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1 
Brand: Infineon
MPN: irfi540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFI540NPbF , HEXFET® MOSFET de potencia Descripción Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El TO-220 Full Pak elimina la necesidad de un hardware aislante adicional en aplicaciones comerciales e industriales. La masa de relleno utilizada proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la pestaña y el disipador térmico externo. Este aislamiento cumple con el uso de una barrera de mica de 100 micras en los productos TO-220 estándar. El Fullpak se monta en un disipador de calor con un único clip o una única fijación roscada. Aplicaciones de destino • Tecnología de proceso avanzada • Carcasa aislada • Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS • Distancia de fuga entre disipador térmico y PCB = 4,8 mm • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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1.12 EUR
Infineon Irfi 540n - Mosfet, N-ch 100v 20a 0,052r, To-220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfi540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFI540NPbF , HEXFET® MOSFET de potencia Descripción Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El TO-220 Full Pak elimina la necesidad de un hardware aislante adicional en aplicaciones comerciales e industriales. La masa de relleno utilizada proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la pestaña y el disipador térmico externo. Este aislamiento cumple con el uso de una barrera de mica de 100 micras en los productos TO-220 estándar. El Fullpak se monta en un disipador de calor con un único clip o una única fijación roscada. Aplicaciones de destino • Tecnología de proceso avanzada • Carcasa aislada • Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS • Distancia de fuga entre disipador térmico y PCB = 4,8 mm • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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2 
Brand: Infineon
MPN: irf640npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Descripción: Los MOSFET® POWER de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia hacia adelante extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo conocido por los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 se prefiere generalmente para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de energía de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costos de vivienda del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. El D2PAK es un paquete de rendimiento de montaje en superficie que puede acomodar tamaños de chip hasta HEX-4. Ofrece la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia posible en todas las carcasas de montaje en superficie existentes. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Evaluación dinámica dv/dt • 175°C temperatura de funcionamiento • Cambio rápido • Totalmente compatible con avalancha • Fácil paralelización • Requisitos de accionamiento simples • Sin plomo
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0.63 EUR
Infineon Irf 640n - Mosfet, N-ch 200v 18a 0,15r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irf640npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Descripción: Los MOSFET® POWER de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia hacia adelante extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo conocido por los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 se prefiere generalmente para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de energía de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costos de vivienda del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. El D2PAK es un paquete de rendimiento de montaje en superficie que puede acomodar tamaños de chip hasta HEX-4. Ofrece la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia posible en todas las carcasas de montaje en superficie existentes. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Evaluación dinámica dv/dt • 175°C temperatura de funcionamiento • Cambio rápido • Totalmente compatible con avalancha • Fácil paralelización • Requisitos de accionamiento simples • Sin plomo
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3 
Brand: Infineon
MPN: irfz44epbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irfz44epbf - Mosfet N-ch 60v 48a 110w 0,023r To220ab
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Brand: Infineon
MPN: irfz44epbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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4
Brand: Infineon
MPN: irf730pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es universal para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia hasta aprox. 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Valor DV/dt dinámico • Evaluación repetitiva de avalanches • De cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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0.71 EUR
Infineon Irf 730 - Mosfet, N-ch 400v 5,5a 1r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irf730pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220AB es universal para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de potencia hasta aprox. 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Valor DV/dt dinámico • Evaluación repetitiva de avalanches • De cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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5 
Brand: Infineon
MPN: irf1404spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETA de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una resistencia de paso extremadamente baja Pro De silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la mínima resistencia en el uso en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia interna de conexión y puede alcanzar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF1404L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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3.41 EUR
Infineon Irf 1404s - Mosfet, N-ch 40v 162a 0,004r 200w, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irf1404spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETA de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una resistencia de paso extremadamente baja Pro De silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la mínima resistencia en el uso en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia interna de conexión y puede alcanzar hasta 2,0 W en una aplicación típica montada en la superficie. La versión de orificio pasante (IRF1404L) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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6 
Brand: Infineon
MPN: irfl4310trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Ease de paralelismos Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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0.41 EUR
Infineon Irfl4310pbf - Mosfet N-ch 100v 2,2a 0,2r, Sot223
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MPN: irfl4310trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Ease de paralelismos Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irfu5410pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características P-Channel Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irfu5410pbf - Mosfet P-ch, -100v -13a 0,205r, To-251aa
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Brand: Infineon
MPN: irfu5410pbf
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HEXFET® Power MOSFET Características P-Channel Resistencia ultra baja Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfz44npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFZ44NPbF, MOSFET® de potencia HEXFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de estado activado extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 suele ser la preferida para todas las aplicaciones comerciales e industriales con una disipación de potencia de hasta unos 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia a la conexión ultrabaja • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Totalmente compatible con avalanchas • Sin plomo
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0.51 EUR
Infineon Irfz 44n - Mosfet, N-ch 55v 49a 0,0175r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz44npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFZ44NPbF, MOSFET® de potencia HEXFET Descripción: Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de estado activado extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 suele ser la preferida para todas las aplicaciones comerciales e industriales con una disipación de potencia de hasta unos 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia a la conexión ultrabaja • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Totalmente compatible con avalanchas • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irl3705npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
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1.32 EUR
Infineon Irl 3705n - Mosfet, N-ch 55v 89a 0,01r, To-220ab
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Brand: Infineon
MPN: irl3705npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
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Brand: Infineon
MPN: irfp064npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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1.83 EUR
Infineon Irfp 064n - Mosfet, N-ch 55v 110a 0,008r, To-247ac
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Brand: Infineon
MPN: irfp064npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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Brand: Infineon
MPN: irfr1010zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en aplicaciones de gran variedad.
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1.01 EUR
Infineon Irfr1010zpbf - Mosfet N-ch 55v 42a 0,0075r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr1010zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en aplicaciones de gran variedad.
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Brand: Infineon
MPN: irfr420pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt rating • avalancha repetitiva • montaje en superficie (IRFR420, SiHFR420) • plomo recto (IRFU420, SiHFU420) • Disponible en cinta y reel • conmutación rápida • Ease de paralelismos • categorización de materiales: Para definir el cumplimiento visite www.vishay.com/doc?99912
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0.66 EUR
Infineon Irfr 420 - Mosfet, N-ch 500v 2,4a 42w, To-252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr420pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt rating • avalancha repetitiva • montaje en superficie (IRFR420, SiHFR420) • plomo recto (IRFU420, SiHFU420) • Disponible en cinta y reel • conmutación rápida • Ease de paralelismos • categorización de materiales: Para definir el cumplimiento visite www.vishay.com/doc?99912
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Brand: Infineon
MPN: irfi3205pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un cuadro de alimentación personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de doble acción, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Con estas mejoras, se pueden utilizar múltiples dispositivos en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Una pérdida de potencia superior a 0,8 W es posible en una aplicación de montaje PDB típica. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • MOSFET de canal doble n • Montaje en superficie • Evaluación dinámica dv/dt • Disponible en cinta y reel • Cambio rápido
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1.68 EUR
Infineon Irfi 3205 - Mosfet, N-ch 55v 64a 63w, To-220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfi3205pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un cuadro de alimentación personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de doble acción, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Con estas mejoras, se pueden utilizar múltiples dispositivos en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Una pérdida de potencia superior a 0,8 W es posible en una aplicación de montaje PDB típica. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • MOSFET de canal doble n • Montaje en superficie • Evaluación dinámica dv/dt • Disponible en cinta y reel • Cambio rápido
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Brand: Infineon
MPN: irfr9024ntrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
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0.47 EUR
Infineon Irfr9024ntrlpbf - Mosfet, P-ch, -55v -11a 0,175r, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr9024ntrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Cambio rápido Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
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Brand: Infineon
MPN: irfz44zstrrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
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1.12 EUR
Infineon Irfz44zspbf - Mosfet N-ch 55v 51a 0,0139r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz44zstrrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irf3415strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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1.47 EUR
Infineon Irf3415spbf - Mosfet N-ch 150v 43a 0,042r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3415strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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Brand: Infineon
MPN: irf5210pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia extremadamente baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Canal p. • Evaluación completa de Avalon • sin plomo
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1.32 EUR
Infineon Irf 5210 - Mosfet, P-ch, -100v -40a0,06r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf5210pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia extremadamente baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Canal p. • Evaluación completa de Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfl014ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Sistemas de MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET® están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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0.45 EUR
Infineon Irfl014npbf - Mosfet N-ch 55v 2,7a 0,16r Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfl014ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Sistemas de MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET® están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irf4104spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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1.47 EUR
Infineon Irf4104spbf - Mosfet N-ch 40v 75a 0,0055r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf4104spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf2804strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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2.24 EUR
Infineon Irf2804spbf - Mosfet N-ch 40v 75a 0,002r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2804strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfd9210pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Valor dv/dt dinámico • Para el uso automático • Apilable al final • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos
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0.67 EUR
Infineon Irfd 9210 - Mosfet, P-ch, 200v 0,4a 1w, Hd-1
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Brand: Infineon
MPN: irfd9210pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Valor dv/dt dinámico • Para el uso automático • Apilable al final • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos
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Brand: Infineon
MPN: irlr120ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje en superficie (IRLR120N) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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0.47 EUR
Infineon Irlr120npbf - Mosfet N-logl, 100v 10a 0,185r, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr120ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje en superficie (IRLR120N) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: idk09g65c5xtma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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3.66 EUR
Infineon Idk09g65c5 - Diodo Schottky Smd-sic 650v, 9a, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: idk09g65c5xtma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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Brand: Infineon
MPN: irfr9024npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Resistencia en marcha extremadamente baja • P-anal • Montaje en superficie (IRFR9024N) • Conector recto (IRFU9024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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0.43 EUR
Infineon Irfr 9024n - Mosfet, P-ch, -55v -11a 38w, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr9024npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Resistencia en marcha extremadamente baja • P-anal • Montaje en superficie (IRFR9024N) • Conector recto (IRFU9024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irl2910strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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1.73 EUR
Infineon Irl2910spbf - Mosfet N-logl 100v 55a 0,026r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irl2910strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irlr3705ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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1.12 EUR
Infineon Irlr3705zpbf - Mosfet N-logl 55v 42a 0,008r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr3705ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: idk08g65c5xtma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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3.04 EUR
Infineon Idk08g65c5 - Diodo Schottky Smd-sic 650v, 8a, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: idk08g65c5xtma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Datos técnicos - revolucionario material semiconductor SiC - no hay recuperación hacia atrás/no hacia adelante - comportamiento de conmutación independiente de la temperatura - cambio extremadamente rápido - optimizado para el funcionamiento a altas temperaturas - necesidades de refrigeración reducidas - IME reducido Aplicación - Fuentes de alimentación conmutadas - Conductor de motor - Convertidor solar - Suministro de energía ininterrumpida
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Brand: Infineon
MPN: irl3705zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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1.32 EUR
Infineon Irl3705zspbf - Mosfet N-logl 55v 75a 0,008r D²pak
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Brand: Infineon
MPN: irl3705zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irl1404zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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1.53 EUR
Infineon Irl1404zspbf - Mosfet N-logl 40v 120a 0,0031r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irl1404zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irf7401pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Chasis MOSFET de potencia MOSFET SO-8 de canal único N de 20 V. Características: - Compatible con RoHS • RDS(on) bajo • Calidad líder del sector • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido • Totalmente apto para viento • Temperatura de funcionamiento 175 °C.
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0.65 EUR
Infineon Irf 7401 - Mosfet, N-ch 20v 8,7a 0,022r, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7401pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Chasis MOSFET de potencia MOSFET SO-8 de canal único N de 20 V. Características: - Compatible con RoHS • RDS(on) bajo • Calidad líder del sector • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido • Totalmente apto para viento • Temperatura de funcionamiento 175 °C.
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Brand: Infineon
MPN: irf7104pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones.
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0.47 EUR
Infineon Irf 7104 - Mosfet Doble, P-ch, -20v -2,3a 0,19r, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7104pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irf540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETÆ avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia de estado activado por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de potencia de montaje superficial adecuado para tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia en estado encendido posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia de conexión interna y puede suministrar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión con orificio pasante (IRF540NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
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- Infineon -
0.51 EUR
Infineon Irf 540n - Mosfet, N-ch 100v 33a 0,044r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFETÆ avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia de estado activado por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de potencia de montaje superficial adecuado para tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia en estado encendido posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia de conexión interna y puede suministrar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión con orificio pasante (IRF540NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
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- Bosch -
76.65 EUR
Bosch S. Of. Batería 2,5ah Bosch P4a 5001518 Rapid
electropolis.es
34 ![]()
- Hi Tec -
52.49 EUR
Hi Tec V-lite Rapid Sandalias Trekking Hombre Verde Male
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- Columbia -
29.99 EUR
Columbia Rapid Ridge Camiseta Montaa Manga Corta Hombre Blanco Male
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- Columbia -
29.99 EUR
Columbia Rapid Ridge Camiseta Montaa Manga Corta Hombre Negro Male
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- Columbia -
70.83 EUR
Columbia Rapid Rivers Pantaln Montaa Hombre Verde Male
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- Columbia -
61.59 EUR
Columbia Rapid Rivers Pantaln Montaa Hombre Gris Male
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- Columbia -
29.99 EUR
Columbia Rapid Ridge Camiseta Montaa Manga Corta Hombre Gris Male
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- Columbia -
20.99 EUR
Columbia Rapid Ridge Camiseta Montaa Manga Corta Hombre Verde Male
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- Columbia -
30.09 EUR
Columbia Rapid Rivers Camisa Montaa Manga Corta Hombre Verde Male
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- Rapid -
38.56 EUR
Rapid 10bx Grapadora Eléctrica 10 Hojas Grapado Permanente
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- Rapid -
13.70 EUR
Rapid Grapas Strong Electric 44/7 Galvanizadas -caja De 5000-
electropolis.es
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- Rapid -
16.20 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x8mm - Alto Rendimiento 5001432 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
6.15 EUR
Rapid Blister 50 Remaches ø4.8x10mm. Alu + Broca 5000387 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
16.67 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x12mm - Alto Rendimiento 5001434 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
6.68 EUR
Rapid Blister 50 Remaches ø4.8x12mm. Alu + Broca 5000388 Rapid
electropolis.es
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- Rapid -
16.43 EUR
Rapid Caja 500 Remaches ø4x10mm - Alto Rendimiento 5001433 Rapid
electropolis.es
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- High Peak -
102.90 EUR
High Peak Rapid Beach 80, 10139, Tienda De Campaa Red Female
alternate.es
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- Cecotec -
119.94 EUR
Cecotec Freidora Sin Aceite Cecofry Essential Rapid Moon Touch Female
conforama.es
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Impresoras3d -
20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Negro 1,75 Mm
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Blanco 1,75 Mm
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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20.99 EUR
Impresoras3d Pla+ Rapid Elegoo Gris 1,75 Mm
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Brand: Impresoras3d
Categoría: Filamento > pla
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- Columbia -
30.00 EUR
Columbia Para Hombre. Camiseta Rapid Ridge Ii Blanco Male
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- Columbia -
30.00 EUR
Columbia Para Hombre. Camiseta Rapid Ridge Negro Male
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- Sensodyne -
4.46 EUR
Sensodyne Rapid Fresh Mint 75 Ml Male
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