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Brand: Infineon
MPN: irf7319pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRF7319, HEXFET® PERFORMANCE MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un componente extremadamente eficiente y fiable para una gran variedad de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de utilizar varios componentes, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características: • Tecnología de generación V. • Resistencia de encendido ultra baja • MOSFET de canal doble N y p. • Montaje en superficie • Totalmente apto para Avalon
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Brand: Infineon
MPN: isc026n03l5satma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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Brand: Infineon
MPN: irf640nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRF640NSPbF , HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r180c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: irf3808pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRF3808PBF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Este Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de barrera de 175°C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Esta combinación hace que el diseño sea una elección muy eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Ventajas: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo Aplicaciones típicas • Accionamiento industrial del motor
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MPN: ipa60r099c7xksa1
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: isc019n03l5satma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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MPN: irlr024ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRLR024NPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripciones: Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. Se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características: • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf1404strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRF1404S / IRF1404L , HEXFET® PERFORMANCE MOSFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Evaluación completa de Avalon
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Brand: Infineon
MPN: irlhs6376trpbf
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MOSFET de potencia de canal doble N de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 2x2 La familia StrongIRFET™ Performance MOSFET está optimizada para un RDS(on) bajo y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
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Brand: Infineon
MPN: isc011n03l5satma1
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MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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Brand: Infineon
MPN: irfz44vpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRFZ44VPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • Optimizado para aplicaciones SMPS • Sin plomo
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MPN: irlr2905zpbfgurt
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IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción general Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de cambio y una calificación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente fiable y extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Características • Nivel lógico • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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MPN: ipw60r099c7xksa1
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: ipp60r180c7xksa1
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600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: irlhs2242trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de canal P de -20 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 2x2 La familia StrongIRFET™ Performance MOSFET está optimizada para un RDS(on) bajo y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
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Brand: Infineon
MPN: irfb7434pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

StrongIRFET™ IRFB7434PBF , HEXFET® Performance MOSFET Servicios • Mejora de la resistencia de la puerta, Avalon y Dynamic DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Diodo corporal avanzado DV/dt y capacidad di/dt • Sin plomo* • Compatible con RoHS, sin halógenos* Aplicación • Aplicaciones de accionamiento con motor con escobillas • Aplicaciones de accionamiento del motor BLDC • Circuitos accionados por batería • Topologías de puente completo y semipuente • Aplicaciones de rectificadores síncronos • Alimentación de modo de resonancia • O-enlace y disyuntores redundantes • Convertidores dc/dc y ac/dc • Inversor de CC/CA
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Brand: Infineon
MPN: igb10n60tatma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

The hard-switching 600 V, 10 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete in the TO263 D2Pak package leads to a significant improvement in the static and dynamic performance of the component thanks to the combination of the trench cell and fieldstop concept. The highest efficiency is achieved through the best compromise between switching and conduction losses. Summary of features Lowest VCEsat drop for lower conduction losses Low switching losses Easy to connect in parallel due to the positive temperature coefficient in VCEsat High resistance, temperature-stable behavior Low EMI emissions Low gate charge Very narrow parameter distribution Advantages Highest efficiency - low line and switching losses Comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for design flexibility High reliability of the devices
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Brand: Lego Technic
EAN: 5702017600864
Categoría: Categoría > Juegos de Construcción

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Lego Technic in Categoría > Juegos de Construcción

Brand: Compex
EAN: 888912000246

Brand: Compex
EAN: 888912000253

Brand: Compressport
EAN: 7630102514186

Brand: Compressport
EAN: 7630102514223

Brand: Compressport
EAN: 7630102514360

Brand: Compressport
EAN: 7630102514407

Brand: Compressport
EAN: 7630102544671

Brand: Tols
EAN: 8436577115809

Brand: Xilence
EAN: 4044953500213

Brand: Xilence
EAN: 4044953500237

Brand: Xilence
EAN: 4044953503023

Brand: Carrera
EAN: 4007486625488

Brand: Xilence
EAN: 4044953502095

Brand: Xilence
EAN: 4044953503016

Brand: Xilence
EAN: 4044953502071

Brand: Nemesis now
EAN: 0801269141134

Brand: Xilence
EAN: 4044953502897

Brand: Xilence
EAN: 4044953502958

Brand: Xilence
EAN: 4044953502675

Brand: Xilence
EAN: 4044953502699

Brand: Xilence
EAN: 4044953503221

Brand: Xilence
EAN: 4044953502934

Brand: Xilence
EAN: 4044953502118