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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Valor dv/dt dinámico • Para el uso automático • Apilable al final • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Montaje en superficie (IRFR110, SiHFR110) • Plomo recto (IRFU110, SiHFU110) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Ease de paralelismos Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Este HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, velocidad de cambio rápida y evaluación de Avalon repetida mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones típicas Alternador de arranque integrado 42 Volts Automotive Electrical Systems Sin plomo Beneficios Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax
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DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es un encapsulado de montaje en máquina rentable que se puede apilar en varios conjuntos en centros de pluma estándar de 0,1''. El drenaje doble sirve como conexión térmica para la superficie de montaje para pérdidas de hasta 1 W. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV / dt • Repetición de la frecuencia de Avalon • Para el posicionamiento automático • Finalizar apilable • Temperatura de funcionamiento 175 ° C. • Cambio rápido
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Montaje en superficie (IRLR120N) • Línea recta (IRLU120N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la mínima resistencia en el uso en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRF9Z34NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Valor dv/dt dinámico • Para el uso automático • Apilable al final • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos
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HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción HEXFETs de Fifth Generation from International Rectifier utilize técnicas avanzadas de procesamiento para llegar a una resistencia extrema a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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IRFP260NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier/Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que un mayor rendimiento impide el uso de componentes TO-220. La carcasa TO-247 es similar a la carcasa TO-218 anterior, pero es superior gracias a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Clasificación completa de Avalancha • Paralelización simple • Requisitos de accionamiento sencillos • Sin plomo
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Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia en el interior posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente Debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF3205L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de rendimiento HEXFET® aprovecha las innovaciones más recientes, características adicionales de temperatura de funcionamiento, velocidad de conmutación rápida y evaluación de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de otras aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax
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Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET para los HEXFET, ofrece al diseñador un elemento de construcción extremadamente eficiente para una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK es para montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión de conector recto (serie IRFU) es para aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial.
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Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Opciones de paquete múltiple Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Las características adicionales de este diseño son a 175 °C temperatura de funcionamiento de la junta, velocidad de conmutación rápida y calificación crediticia de valor repetitivo mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una pérdida de potencia de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la Industria.
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Brand: Infineon
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Los HEXFETs de quinta generación de International Rectiftier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 se convierte generalmente en una pérdida de potencia para todas las aplicaciones comerciales e industriales. De hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplio reconocimiento en la industria.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Montaje en superficie (IRFR9024N) • Conector recto (IRFU9024N) • Canal p. • Resistencia en marcha extremadamente baja • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRL530NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRL530NS) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL530NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Alimentación HEXFET MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free
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MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Se ha restado completamente la avalancha Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr9120n
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja P-Channel Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los MOSFET de quinta generación de potencia HEXFETÆ de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que se conocen los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 se prefiere generalmente para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una disipación de potencia de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y el bajo costo del recinto TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. El D2PAK es una caja de alimentación montable en superficie que puede acomodar tamaños de chip hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia posible en cualquier carcasa de montaje en superficie existente. El D2PAK es adecuado para aplicaciones de alta corriente porque tiene una baja resistencia de enlace interno y puede acomodar hasta 2,0W en una aplicación típica montada en superficie. La versión de orificio pasante (IRF630NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil. Propiedades • Tecnología de proceso avanzada • Evaluación dinámica dv/dt • 175°C temperatura de funcionamiento • Cambio rápido • Totalmente Avalanche-adecuado • Cambio rápido • Paralelización simple • sin plomo
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Brand: Bosch
EAN: 4051661037795

Brand: Hi Tec
EAN: 807014061405

Brand: Columbia
EAN: 195980464154

Brand: Columbia
EAN: 195980464079

Brand: Columbia
EAN: 195980244411

Brand: Columbia
EAN: 195980244497

Brand: Columbia
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Brand: Columbia
EAN: 194894387078

Brand: Columbia
EAN: 195980180405

Brand: Rapid
EAN: 4051661010842

Brand: Rapid
EAN: 7313468682002

Brand: Rapid
EAN: 4051661035166

Brand: Rapid
EAN: 4051661013478

Brand: Rapid
EAN: 4051661035180

Brand: Rapid
EAN: 4051661013485

Brand: Rapid
EAN: 4051661035173

Brand: High Peak
EAN: 4001690101394

Brand: Cecotec
EAN: 8435484043083

Brand: Impresoras3d
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Brand: Columbia
EAN: 0195980464178

Brand: Columbia
EAN: 0195980464222

Brand: Sensodyne
EAN: 5054563107329