 a IGBT Discrete con control de marcha atrás 2 diodo en la carcasa SOT-223 RC Drives 2 600 V, 1 a IGBT Discrete en carcasa PG- SOT-223. El RC-D2 con el diodo monolítico integrado ofrece mejoras en el rendimiento, la capacidad de control y la fiabilidad frente al RC-DF. Resumen de las características Control mejorado Rango de funcionamiento de 1 a 20 kHz Diseño resistente a la humedad Temperatura máxima de la capa de cierre 150 °C. Resistencia a cortocircuitos de 3 micros Distribución de parámetros muy estrecha Chapado de plomo sin PB, compatible con RoHS Gama completa de productos y modelos SPICE Ventajas Pequeñas pérdidas de cambio a un precio competitivo Mayor capacidad de control Mayor resistencia a la humedad Diseño sencillo en productos: Sustitución de montaje superficial en DPAK y SOT-223 Gran capacidad de implementación del sistema Permite la inversión de aplicaciones de dispositivos pequeños con SOT-223 Aplicaciones Ventiladores de techo - soluciones de control del motor y accionamiento Climatización de edificios residenciales: Inteligente (IoT) y refrigeración eficiente
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4
Brand: Infineon
MPN: ikn06n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 6 a IGBT Discrete con control de retroceso diodo 2 en la carcasa SOT-223 RC acciona discretamente 2 600 V, 6 a IGBT en la carcasa PG- SOT-223. El RC-D2 con el diodo integrado monolítico ofrece mejoras en el rendimiento, la capacidad de control y la fiabilidad en comparación con el RC-DF. Resumen de las características Mayor capacidad de control Rango de funcionamiento de 1 a 20 kHz Diseño resistente a la humedad Temperatura máxima de la capa de cierre 150 °C. Resistencia a cortocircuitos de 3 micros Distribución de parámetros muy estrecha Chapado de plomo sin PB, compatible con RoHS Gama completa de productos y modelos SPICE Ventajas Pequeñas pérdidas de cambio con un precio competitivo Mayor capacidad de control Mayor resistencia a la humedad Diseño sencillo en productos: Sustitución de montaje superficial en DPAK y SOT-223 Gran capacidad de implementación del sistema Permite la inversión de aplicaciones de dispositivos pequeños con SOT-223 Aplicaciones Ventiladores de techo: Soluciones de control y accionamiento del motor Campana extractora Refrigeradores y congeladores - accionamientos para compresores Climatización residencial Lavadoras
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- Infineon -
0.84 EUR
Infineon Ikn06n60rc2 - Transistor Igbt, 600 V, 6 A, 7,2 W, Sot-223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ikn06n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 6 a IGBT Discrete con control de retroceso diodo 2 en la carcasa SOT-223 RC acciona discretamente 2 600 V, 6 a IGBT en la carcasa PG- SOT-223. El RC-D2 con el diodo integrado monolítico ofrece mejoras en el rendimiento, la capacidad de control y la fiabilidad en comparación con el RC-DF. Resumen de las características Mayor capacidad de control Rango de funcionamiento de 1 a 20 kHz Diseño resistente a la humedad Temperatura máxima de la capa de cierre 150 °C. Resistencia a cortocircuitos de 3 micros Distribución de parámetros muy estrecha Chapado de plomo sin PB, compatible con RoHS Gama completa de productos y modelos SPICE Ventajas Pequeñas pérdidas de cambio con un precio competitivo Mayor capacidad de control Mayor resistencia a la humedad Diseño sencillo en productos: Sustitución de montaje superficial en DPAK y SOT-223 Gran capacidad de implementación del sistema Permite la inversión de aplicaciones de dispositivos pequeños con SOT-223 Aplicaciones Ventiladores de techo: Soluciones de control y accionamiento del motor Campana extractora Refrigeradores y congeladores - accionamientos para compresores Climatización residencial Lavadoras
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5
Brand: Infineon
MPN: ikn04n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 4 a IGBT Discrete con control de retroceso diodo 2 en la carcasa SOT-223 RC acciona discretamente 2 600 V, 4 a IGBT en la carcasa PG- SOT-223. El RC-D2 con el diodo integrado monolítico ofrece mejoras en el rendimiento, la capacidad de control y la fiabilidad en comparación con el RC-DF. Resumen de las características Control mejorado Rango de funcionamiento de 1 a 20 kHz Diseño resistente a la humedad Temperatura máxima de la capa de cierre 150 °C. Resistencia a cortocircuitos de 3 micros Distribución de parámetros muy estrecha Chapado de plomo sin PB, compatible con RoHS Gama completa de productos y modelos SPICE Ventajas Pequeñas pérdidas de cambio a un precio competitivo Mayor capacidad de control Mayor resistencia a la humedad Diseño sencillo en productos: Sustitución de montaje superficial en DPAK y SOT-223 Gran capacidad de implementación del sistema Permite la inversión de aplicaciones de dispositivos pequeños con SOT-223 Aplicaciones Ventiladores de techo - soluciones de control del motor y accionamiento HVAC comercial Electrodomésticos Ventilador de la capota Refrigeración y congelación
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- Infineon -
0.7 EUR
Infineon Ikn04n60rc2 - Transistor Igbt, 600 V, 4 A, 6,8 W, Sot-223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ikn04n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 4 a IGBT Discrete con control de retroceso diodo 2 en la carcasa SOT-223 RC acciona discretamente 2 600 V, 4 a IGBT en la carcasa PG- SOT-223. El RC-D2 con el diodo integrado monolítico ofrece mejoras en el rendimiento, la capacidad de control y la fiabilidad en comparación con el RC-DF. Resumen de las características Control mejorado Rango de funcionamiento de 1 a 20 kHz Diseño resistente a la humedad Temperatura máxima de la capa de cierre 150 °C. Resistencia a cortocircuitos de 3 micros Distribución de parámetros muy estrecha Chapado de plomo sin PB, compatible con RoHS Gama completa de productos y modelos SPICE Ventajas Pequeñas pérdidas de cambio a un precio competitivo Mayor capacidad de control Mayor resistencia a la humedad Diseño sencillo en productos: Sustitución de montaje superficial en DPAK y SOT-223 Gran capacidad de implementación del sistema Permite la inversión de aplicaciones de dispositivos pequeños con SOT-223 Aplicaciones Ventiladores de techo - soluciones de control del motor y accionamiento HVAC comercial Electrodomésticos Ventilador de la capota Refrigeración y congelación
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6
Brand: Infineon
MPN: ikn01n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 1 A IGBT Discrete mit rückwärtsgerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 Gehäuse RC Drives 2 600 V, 1 A IGBT Discrete im PG- SOT-223 Gehäuse. Der RC-D2 mit der monolithisch integrierten Diode bietet gegenüber dem RC-DF Verbesserungen in der Leistung, Regelbarkeit und Zuverlässigkeit. Zusammenfassung der Merkmale Verbesserte Steuerbarkeit Betriebsbereich von 1 bis 20 kHz Feuchtigkeitsresistentes Design Maximale Sperrschichttemperatur 150°C Kurzschlussfestigkeit von 3 µs Sehr enge Parameterverteilung Pb-freie Bleiplattierung, RoHs-konform Vollständiges Produktspektrum und SPICE-Modelle Vorteile Geringe Schaltverluste zu einem wettbewerbsfähigen Preis Verbesserte Kontrollierbarkeit Verbesserte Robustheit bei Feuchtigkeit Einfaches Design in Produkten - Drop-in-SMD-Ersatz in DPAK und SOT-223 Hohe Systemrealisierbarkeit Ermöglicht die Inverterisierung von Small Appliance-Anwendungen mit SOT-223 Anwendungen Deckenventilatoren - Motorsteuerung und Antriebslösungen Klimatisierung von Wohngebäuden: Intelligente (IoT) und effiziente Kühlung
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- Infineon -
0.49 EUR
Infineon Ikn01n60rc2 - Transistor Igbt, 600 V, 1 A, 5,1 W, Sot-223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ikn01n60rc2atma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V, 1 A IGBT Discrete mit rückwärtsgerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 Gehäuse RC Drives 2 600 V, 1 A IGBT Discrete im PG- SOT-223 Gehäuse. Der RC-D2 mit der monolithisch integrierten Diode bietet gegenüber dem RC-DF Verbesserungen in der Leistung, Regelbarkeit und Zuverlässigkeit. Zusammenfassung der Merkmale Verbesserte Steuerbarkeit Betriebsbereich von 1 bis 20 kHz Feuchtigkeitsresistentes Design Maximale Sperrschichttemperatur 150°C Kurzschlussfestigkeit von 3 µs Sehr enge Parameterverteilung Pb-freie Bleiplattierung, RoHs-konform Vollständiges Produktspektrum und SPICE-Modelle Vorteile Geringe Schaltverluste zu einem wettbewerbsfähigen Preis Verbesserte Kontrollierbarkeit Verbesserte Robustheit bei Feuchtigkeit Einfaches Design in Produkten - Drop-in-SMD-Ersatz in DPAK und SOT-223 Hohe Systemrealisierbarkeit Ermöglicht die Inverterisierung von Small Appliance-Anwendungen mit SOT-223 Anwendungen Deckenventilatoren - Motorsteuerung und Antriebslösungen Klimatisierung von Wohngebäuden: Intelligente (IoT) und effiziente Kühlung
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Brand: Infineon
MPN: irfrc20pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Valor dv/dt dinámico • Evaluación repetitiva de avalanches • • • • •
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- Infineon -
0.63 EUR
Infineon Irfrc 20 - Mosfet, N-ch 600v 2a 42w, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfrc20pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Valor dv/dt dinámico • Evaluación repetitiva de avalanches • • • • •
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Brand: Infineon
MPN: irf820pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF820, MOSFET de potencia DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto de equipos, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad.el chasis TO-220AB es generalmente preferido para aplicaciones comerciales-industriales con potencias de pérdida de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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- Infineon -
0.56 EUR
Infineon Irf 820 - Mosfet, N-ch 500v 2,5a 3,0r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf820pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF820, MOSFET de potencia DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto de equipos, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad.el chasis TO-220AB es generalmente preferido para aplicaciones comerciales-industriales con potencias de pérdida de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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Brand: Infineon
MPN: irfr420pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt rating • avalancha repetitiva • montaje en superficie (IRFR420, SiHFR420) • plomo recto (IRFU420, SiHFU420) • Disponible en cinta y reel • conmutación rápida • Ease de paralelismos • categorización de materiales: Para definir el cumplimiento visite www.vishay.com/doc?99912
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- Infineon -
0.66 EUR
Infineon Irfr 420 - Mosfet, N-ch 500v 2,4a 42w, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr420pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt rating • avalancha repetitiva • montaje en superficie (IRFR420, SiHFR420) • plomo recto (IRFU420, SiHFU420) • Disponible en cinta y reel • conmutación rápida • Ease de paralelismos • categorización de materiales: Para definir el cumplimiento visite www.vishay.com/doc?99912
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Brand: Infineon
MPN: irf710pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF710, MOSFET de potencia Descripción: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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- Infineon -
0.61 EUR
Infineon Irf 710 - Mosfet, N-ch 400v 2a 3,6r, To-220ab
Reichelt.com
Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf710pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF710, MOSFET de potencia Descripción: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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11 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irlml2030trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema
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- Infineon -
0.2 EUR
Infineon Irlml 2030 - Mosfet, N-ch 30v 2,7a 0,08r, Sot-23
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlml2030trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema
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Brand: Infineon
MPN: irfd024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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- Infineon -
1.02 EUR
Infineon Irfd 024 - Mosfet, N-ch 60v 2,5a 1,3w, Hd-1
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfd024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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Brand: Infineon
MPN: irf7105pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N/P-CH 25 V 3,5A/2,3A SO-8
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- Infineon -
0.36 EUR
Infineon Irf 7105 - Mosfet, N+p-ch, 25v 2,3a 2w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7105pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N/P-CH 25 V 3,5A/2,3A SO-8
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14 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irfl014ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Sistemas de MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET® están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
0.45 EUR
Infineon Irfl014npbf - Mosfet N-ch 55v 2,7a 0,16r Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfl014ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Sistemas de MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET® están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irll2705pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 55 V 5,2A 4 clavijas (3+Tab) SOT-223
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
0.54 EUR
Infineon Irll 2705 - Mosfet, N-ch 55v 5,2a 2,1w, Sot-223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irll2705pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 55 V 5,2A 4 clavijas (3+Tab) SOT-223
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Brand: Infineon
MPN: irf9952pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N/P-CH 30 V 3,5A/2,3A SO-8
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- Infineon -
0.53 EUR
Infineon Irf 9952 - Mosfet, N+p-ch, 30v 2,3a 2w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf9952pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N/P-CH 30 V 3,5A/2,3A SO-8
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17 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irfbc40pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Este transistor de campo de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento, el transistor de efecto de campo de potencia es un MOSFET de potencia avanzado que se ha probado y garantiza que resiste una cantidad determinada de energía en modo de ruptura de campo de Avalon. Todos estos MOSFET de potencia son para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé controladores de relé y controladores para transistores bipolares de conmutación de alta potencia que requieren una alta velocidad y una baja potencia de controlador de puerta. Estos tipos pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
0.97 EUR
Infineon Irfbc 40 - Mosfet, N-ch 600v 6,2a 125w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfbc40pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Este transistor de campo de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento, el transistor de efecto de campo de potencia es un MOSFET de potencia avanzado que se ha probado y garantiza que resiste una cantidad determinada de energía en modo de ruptura de campo de Avalon. Todos estos MOSFET de potencia son para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé controladores de relé y controladores para transistores bipolares de conmutación de alta potencia que requieren una alta velocidad y una baja potencia de controlador de puerta. Estos tipos pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.
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Brand: Infineon
MPN: irfl4310trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Ease de paralelismos Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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0.41 EUR
Infineon Irfl4310pbf - Mosfet N-ch 100v 2,2a 0,2r, Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfl4310trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Ease de paralelismos Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
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Brand: Infineon
MPN: irll014ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
0.42 EUR
Infineon Irll014npbf - Mosfet N-logl 55v 2,8a 0,14r Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irll014ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irll014npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 55 V 2,8 A 4 clavijas (3+Tab) SOT-223
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0.6 EUR
Infineon Irll 014n - Mosfet, N-ch 55v 2,8a 2,1w, Sot-223
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Brand: Infineon
MPN: irll014npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 55 V 2,8 A 4 clavijas (3+Tab) SOT-223
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Brand: Infineon
MPN: irf7301pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 20 V 5,2A SO-8
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1.02 EUR
Infineon Irf 7301 - Mosfet, N-ch 20v 5,2a 0,05r 2w, So-8
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Brand: Infineon
MPN: irf7301pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 20 V 5,2A SO-8
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Brand: Infineon
MPN: bsp318sh6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor de señal Small-SiPos Características N-Channel modo de mejora Avalancha crated Nivel lógico dv/dt rated PB Free lead Plating; compatible con RoHS Clasificado según AEC Q101 Libre de halógenos según IEC61249221
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0.67 EUR
Infineon Bsp318s - Mosfet N-logl 60v 2,6a 0,09r Sot223
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Brand: Infineon
MPN: bsp318sh6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor de señal Small-SiPos Características N-Channel modo de mejora Avalancha crated Nivel lógico dv/dt rated PB Free lead Plating; compatible con RoHS Clasificado según AEC Q101 Libre de halógenos según IEC61249221
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Brand: Infineon
MPN: irlml2060trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema
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0.22 EUR
Infineon Irlml 2060 - Mosfet, N-ch 60v 1,2a 1,25w, Sot-23
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Brand: Infineon
MPN: irlml2060trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Aplicación: • Interruptor de carga/sistema
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Brand: Infineon
MPN: irf7470trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-Ch 40V. 10A. SO-8
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- Infineon -
0.41 EUR
Infineon Irf 7470 - Mosfet, N-ch 40v 10a 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7470trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-Ch 40V. 10A. SO-8
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Brand: Infineon
MPN: irlml2803pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Carcasa : SOT-23
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0.2 EUR
Infineon Irlml 2803 - Mosfet, N-ch 30v 1,2a 0,25r, Sot-23
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlml2803pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Carcasa : SOT-23
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Brand: Infineon
MPN: irll2705trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Ultra bajo en resistencia Montaje de superficie Ease de paralelismos Conmutación rápida Dynamic dv/dt Rating Sin plomo
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0.54 EUR
Infineon Irll2705pbf - Mosfet N-logl 55v 5,2a 0,04r Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irll2705trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Ultra bajo en resistencia Montaje de superficie Ease de paralelismos Conmutación rápida Dynamic dv/dt Rating Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfl4105trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción HEXFETs de Fifth Generation from International Rectifier utilize técnicas avanzadas de procesamiento para llegar a una resistencia extrema a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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0.61 EUR
Infineon Irfl4105pbf - Mosfet N-ch 55v 5,2a 0,045r Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfl4105trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción HEXFETs de Fifth Generation from International Rectifier utilize técnicas avanzadas de procesamiento para llegar a una resistencia extrema a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irf7832pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 30 V 20 A SO-8
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0.98 EUR
Infineon Irf 7832 - Mosfet, N-ch 30v 20a 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7832pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N-CH 30 V 20 A SO-8
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Brand: Infineon
MPN: irl540nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRL530NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRL540NS) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL540NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irl 540ns - Mosfet, N-ch 100v 36a 0,044r, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irl540nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRL530NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRL540NS) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL540NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r190p6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ P6 Power MOSFET Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Día PFC, día de conmutaci n de hardware PWM y día de conmutaci n de resonancia para, por ejemplo, PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, Telecom y UPS.
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2.95 EUR
Infineon Ipp60r190p6 - Mosfet N-ch 600v 20,2a 151w 0,19r To220
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MPN: ipp60r190p6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ P6 Power MOSFET Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Día PFC, día de conmutaci n de hardware PWM y día de conmutaci n de resonancia para, por ejemplo, PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, Telecom y UPS.
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Brand: Infineon
MPN: irf7343trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N/P-CH 55 V 4,7A/3,4A SO-8
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- Infineon -
0.67 EUR
Infineon Irf 7343 - Mosfet, N+p-ch, 55v 3,4a 2w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7343trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Transistor MOSFET N/P-CH 55 V 4,7A/3,4A SO-8
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Brand: Infineon
MPN: irf3710spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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1.17 EUR
Infineon Irf 3710s - Mosfet, N-ch 100v 57a 0,023r, D2-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3710spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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