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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Montaje en superficie (IRLZ24NS) Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos de conmutación rápida que permite a los MOSFET de potencia HEXFET si se conoce bien, proporcione a los diseñadores un punto extremo dispositivo eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR2905) • Línea recta (IRLU2905) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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IRFP260NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier/Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que un mayor rendimiento impide el uso de componentes TO-220. La carcasa TO-247 es similar a la carcasa TO-218 anterior, pero es superior gracias a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Clasificación completa de Avalancha • Paralelización simple • Requisitos de accionamiento sencillos • Sin plomo
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 se convierte generalmente en una pérdida de potencia para todas las aplicaciones comerciales e industriales. De hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un cuadro de alimentación personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de doble acción, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Una pérdida de potencia superior a 0,8 W es posible en una aplicación de montaje PDB típica. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • MOSFET de canal doble N • Montaje en superficie • Disponible en cinta y reel • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Resistencia de paso extremadamente baja • Montaje en superficie (IRFR024N) • Conector recto (IRFU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Alimentación HEXFET MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Se ha restado completamente la avalancha Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Opciones de paquete múltiple Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Las características adicionales de este diseño son a 175 °C temperatura de funcionamiento de la junta, velocidad de conmutación rápida y calificación crediticia de valor repetitivo mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Montaje en superficie (IRLR120N) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Chasis MOSFET de potencia MOSFET SO-8 de canal único N de 20 V. Características: - Compatible con RoHS • RDS(on) bajo • Calidad líder del sector • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido • Totalmente apto para viento • Temperatura de funcionamiento 175 °C.
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Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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Diodos Schottky / diodos de operador activo Se ha optimizado para un cambio rápido Caída de tensión baja en dirección de paso
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Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
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Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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IKW50N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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MPN: irl3705zstrlpbf
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HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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MPN: irl540nstrlpbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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-30V un canal P HEXFET MOSFET de potencia en la carcasa SO-8 Ventajas: Compatible con RoHS RDS(on) bajo Calidad líder del sector Evaluación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente apto para viento Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p.
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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MPN: irlr110pbf
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Los MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-PAK es para montaje superficial con fases de vapor, infrarrojos o Técnicas de soldadura por ola. La versión de conector recto (serie IRFU) es para Aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • RDS(on) especificado en VGS=4V & %V.
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Brand: Bosch
EAN: 4051661037795

Brand: Hi Tec
EAN: 807014061405

Brand: Columbia
EAN: 195980464154

Brand: Columbia
EAN: 195980464079

Brand: Columbia
EAN: 195980244411

Brand: Columbia
EAN: 195980244497

Brand: Columbia
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Brand: Columbia
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Brand: Columbia
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Brand: Rapid
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Brand: Rapid
EAN: 7313468682002

Brand: Rapid
EAN: 4051661035166

Brand: Rapid
EAN: 4051661013478

Brand: Rapid
EAN: 4051661035180

Brand: Rapid
EAN: 4051661013485

Brand: Rapid
EAN: 4051661035173

Brand: High Peak
EAN: 4001690101394

Brand: Cecotec
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Brand: Columbia
EAN: 0195980464178

Brand: Columbia
EAN: 0195980464222

Brand: Sensodyne
EAN: 5054563107329