Modelo De Puerta Entrada Tarrasa | Ofertas KVMs

Brand: Infineon
MPN: ikw20n60tfksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DuoPack de bajas pérdidas : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ y Fieldstop con diodo HE controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida y suave. Características principales VCE(sat) muy bajo 1,5V (típ.) Temperatura máxima de unión 175 °C Baja EMI Baja carga de puerta Diodo HE controlado por emisor antiparalelo muy suave y de rápida recuperación Marcado K20T60
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MPN: 1ed020i12f2xuma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Todos los circuitos lógicos son compatibles con CMOS de 5V y se pueden conectar directamente a un microcontrolador. La transmisión de datos a través de la separación galvánica se realiza mediante la tecnología integrada del transmisor de corte. El 1ED020I12-F2 ofrece diversas funciones de protección, como la protección contra el desaturamiento IGBT, la lámpara de Miller activa Y desconexión activa. Características esenciales Lado alto, controlador de puerta IGBT Tipo: EiceDRIVER™. Diseño: PG-DSO-16-15 Para 600 V/1200 V IGBT 2 a salida Rail-to-Rail Detección de vcesat Abrazadera activa del Miller
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MPN: irll2705trpbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Ultra bajo en resistencia Montaje de superficie Ease de paralelismos Conmutación rápida Dynamic dv/dt Rating Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: spa11n80c3xksa1
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800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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MPN: irf1324pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon • Mejor capacidad de diodo de cuerpo DV/dt y di/dt • Sin plomo
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MPN: irfu220npbf
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Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones • Convertidor dc-dc de alta frecuencia • Sin plomo
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MPN: irfbc40pbf
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Este transistor de campo de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento, el transistor de efecto de campo de potencia es un MOSFET de potencia avanzado que se ha probado y garantiza que resiste una cantidad determinada de energía en modo de ruptura de campo de Avalon. Todos estos MOSFET de potencia son para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé controladores de relé y controladores para transistores bipolares de conmutación de alta potencia que requieren una alta velocidad y una baja potencia de controlador de puerta. Estos tipos pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.
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MPN: irfb4310zpbf
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Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Alimentación ininterrumpida • Circuito de potencia de alta velocidad • Circuitos duros y circuitos de alta frecuencia Ventajas • Circuito de puerta mejorado, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body • Sin plomo
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Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor puerta, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body • Sin plomo
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Aplicaciones • De sincronización de alta eficiencia SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Puerta mejorada, avalancha y dinámica Resistencia dv/d • Capacidad completamente caracterizada y Avalon SOA • Diodo Body mejorado DV/dt y di/dt Capacidad
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MPN: irfr4510trpbf
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Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejor capacidad de diodo de cuerpo DV/dt y di/dt • Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Convertidores de frecuencia síncronos de alta para alimentación del procesador de equipos Sin plomo Beneficios Baja RDS(on) en 4.5V VGS Carga de puerta baja Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente
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MPN: spp20n65c3xksa1
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650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características Baja resistencia específica en estado (RDS(ON)*A) Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @400V. Carga baja de la puerta (Qg) Calidad Fieldprobado CoolMOS™ La tecnología CoolMOS™ ha sido fabricada por INFINEON desde 1998 Beneficios: Alta eficiencia y densidad de potencia Costo/rendimiento sobresaliente Alta fiabilidad Facilidad de uso Aplicaciones de destino: Consumidor PC Power Adaptador
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MPN: irfp4310zpbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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MPN: irlr3636trpbf
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MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Accionamiento del motor CC Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Conmutación de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia conmutadas con dureza
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MPN: irfr3607trpbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica dv/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt
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MPN: irfp4768pbf
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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MPN: irfb4510pbf
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HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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MPN: irfb4710pbf
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IRFB4710PBF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio - Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones • Convertidor CC/CC de alta frecuencia • Control del motor • Fuentes de alimentación no interrumpibles • Sin plomo TO-220AB
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MPN: irfp4768pbfxkma1
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MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Conmutación de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia conmutadas con dureza
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MOSFET HEXFETPOWER Características • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de conmutación • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo un COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas Aplicación • Convertidor dc-dc de alta frecuencia • Sin plomo
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica dv/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt
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800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Mejora de la transconductancia • PG-TO-220-3-31;-3-111: Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)
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HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Circuito de potencia de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Puerta mejorada, avalancha y dv/dt dinámico • Robustez • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body
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MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Aplicaciones Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Conmutación de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia conmutadas con dureza
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MPN: irfr3806trpbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica dv/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt
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650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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MPN: irfp3077pbf
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Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor RDS(on) del mundo en TO-247 • Mejor puerta, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body
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MOSFET de potencia HEXFET Características Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo Compatible con RoHS, sin halógenos Aplicaciones Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Conmutación de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia conmutadas con dureza
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MPN: irfb3006pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Aplicaciones: • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor puerta, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo
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