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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Transistor de señal pequeña SIPMOS® Características • N-channel • modo de implementación • dv /dt rated • Disponible con indicador VGS(th) en la reel • PB Free lead Plating; compatible con RoHS • Clasificado según AEC Q101
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MOSFET de potencia 600V COOL MOS C7 CoolMOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para los MOSFET de alta tensión, desarrollada según el principio de superUnión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Características Adecuado para cambios duros y blandos (PFC y LLC de alto rendimiento) Mayor resistencia MOSFET dv/dt hasta 120V/ns Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*Qg Mejor RDS(on)/vivienda de clase Aplicaciones Niveles de PFC y niveles de PWM (TTF, LLC) para SMPS de alto rendimiento/rendimiento, por ejemplo, para ordenadores, servidores, telecomunicaciones, UPS y solar.
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La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, entre las que se incluyen motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de corriente continua. Características especiales • RDSon bajo (= 16 meses) • Baja resistencia térmica a la placa de circuitos impresos (= 13 °C/W) • Perfil bajo (= 1,0 mm) • Diseño de pines estándar de la industria
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La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, entre las que se incluyen motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de corriente continua. Características especiales • RDSon bajo (= 135 mOhmios) • Baja resistencia térmica a la placa de circuitos impresos (= 13 °C/W) • Perfil bajo (= 1,0 mm) • Diseño de pines estándar de la industria
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MOSFET™ StrongIRFET™ de canal N simple de 30 V en una caja TSOP-6 (Micro 6) La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la mínima resistencia en el uso en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRF9Z34NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo.
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Interruptor primario lateral en topología de puente en convertidores dc-dc aislados Interruptor primario lateral en Topología push-pull para convertidores dc-dc aislados de 18-36 Vin Interruptor de reconocimiento síncrono secundario para 15 salidas Se puede utilizar para aplicaciones dc-dc de Bucks síncronos no aislados de 48 V. Beneficios Puerta baja para carga de drenaje para reducir los lotes de conmutación Capacidad de carácter completo que incluye un COSS eficaz para simplificar el diseño, (consulte la aplicación. Nota A1001) Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente
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Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia al paso posible por cada superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET para los HEXFET, ofrece al diseñador un elemento de construcción extremadamente eficiente para una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK es para montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión de conector recto (serie IRFU) es para aplicaciones de montaje en orificio pasante. Potencias de pérdida de hasta 1,5 vatios Son posibles en aplicaciones típicas de montaje superficial.
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Transistor MOSFET N-CH 30 V 6,5A SO-8
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Transistor MOSFET N-CH 75 V 42A 3 clavijas (2+Tab) D-PAK
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MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción general Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de cambio y una calificación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente fiable y extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Características • Nivel lógico • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es un encapsulado de montaje en máquina rentable que se puede apilar en varios conjuntos en centros de pluma estándar de 0,1''. El drenaje doble sirve como conexión térmica para la superficie de montaje para pérdidas de hasta 1 W. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV / dt • Repetición de la frecuencia de Avalon • Para el posicionamiento automático • Finalizar apilable • Temperatura de funcionamiento 175 ° C. • Cambio rápido
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo Compatible con RoHS, libre de halógenos
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios. Características • Montaje en superficie (IRFR9024N) • Conector recto (IRFU9024N) • Canal p. • Resistencia en marcha extremadamente baja • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Transistor MOSFET N-CH 55 V 47 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB
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MOSFET de potencia HEXFET Características Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Sin plomo
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MOSFET de potencia HEXFET Aplicaciones Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS Sistema de alimentación ininterrumpida Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico Capacidad completamente caracterizada y SOA de Avalon Aumento de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body
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MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de conmutación y la sólida ejecución del equipo. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Accionamiento de puerta de nivel lógico Baja resistencia en marcha
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HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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MPN: irf520npbf
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una pérdida de potencia de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la Industria.
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800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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Aplicaciones: • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor puerta, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Sin plomo
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Este transistor de campo de potencia de puerta de silicio de canal N en modo de enriquecimiento, el transistor de efecto de campo de potencia es un MOSFET de potencia avanzado que se ha probado y garantiza que resiste una cantidad determinada de energía en modo de ruptura de campo de Avalon. Todos estos MOSFET de potencia son para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé controladores de relé y controladores para transistores bipolares de conmutación de alta potencia que requieren una alta velocidad y una baja potencia de controlador de puerta. Estos tipos pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.
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