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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de conmutación y la sólida ejecución del equipo. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de conmutación y la sólida ejecución del equipo. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc inversor de CC/CA Beneficios puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de carga y avalon SOA completamente diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en aplicaciones de gran variedad.
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HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Los HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido por, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Descripción: Los MOSFET® POWER de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia hacia adelante extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo conocido por los MOSFET HEXFET, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una variedad de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un marco de plomo personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de múltiples troqueles, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento IDEAL. Estas mejoras permiten utilizar múltiples bloques de construcción en una aplicación con un espacio de tablero dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o de onda. En una aplicación de montaje de PCB típica, es posible una disipación de potencia de más de 0,8 W. Características: • Tecnología de generación V. • Ultra-bajo en resistencia • N-canal MOSFET • Montaje superficial • Disponible como cinta y carrete • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido • Sin plomo
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de conmutación y la sólida ejecución del equipo. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N. Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Sin plomo
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800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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IRF7341PbF, HEXFET® Power MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que se conocen los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un marco de plomo personalizado para mejorar las propiedades térmicas y aumentar la capacidad de recarga, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento IDEAL. Estas mejoras permiten utilizar múltiples componentes en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de soldadura por fase de vapor, infrarrojos o por ola. Una pérdida de potencia de más de 0,8 W es posible en una aplicación de montaje de PCB típica. Características • Tecnología de generación V. • Ultra bajo EN resistencia • Doble N-canal MOSFET • Montaje superficial • Disponible en cinta y carrete • Valor dinámico dv/dt • Cambio rápido
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MPN: irfs7434trl7pp
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Descripción Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax • sin plomo
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MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología de generación V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N. Montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Convertidores dc-dc de alta frecuencia Panel de pantalla de plasma Beneficios Carga de puerta a drenaje baja para reducir los lotes de conmutación Capacidad de carácter completo que incluye un COSS eficaz para simplificar el diseño, (consulte la aplicación. Nota A1001) Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Descripción Específicamente diseñado para aplicaciones industriales, this HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para lograr una resistencia extrema en el área de silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida e mejora de la calificación de la avalancha repetitiva . Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en aplicaciones industriales y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irli520npbf
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HEXFET® Power MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Paquete aislado Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS Descenso a la estiércol de Lead Creepage. = 4.8mm Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla Sin plomo
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600 V CoolMOS™ P6 Power MOSFET Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Día PFC, día de conmutaci n de hardware PWM y día de conmutaci n de resonancia para, por ejemplo, PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, Telecom y UPS.
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MPN: irfr5305pbf
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HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR5305) Plomo recto (IRFU5305) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Power a
EAN: 0617885049514

Brand: Power a
EAN: 0617885015847

Brand: Power a
EAN: 0617885028342

Brand: Power a
EAN: 0617885087813

Brand: Power a
EAN: 0617885087615

Brand: Power a
EAN: 0617885023859

Brand: Power a
EAN: 0617885026911

Brand: Power a
EAN: 0617885033414