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1 
Brand: Infineon
MPN: irf540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETÆ avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia de estado activado por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de potencia de montaje superficial adecuado para tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia en estado encendido posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia de conexión interna y puede suministrar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión con orificio pasante (IRF540NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
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- Infineon -
0.51 EUR
Infineon Irf 540n - Mosfet, N-ch 100v 33a 0,044r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETÆ avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia de estado activado por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de potencia de montaje superficial adecuado para tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia en estado encendido posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia de conexión interna y puede suministrar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión con orificio pasante (IRF540NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
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2 
Brand: Infineon
MPN: irl520nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Control del portón a nivel lógico • Montaje en superficie (IRL520NL) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL520NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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0.87 EUR
Infineon Irl 520ns - Mosfet, N-ch 100v 10a Rds (on) 0,18r, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irl520nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Control del portón a nivel lógico • Montaje en superficie (IRL520NL) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL520NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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3
Brand: Infineon
MPN: irl540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET Power MOSFET Tecnología de Proceso Avanzada montaje en superficie 175°C Temperatura de funcionamiento Cambio rápido Clasificación completa de la avalancha sin plomo
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0.92 EUR
Infineon Irl 540n - Mosfet, N-ch 100v 36a 0,044r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irl540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET Power MOSFET Tecnología de Proceso Avanzada montaje en superficie 175°C Temperatura de funcionamiento Cambio rápido Clasificación completa de la avalancha sin plomo
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4 
Brand: Infineon
MPN: irfr3411trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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0.79 EUR
Infineon Irfr3411trpbf - Mosfet, N-ch 100v 32a 0,044r, To-252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr3411trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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5 
Brand: Infineon
MPN: ipw60r070c6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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12.15 EUR
Infineon Ipw60r070c6fksa1 - Mosfet, N-ch 600v 53a 0,07r, To-247
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r070c6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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6
Brand: Infineon
MPN: irfrc20pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Valor dv/dt dinámico • Evaluación repetitiva de avalanches • • • • •
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0.63 EUR
Infineon Irfrc 20 - Mosfet, N-ch 600v 2a 42w, To-252aa
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MPN: irfrc20pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Valor dv/dt dinámico • Evaluación repetitiva de avalanches • • • • •
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Brand: Infineon
MPN: irf820pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF820, MOSFET de potencia DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto de equipos, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad.el chasis TO-220AB es generalmente preferido para aplicaciones comerciales-industriales con potencias de pérdida de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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0.56 EUR
Infineon Irf 820 - Mosfet, N-ch 500v 2,5a 3,0r, To-220ab
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MPN: irf820pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF820, MOSFET de potencia DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto de equipos, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad.el chasis TO-220AB es generalmente preferido para aplicaciones comerciales-industriales con potencias de pérdida de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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Brand: Infineon
MPN: irfr320pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios.
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0.58 EUR
Infineon Irfr 320 - Mosfet, N-ch 400v 3,1a 42w, To-252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr320pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios.
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Brand: Infineon
MPN: irf9630pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos precios de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Canal p. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Categorización de materiales: Para las definiciones de conformidad
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0.76 EUR
Infineon Irf 9630 - Mosfet, P-ch, -200v -6,5a 0,8r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irf9630pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos precios de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Canal p. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Categorización de materiales: Para las definiciones de conformidad
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Brand: Infineon
MPN: irf1405pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Resistencia ON ultrabaja Montaje en superficie Conmutación rápida Clasificado para avalanchas Sin plomo
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1.47 EUR
Infineon Irf 1405 - Mosfet, N-ch 55v 169a 0,0046r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irf1405pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Resistencia ON ultrabaja Montaje en superficie Conmutación rápida Clasificado para avalanchas Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipz65r095c7
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Características Mayor resistencia MOSFET dv/dt Mejor eficiencia gracias a la mejor clasificación de FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/chasis de clase Uso/control sencillo mediante el pin de la fuente del controlador para un mejor control de la puerta Revestimiento sin PB, masa de conformación sin halógenos Apto para aplicaciones industriales según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Niveles PFC y niveles PWM de conmutación dura para, por ejemplo, ordenadores, servidores, telecomunicaciones, SAI y Solar.
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7.73 EUR
Infineon Ipz65r095c7xksa1 - Mosfet, N-ch 650v 24a 0,084r, To-247-4
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipz65r095c7
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Características Mayor resistencia MOSFET dv/dt Mejor eficiencia gracias a la mejor clasificación de FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/chasis de clase Uso/control sencillo mediante el pin de la fuente del controlador para un mejor control de la puerta Revestimiento sin PB, masa de conformación sin halógenos Apto para aplicaciones industriales según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Niveles PFC y niveles PWM de conmutación dura para, por ejemplo, ordenadores, servidores, telecomunicaciones, SAI y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: irfr4105trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR4105) Plomo recto (IRFU4105) Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para montar superficies con fase de vapor, infrarrojos o técnicas de aislamiento de ondas. Los niveles de disipación de potencia se pueden colocar hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje de superficie típica.
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0.53 EUR
Infineon Irfr4105pbf - Mosfet N-ch 55v 27a 0,045r To252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr4105trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR4105) Plomo recto (IRFU4105) Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para montar superficies con fase de vapor, infrarrojos o técnicas de aislamiento de ondas. Los niveles de disipación de potencia se pueden colocar hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje de superficie típica.
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Brand: Infineon
MPN: irfu120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios.
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0.56 EUR
Infineon Irfu 120n - Mosfet, N-ch 100v 9,4a 0,21r, To-251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfu120npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios.
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Brand: Infineon
MPN: irl1004pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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1.53 EUR
Infineon Irl 1004 - Mosfet, N-ch 40v 130a 0,0065r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irl1004pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf4905strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET® Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia a la conexión ultrabaja Temperatura de funcionamiento: 150 °C Conmutación rápida Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax Sin plomo
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2.02 EUR
Infineon Irf4905spbf - Mosfet P-ch, -55v -42a 0,02r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf4905strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET® Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia a la conexión ultrabaja Temperatura de funcionamiento: 150 °C Conmutación rápida Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr120ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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0.73 EUR
Infineon Irfr120npbf - Mosfet N-ch 100v 9,4a 0,21r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr120ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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Brand: Infineon
MPN: irfi540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFI540NPbF , HEXFET® MOSFET de potencia Descripción Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El TO-220 Full Pak elimina la necesidad de un hardware aislante adicional en aplicaciones comerciales e industriales. La masa de relleno utilizada proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la pestaña y el disipador térmico externo. Este aislamiento cumple con el uso de una barrera de mica de 100 micras en los productos TO-220 estándar. El Fullpak se monta en un disipador de calor con un único clip o una única fijación roscada. Aplicaciones de destino • Tecnología de proceso avanzada • Carcasa aislada • Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS • Distancia de fuga entre disipador térmico y PCB = 4,8 mm • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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1.12 EUR
Infineon Irfi 540n - Mosfet, N-ch 100v 20a 0,052r, To-220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfi540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFI540NPbF , HEXFET® MOSFET de potencia Descripción Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El TO-220 Full Pak elimina la necesidad de un hardware aislante adicional en aplicaciones comerciales e industriales. La masa de relleno utilizada proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la pestaña y el disipador térmico externo. Este aislamiento cumple con el uso de una barrera de mica de 100 micras en los productos TO-220 estándar. El Fullpak se monta en un disipador de calor con un único clip o una única fijación roscada. Aplicaciones de destino • Tecnología de proceso avanzada • Carcasa aislada • Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS • Distancia de fuga entre disipador térmico y PCB = 4,8 mm • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr5305pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR5305) Plomo recto (IRFU5305) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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0.72 EUR
Infineon Irfr 5305 - Mosfet, P-ch, -55v -31a 0,065r, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr5305pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR5305) Plomo recto (IRFU5305) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf640npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Descripción: Los MOSFET® POWER de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia hacia adelante extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo conocido por los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 se prefiere generalmente para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de energía de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costos de vivienda del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. El D2PAK es un paquete de rendimiento de montaje en superficie que puede acomodar tamaños de chip hasta HEX-4. Ofrece la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia posible en todas las carcasas de montaje en superficie existentes. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Evaluación dinámica dv/dt • 175°C temperatura de funcionamiento • Cambio rápido • Totalmente compatible con avalancha • Fácil paralelización • Requisitos de accionamiento simples • Sin plomo
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0.63 EUR
Infineon Irf 640n - Mosfet, N-ch 200v 18a 0,15r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf640npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Descripción: Los MOSFET® POWER de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia hacia adelante extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo conocido por los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 se prefiere generalmente para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de energía de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costos de vivienda del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. El D2PAK es un paquete de rendimiento de montaje en superficie que puede acomodar tamaños de chip hasta HEX-4. Ofrece la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia posible en todas las carcasas de montaje en superficie existentes. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Evaluación dinámica dv/dt • 175°C temperatura de funcionamiento • Cambio rápido • Totalmente compatible con avalancha • Fácil paralelización • Requisitos de accionamiento simples • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfiz48npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Beneficios: Compatible con RoHS RDS bajo (ON) calidad de distribución de la industria Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de funcionamiento 175 °C. Tecnología avanzada de procesos Paquete aislado Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS ? Descenso a la estiércol de Lead Creepage. = 4.8mm
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1.22 EUR
Infineon Irfiz48npbf - Mosfet N-ch 55v 40a 54w 0,016r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfiz48npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Beneficios: Compatible con RoHS RDS bajo (ON) calidad de distribución de la industria Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de funcionamiento 175 °C. Tecnología avanzada de procesos Paquete aislado Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS ? Descenso a la estiércol de Lead Creepage. = 4.8mm
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21 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irf1010nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Operación Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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- Infineon -
1.12 EUR
Infineon Irf1010nspbf - Mosfet N-ch 55v 75a 0,011r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1010nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Operación Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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22 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irf3205zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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1.17 EUR
Infineon Irf3205zspbf - Mosfet N-ch 55v 75a 0,0065r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3205zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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23 ![]()
Brand: Infineon
MPN: irfz44epbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irfz44epbf - Mosfet N-ch 60v 48a 110w 0,023r To220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz44epbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfp054npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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1.93 EUR
Infineon Irfp 054n - Mosfet, N-ch 55v 81a 170w, To-247ac
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfp054npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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Brand: Infineon
MPN: irf730pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es universal para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia hasta aprox. 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Valor DV/dt dinámico • Evaluación repetitiva de avalanches • De cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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0.71 EUR
Infineon Irf 730 - Mosfet, N-ch 400v 5,5a 1r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf730pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es universal para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia hasta aprox. 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Valor DV/dt dinámico • Evaluación repetitiva de avalanches • De cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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Brand: Infineon
MPN: irf1404spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETA de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una resistencia de paso extremadamente baja Pro De silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la mínima resistencia en el uso en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia interna de conexión y puede alcanzar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF1404L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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3.41 EUR
Infineon Irf 1404s - Mosfet, N-ch 40v 162a 0,004r 200w, D2-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1404spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETA de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una resistencia de paso extremadamente baja Pro De silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la mínima resistencia en el uso en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia interna de conexión y puede alcanzar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF1404L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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Brand: Infineon
MPN: irfl4310trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Ease de paralelismos Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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0.41 EUR
Infineon Irfl4310pbf - Mosfet N-ch 100v 2,2a 0,2r, Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfl4310trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Ease de paralelismos Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irfiz44npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La quinta generación de HEXFET de International Representative utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El TO-220 Fullpark elimina la necesidad de hardware aislante adicional en aplicaciones comerciales e industriales. La masa de moldeo utilizada es resistente a una barrera de mica de 100 micras en los productos TO-220 estándar. El Fullpark se fija a un disipador de calor con un único clip o tornillo. • Tecnología de proceso avanzada • Carcasa aislada • aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS • Distancia de fuga entre la detección y el cable = 4,8 mm • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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0.92 EUR
Infineon Irfiz 44n - Mosfet, N-ch 55v 31a 45w, To-220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfiz44npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La quinta generación de HEXFET de International Representative utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El TO-220 Fullpark elimina la necesidad de hardware aislante adicional en aplicaciones comerciales e industriales. La masa de moldeo utilizada es resistente a una barrera de mica de 100 micras en los productos TO-220 estándar. El Fullpark se fija a un disipador de calor con un único clip o tornillo. • Tecnología de proceso avanzada • Carcasa aislada • aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS • Distancia de fuga entre la detección y el cable = 4,8 mm • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfu5410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características P-Channel Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Irfu5410pbf - Mosfet P-ch, -100v -13a 0,205r, To-251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfu5410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características P-Channel Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfz44npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFZ44NPbF, MOSFET® de potencia HEXFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de estado activado extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 suele ser la preferida para todas las aplicaciones comerciales e industriales con una disipación de potencia de hasta unos 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia a la conexión ultrabaja • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Totalmente compatible con avalanchas • Sin plomo
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- Infineon -
0.51 EUR
Infineon Irfz 44n - Mosfet, N-ch 55v 49a 0,0175r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz44npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFZ44NPbF, MOSFET® de potencia HEXFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de estado activado extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 suele ser la preferida para todas las aplicaciones comerciales e industriales con una disipación de potencia de hasta unos 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia a la conexión ultrabaja • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Totalmente compatible con avalanchas • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irl3705npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
1.32 EUR
Infineon Irl 3705n - Mosfet, N-ch 55v 89a 0,01r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irl3705npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
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Brand: Infineon
MPN: irfp064npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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- Infineon -
1.83 EUR
Infineon Irfp 064n - Mosfet, N-ch 55v 110a 0,008r, To-247ac
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfp064npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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- Bosch -
76.65 EUR
Bosch S. Of. Batería 2,5ah Bosch P4a 5001518 Rapid
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- Hi Tec -
52.49 EUR
Hi Tec V-lite Rapid Sandalias Trekking Hombre Verde Male
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- Columbia -
29.99 EUR
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- Columbia -
29.99 EUR
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- Columbia -
70.83 EUR
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- Columbia -
61.59 EUR
Columbia Rapid Rivers Pantaln Montaa Hombre Gris Male
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- Columbia -
29.99 EUR
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- Columbia -
20.99 EUR
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- Columbia -
30.09 EUR
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- Rapid -
38.56 EUR
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electropolis.es
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electropolis.es
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- Rapid -
16.67 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x12mm - Alto Rendimiento 5001434 Rapid
electropolis.es
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16.43 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x10mm - Alto Rendimiento 5001433 Rapid
electropolis.es
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- High Peak -
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Impresoras3d -
20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Negro 1,75 Mm
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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Impresoras3d in Filamento > pla
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Blanco 1,75 Mm
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Transporte: 0.00 EUR
Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Impresoras3d -
20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Gris 1,75 Mm
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Columbia -
30.00 EUR
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- Columbia -
30.00 EUR
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esdemarca.com
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- Sensodyne -
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