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Brand: Infineon
MPN: irf7832pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 30 V 20 A SO-8
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Brand: Infineon
MPN: irf7205pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un cuadro de alimentación personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de doble acción, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Una pérdida de potencia superior a 0,8 W es posible en una aplicación de montaje PDB típica. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • MOSFET de canal doble N • Montaje en superficie • Disponible en cinta y reel • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido
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Brand: Infineon
MPN: irf9310pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia HEXFET • Interruptor de carga y descarga para aplicaciones de batería para portátiles
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Brand: Infineon
MPN: irf7413zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 30 V 13 BIS SO-8
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Brand: Infineon
MPN: irf7416pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

-30V un canal P HEXFET MOSFET de potencia en la carcasa SO-8 Ventajas: Compatible con RoHS RDS(on) bajo Calidad líder del sector Evaluación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente apto para viento Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p.
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Brand: Infineon
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-Ch 40V. 10A. SO-8
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Brand: Infineon
MPN: bfr106e6327htsa1 
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Carcasa: SOT-23
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Brand: Infineon
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Estos transistores de efecto de campo de rendimiento de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican con la tecnología de DMOS planar propiedad de Fairchild. Esta tecnología avanzada se ha diseñado específicamente para minimizar la resistencia al paso, proporcionar una potencia de ruptura superior y soportar impulsos de energía elevados en los modos de conmutación y conmutación. Estos componentes son adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección de factor de potencia y dispositivos electrónicos de conmutación de lámparas con base de semipuente.
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Brand: Infineon
MPN: spp04n60c3xksa1
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650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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Brand: Infineon
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Transistor MOSFET N-CH 75 V 170 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB
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Brand: Infineon
MPN: irfu220npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones • Convertidor dc-dc de alta frecuencia • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr220npbf
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Transistor MOSFET N-CH 200 V 5 A 3 clavijas (2+Tab) D-PAK
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Brand: Infineon
MPN: bcv47
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Transistores de señal pequeña
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MPN: sgp07n120
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RÁPIDO IGBT en tecnología NPT • Menor Eoff en comparación con la generación anterior • Tiempo de resistencia al cortocircuito – 10 ìs • Diseñado para: - Controles del motor - Inversor - SMPS • NPT-Technology ofrece: - distribución de parámetros muy apretada - alta robustez, comportamiento estable de la temperatura - capacidad de conmutación paralela • Cualificado según JEDEC1 para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente
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Brand: Infineon
MPN: bsp62h6327xtsa1 
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transistor PNP Darlington en un paquete plástico SOT223. NPN complements: BSP50, BSP51 y BSP52.
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MPN: irfi4020h117p
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Este medio puente MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Consta de dos conmutadores MOSFET de potencia conectados en una configuración de medio puente. El proceso más reciente se utiliza para lograr una resistencia baja por cara de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo Body y la resistencia interna de puerta se han optimizado para mejorar los factores de rendimiento clave de los amplificadores de audio de clase D, como la eficiencia, THD y EMI. Esta combinación hace de este medio puente un componente de alta eficiencia, robusto y fiable para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Características: • Carcasa de semipuente integrada • Reduce a la mitad el número de componentes • Permite un mejor diseño de PCB • Parámetros de clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio clase D. • t RDS(ON) bajo para una mayor eficiencia Qg y Qsw bajos para un mejor THD y una mayor eficiencia • Qrr bajo para un mejor factor de distorsión y EMI menor • Puede alcanzar hasta 300 W por canal a una carga de 8o en la configuración de semipuente del amplificador • Carcasa sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfd024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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Brand: Infineon
MPN: irfb4229pbf
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Características • Tecnología de proceso avanzada • Parámetros de clave optimizados para las aplicaciones PDP-Sustain, recuperación de energía y cambio de paso • Baja evaluación de EPULSE para reducir la pérdida de potencia en las aplicaciones de PDP Sustain, recuperación de energía y cambio de paso • QG bajo para una capacidad de reacción rápida • Alta capacidad de corriente de punta de repetición para un funcionamiento fiable • Tiempos de descenso y subida cortos para un cambio rápido • Temperatura de funcionamiento de bloqueo de 175 °C para una mayor robustez • Capacidad repetitiva de avalanche para robustez y fiabilidad • Amplificador de audio clase D 300W-500W (conmutación de semipuente)
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Brand: Infineon
MPN: irf7319pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRF7319, HEXFET® PERFORMANCE MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un componente extremadamente eficiente y fiable para una gran variedad de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de utilizar varios componentes, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características: • Tecnología de generación V. • Resistencia de encendido ultra baja • MOSFET de canal doble N y p. • Montaje en superficie • Totalmente apto para Avalon
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Brand: Infineon
MPN: bts462t
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Interruptor de alimentación Smart Highside Canal N de FET de potencia vertical en chip Smart SIPMOS en tecnología de chip. • Entrada de nivel lógico • Protección ESD • Desconexión térmica con bloqueo • Protección contra sobrecarga, cortocircuito y sobretensión • Limitación de corriente • Protección de batería con resistencia de entrada externa • Entradas compatibles con CMOS • Con certificación AEC Aplicación • Todo tipo de cargas óhmicas, inductivas y capacitivas en aplicaciones de conmutación o lineales • Interruptor de alimentación compatible con UC para aplicaciones de 12 V y 24 V CC • Sustituye los relés electromecánicos y los circuitos discretos
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Brand: Infineon
MPN: irf7313pbf
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Transistor MOSFET N-CH 30 V 6,5A SO-8
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Brand: Infineon
MPN: irf7301pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 20 V 5,2A SO-8
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Brand: Infineon
MPN: ika08n65f5xksa1
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IKA08N65F5 DuoPack rápido de 650V IGBT y diodo : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología de alta velocidad F5 TRENCHSTOP™ • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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Brand: Infineon
MPN: ikp20n65h5xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IKP20N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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Brand: Infineon
MPN: irll2705pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 55 V 5,2A 4 clavijas (3+Tab) SOT-223
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Brand: Infineon
MPN: bdp950h6327xtsa1
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Transistores de potencia PNP AF de silicio • Para controladores AF y niveles de salida • Alta corriente del colector • Alta ganancia de corriente • Tensión de saturación del emisor del colector baja • Tipos complementarios: BDP947, BDP949 (PNP) • Carcasa sin PB (compatible con RoHS) • Cualificado según AEC Q101
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MPN: igw50n65h5fksa1
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IGW50N65H5 IGBT de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías por resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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MPN: ikz75n65eh5xksa1
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IKZ75N65EH5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Conmutación con pérdidas extremadamente bajas gracias al Kelvin-emitterpin IN Combinación con TRENCHSTOPTM 5 • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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Brand: Infineon
MPN: bsp60
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Transistores de Darlington de silicio PNP • Alta corriente del colector • Tensión de saturación del emisor del colector baja • Tipos complementarios: BSP50 ... BSP52 (NPN)
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Brand: Infineon
MPN: igp30n65h5xksa1
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IGP30N65H5 Interruptor de quinta generación IGBT de 650V en tecnología TRENCHSTOP™ 5 Características y ventajas: Oferta de tecnología H5 de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB; compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor para soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta (Versión gratuita)
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Brand: Infineon
MPN: ikw50n65h5fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IKW50N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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