1
- Infineon -
0.67 EUR
Infineon Irf7343pbf - Mosfet Doble N+p-ch, 55/-55v 4,7/-3,4a 0,043/0,095r,
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7343trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 2
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2.24 EUR
Infineon Ipp60r280c6 - Mosfet N-ch 600v 13,8a 0,28r, To-220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipp60r280c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 3
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1.42 EUR
Infineon Irfb7537pbf - Mosfet N-ch 60v 173a 0,0033r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfb7537pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 4
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2.02 EUR
Infineon Irfs7534pbf - Mosfet N-ch 60v 195a 0,0024r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfs7534trlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 5
- Infineon -
1.17 EUR
Infineon Irfr3710zpbf - Mosfet N-ch 100v 42a 0,018r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr3710ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Opciones de paquete múltiple Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Las características adicionales de este diseño son a 175 °C temperatura de funcionamiento de la junta, velocidad de conmutación rápida y calificación crediticia de valor repetitivo mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 6
- Infineon -
2.95 EUR
Infineon Spp06n80c3 - Mosfet N-ch 800v 6a 83w 0,9r To220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: spp06n80c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 7
- Infineon -
0.42 EUR
Infineon Irf7205pbf - Mosfet P-ch 30v 4,6a 0,07r So8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7205trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja MOSFET de canal p. Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 8
- Infineon -
1.17 EUR
Infineon Irf 1404z - Mosfet, N-ch 40v 190a 0,0027r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1404zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de esta temperatura de funcionamiento de la capa de bloqueo de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una evaluación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 9
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0.51 EUR
Infineon Irfl024zpbf - Mosfet N-ch 55v 5,1a 0,0462r, Sot-223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfl024ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura operativa de 150 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para llegar a una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la junta de 150 °C, velocidad de conmutación rápida y mejora mejorada avalanche rating . Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 10
- Infineon -
2.8 EUR
Infineon Irfb4332pbf - Mosfet N-ch 250v 60a 0,033r, To220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfb4332pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Operación Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Sustain, aplicaciones de conmutación de recuperación de energía y PASS QG bajo para respuesta rápida Alta capacidad de corriente pico repetitiva para la cirugía relable Short Fall & Rise Times para la conmutación rápida Temperatura de Unión operativa de 175 °C para un rugido mejorado Capacidad repetitiva de resistencia y fiabilidad
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 11
- Infineon -
0.5 EUR
Infineon Irf 7341 - Mosfet Doble, N-ch 55v 4,7a 0,05r, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7341pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF7341PbF, HEXFET® Power MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que se conocen los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un marco de plomo personalizado para mejorar las propiedades térmicas y aumentar la capacidad de recarga, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento IDEAL. Estas mejoras permiten utilizar múltiples componentes en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de soldadura por fase de vapor, infrarrojos o por ola. Una pérdida de potencia de más de 0,8 W es posible en una aplicación de montaje de PCB típica. Características • Tecnología de generación V. • Ultra bajo EN resistencia • Doble N-canal MOSFET • Montaje superficial • Disponible en cinta y carrete • Valor dinámico dv/dt • Cambio rápido
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 12
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0.66 EUR
Infineon Irf7306pbf - Mosfet Doble, P-ch, -30v -3,6a 0,1r, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7306trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal P doble Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 13
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1.01 EUR
Infineon Irlz44zspbf - Mosfet N-logl 55v 51a 0,0135r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlz44zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 14
- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Irf 2807 - Mosfet, N-ch 75v 82a 0,013r 230w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2807pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de esta temperatura de funcionamiento de capa de bloqueo de 175°C, alta velocidad de conmutación y una evaluación de avalancha repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de aplicaciones. El cuerpo TO-220 se convierte en universal para todos Aplicaciones comerciales e industriales con una capacidad de disipación Hasta unos 50 vatios. La baja temperatura Soportar la resistencia y el bajo coste de la caja TO-220 Por su amplia aceptación en toda la industria Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 15
- Infineon -
3.81 EUR
Infineon Ipw60r180c7 - Mosfet N-ch 600v 13a 68w 0,18r To247
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r180c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 16
- Infineon -
0.62 EUR
Infineon Irfr7546pbf - Mosfet N-ch 60v 56a 0,0079r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr7546trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc inversor de CC/CA Beneficios puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de carga y avalon SOA completamente diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 17
- Infineon -
1.32 EUR
Infineon Irfb3306pbf - Mosfet N-ch 60v 120a 0,0033r, To220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfb3306pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 18
- Infineon -
3.46 EUR
Infineon Ipp60r190c6 - Mosfet N-ch 600v 20,2a 151w 0,19r To220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipp60r190c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 19
- Infineon -
0.79 EUR
Infineon Irfz 44z Ir - Mosfet, N-ch 55v 36a 80w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz44zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, velocidad de cambio rápida y evaluación de Avalon repetida mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 20
- Infineon -
6.25 EUR
Infineon Spp20n65c3 - Mosfet N-ch 650v 20,7a 0,16r, To-220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: spp20n65c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características Baja resistencia específica en estado (RDS(ON)*A) Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @400V. Carga baja de la puerta (Qg) Calidad Fieldprobado CoolMOS™ La tecnología CoolMOS™ ha sido fabricada por INFINEON desde 1998 Beneficios: Alta eficiencia y densidad de potencia Costo/rendimiento sobresaliente Alta fiabilidad Facilidad de uso Aplicaciones de destino: Consumidor PC Power Adaptador
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 21
- Infineon -
0.96 EUR
Infineon Irf9530nspbf - Mosfet P-ch 100v 14a 0,2r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf9530nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Beneficios Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida P-Channel Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Power MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de International Rectificador utilize técnicas avanzadas de procesamiento para llegar a este punto resistencia extremadamente baja en el área de silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D2Pak es un conjunto de potencia de montaje superficial capaz de Accommodating the sizes up to HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la resistencia más baja posible en cualquier paquete de montaje superficial existente. El D2pak es suitable para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede estar adaptado a 2.0W en una superficie típica monte la aplicación.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 22
- Infineon -
6.2 EUR
Infineon Ipa60r125c6 - Mosfet N-ch 600v 30a 34w 0,125r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipa60r125c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 23
- Infineon -
1.17 EUR
Infineon Irf 3205z - Mosfet, N-ch 55v 110a 0,0049r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3205zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de esta temperatura de funcionamiento de la capa de bloqueo de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una evaluación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento de 175C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo''
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 24
- Infineon -
1.93 EUR
Infineon Irf 3808 - Mosfet, N-ch 75v 140a 0,007r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3808pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF3808PBF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Este Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de barrera de 175°C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Esta combinación hace que el diseño sea una elección muy eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Ventajas: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo Aplicaciones típicas • Accionamiento industrial del motor
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 25
- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Irlr3915trpbf - Mosfet, N-ch 55v 61a 0,014r, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr3915trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de conmutación y la sólida ejecución del equipo. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 26
- Infineon -
0.92 EUR
Infineon Irfu5505pbf - Mosfet P-ch 55v 18a 57w 0,11r To251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfu5505pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características P-Channel Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 27
- Infineon -
1.68 EUR
Infineon Irfb7734pbf - Mosfet N-ch 75v 183a 290w 0,0035r To220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfb7734pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 28
- Infineon -
0.46 EUR
Infineon Irf7201pbf - Mosfet N-ch 30v 7,3a Rdson 0,03r, So8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7201trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Descripción: Los MOSFET® POWER de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia hacia adelante extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo conocido por los MOSFET HEXFET, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una variedad de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un marco de plomo personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de múltiples troqueles, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento IDEAL. Estas mejoras permiten utilizar múltiples bloques de construcción en una aplicación con un espacio de tablero dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o de onda. En una aplicación de montaje de PCB típica, es posible una disipación de potencia de más de 0,8 W. Características: • Tecnología de generación V. • Ultra-bajo en resistencia • N-canal MOSFET • Montaje superficial • Disponible como cinta y carrete • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 29
- Infineon -
0.84 EUR
Infineon Irfr4105zpbf - Mosfet N-ch 55v 30a 0,0245r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr4105ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 30
- Infineon -
2.08 EUR
Infineon Irf2804strl7pp - Mosfet, N-ch 40v 160a 0,0016r, D²pak-7
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2804strl7pp
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 31
- Infineon -
1.17 EUR
Infineon Irf2807strlpbf - Mosfet, N-ch 75v 82a 0,013r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2807strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 32
- Infineon -
0.65 EUR
Infineon Irfz 46n - Mosfet, N-ch 55v 46a 107w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz46npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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