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Brand: Infineon
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Montaje en superficie (IRFR110, SiHFR110) • Plomo recto (IRFU110, SiHFU110) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de rendimiento HEXFET® aprovecha las innovaciones más recientes, características adicionales de temperatura de funcionamiento, velocidad de conmutación rápida y evaluación de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de otras aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Montaje en superficie (IRLR120N) • Línea recta (IRLU120N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR3410) • Línea recta (IRLU3410) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET para los HEXFET, ofrece al diseñador un elemento de construcción extremadamente eficiente para una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK es para montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión de conector recto (serie IRFU) es para aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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Los MOSFET de potencia HEXFETA de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia posible en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características • Tecnología de la generación V. • Resistencia en marcha extremadamente baja • Montaje en superficie • sin plomo • totalmente avalancha
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IRLR024NPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripciones: Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje pasante. Se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características: • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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Alimentación HEXFET MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia de estado activado posible por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo altamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 suele ser la preferida para todas las aplicaciones comerciales e industriales con una disipación de potencia de hasta unos 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • tecnología de proceso avanzada • valoración dinámica dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • conmutación rápida • totalmente compatible con avalanchas
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de cambio de marchas rápida y el diseño robusto del dispositivo, para la potencia HEXFET Conocidos por MOSFET, el diseñador ofrece un componente de construcción altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 es de preferencia universal para todas las aplicaciones industriales comerciales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Valor dv/dt dinámico • Cambio rápido • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Totalmente apto para Avalon • Canal p.
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IRFP260NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripción: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier/Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que un mayor rendimiento impide el uso de componentes TO-220. La carcasa TO-247 es similar a la carcasa TO-218 anterior, pero es superior gracias a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/dt • 175 °C, temperatura de servicio • Cambio rápido • Clasificación completa de Avalancha • Paralelización simple • Requisitos de accionamiento sencillos • Sin plomo
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Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Valor dv/dt dinámico • Para el uso automático • Apilable al final • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos
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MPN: ipa60r380c6xksa1
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MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, LCD y PDP TV,
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HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción HEXFETs de Fifth Generation from International Rectifier utilize técnicas avanzadas de procesamiento para llegar a una resistencia extrema a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D-PAK es para montaje superficial con fases de vapor, infrarrojos o Técnicas de soldadura por ola. La versión de conector recto (serie IRFU) es para Aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial. Características • Accionamiento de puerta de nivel lógico • Montaje en superficie (IRLR024N) • Conector recto (IRLU024N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • RDS(on) especificado en VGS=4V & %V.
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Brand: Infineon
MPN: irfp140npbf
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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Brand: Infineon
MPN: irfp250npbf
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IRFP250NPbF MOSFET de potencia HEXFET® Descripciones: Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 se utiliza preferentemente para aplicaciones comerciales-industriales en las que el rendimiento superior excluye el uso de componentes TO-220. La caja TO-247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Evaluación completa de Avalon • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • TO-247AC • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfi540npbf
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IRFI540NPbF , HEXFET® MOSFET de potencia Descripción Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El TO-220 Full Pak elimina la necesidad de un hardware aislante adicional en aplicaciones comerciales e industriales. La masa de relleno utilizada proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la pestaña y el disipador térmico externo. Este aislamiento cumple con el uso de una barrera de mica de 100 micras en los productos TO-220 estándar. El Fullpak se monta en un disipador de calor con un único clip o una única fijación roscada. Aplicaciones de destino • Tecnología de proceso avanzada • Carcasa aislada • Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS • Distancia de fuga entre disipador térmico y PCB = 4,8 mm • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf540npbf
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Los MOSFET de potencia HEXFETÆ avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia de estado activado por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de potencia de montaje superficial adecuado para tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia en estado encendido posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia de conexión interna y puede suministrar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión con orificio pasante (IRF540NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
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Brand: Infineon
MPN: irf640npbf
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HEXFET® Power MOSFET Descripción: Los MOSFET® POWER de quinta generación de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia hacia adelante extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo conocido por los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 se prefiere generalmente para todas las aplicaciones comerciales-industriales con pérdidas de energía de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costos de vivienda del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. El D2PAK es un paquete de rendimiento de montaje en superficie que puede acomodar tamaños de chip hasta HEX-4. Ofrece la mayor capacidad de potencia y la menor resistencia posible en todas las carcasas de montaje en superficie existentes. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Evaluación dinámica dv/dt • 175°C temperatura de funcionamiento • Cambio rápido • Totalmente compatible con avalancha • Fácil paralelización • Requisitos de accionamiento simples • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfz44epbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de la junta operativa 175 °C. Sin plomo
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MOSFET de potencia de 650 V COOL MOS C7 La serie C7 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de los MOSFET de superUnión de conmutación rápida con una mayor eficiencia, una menor carga de puerta, una implementación sencilla y una fiabilidad excelente. Características Mayor resistencia MOSFET dv/dt Mejor eficiencia gracias a la mejor clasificación de FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/chasis de clase Uso/control sencillo mediante el pin de la fuente del controlador para un mejor control de la puerta Revestimiento sin PB, masa de conformación sin halógenos Apto para aplicaciones industriales según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Aplicaciones Niveles PFC y niveles PWM de conmutación dura para, por ejemplo, ordenadores, servidores, telecomunicaciones, SAI y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: irl520nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Control del portón a nivel lógico • Montaje en superficie (IRL520NL) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL520NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Brand: Bosch
EAN: 4051661037795

Brand: Hi Tec
EAN: 807014061405

Brand: Columbia
EAN: 195980464154

Brand: Columbia
EAN: 195980464079

Brand: Columbia
EAN: 195980244411

Brand: Columbia
EAN: 195980244497

Brand: Columbia
EAN: 195980238960

Brand: Columbia
EAN: 194894387078

Brand: Columbia
EAN: 195980180405

Brand: Rapid
EAN: 4051661010842

Brand: Rapid
EAN: 7313468682002

Brand: Rapid
EAN: 4051661035166

Brand: Rapid
EAN: 4051661013478

Brand: Rapid
EAN: 4051661035180

Brand: Rapid
EAN: 4051661013485

Brand: Rapid
EAN: 4051661035173

Brand: High Peak
EAN: 4001690101394

Brand: Cecotec
EAN: 8435484043083

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Brand: Columbia
EAN: 0195980464178

Brand: Columbia
EAN: 0195980464222

Brand: Sensodyne
EAN: 5054563107329