1
- Infineon -
0.71 EUR
Infineon Irlr3105trpbf - Mosfet, N-ch 55v 25a 0,037r, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr3105trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de conmutación y la sólida ejecución del equipo. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 2
- Infineon -
1.17 EUR
Infineon Irf 1404z - Mosfet, N-ch 40v 190a 0,0027r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1404zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de esta temperatura de funcionamiento de la capa de bloqueo de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una evaluación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 3
- Infineon -
1.17 EUR
Infineon Irf2807strlpbf - Mosfet, N-ch 75v 82a 0,013r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2807strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 4
- Infineon -
1.93 EUR
Infineon Irf1404zspbf - Mosfet N-ch 40v 120a 0,0037r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1404zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Descripción Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax • sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 5
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0.82 EUR
Infineon Irf 540z Ir - Mosfet, N-ch 100v 36a 0,021r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf540zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF540ZPbF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas: Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C en la capa de bloqueo de temperatura de funcionamiento, velocidad de conmutación rápida y estas características mejoradas hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 6
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0.61 EUR
Infineon Irf 9530n - Mosfet, P-ch, -100v -14a 0,2r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf9530npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de esta temperatura de funcionamiento de la capa de bloqueo de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una evaluación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Valor dinámico dv/td • Temperatura de funcionamiento de 175C. • Cambio rápido • P-Channel • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 7
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1.22 EUR
Infineon Irf 1010z - Mosfet, N-ch 55v 94a 0,0075r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1010zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado especialmente para aplicaciones de automoción, Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza los últimos avances Técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por superficie de silicio. Otras características de la temperatura de funcionamiento de la capa de bloqueo de175 °C, una alta velocidad de conmutación y una evaluación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y en una amplia gama de otras aplicaciones
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 8
- Infineon -
0.49 EUR
Infineon Irlr2705trlpbf - Mosfet, N-ch 55v 28a 0,04r, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr2705trlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de conmutación y la sólida ejecución del equipo. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 9
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1.88 EUR
Infineon Irf 2804 - Mosfet, N-ch 40v 75a 0,002r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2804pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF2804PBF, HEXFET MOSFET de potencia Descripción Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en aplicaciones de automoción y en una gran variedad de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 10
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1.01 EUR
Infineon Irlr3915trpbf - Mosfet, N-ch 55v 61a 0,014r, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr3915trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de conmutación y la sólida ejecución del equipo. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 11
- Infineon -
1.17 EUR
Infineon Irf 3205z - Mosfet, N-ch 55v 110a 0,0049r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3205zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de esta temperatura de funcionamiento de la capa de bloqueo de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una evaluación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento de 175C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo''
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 12
- Infineon -
1.93 EUR
Infineon Irf 3808 - Mosfet, N-ch 75v 140a 0,007r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3808pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF3808PBF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Este Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de barrera de 175°C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Esta combinación hace que el diseño sea una elección muy eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Ventajas: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo Aplicaciones típicas • Accionamiento industrial del motor
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 13
- Infineon -
0.8 EUR
Infineon Irlr 2905z Ir - Mosfet, N-ch 55v 42a 0,0135r, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irlr2905zpbfgurt
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción general Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de cambio y una calificación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente fiable y extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Características • Nivel lógico • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 14
- Infineon -
1.12 EUR
Infineon Irf 3710z - Mosfet, N-ch 100v 59a 0,018r , To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3710zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET® Descripción Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para obtener una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una tasa de Avalon mejorada en procesos de cambio repetitivos. Estas características hacen de este diseño un componente fiable y altamente eficiente para su uso en aplicaciones de automoción y en una amplia gama de otras aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia ultra baja en tiempo real • Evaluación dinámica dv/dt • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Repetición de la avalancha permitida hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 15
- Infineon -
0.79 EUR
Infineon Irfz 44z Ir - Mosfet, N-ch 55v 36a 80w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz44zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, velocidad de cambio rápida y evaluación de Avalon repetida mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones.
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 16
- Infineon -
0.81 EUR
Infineon Irf9540npbf - Mosfet, P-ch, -100v -23a 0,117r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf9540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de conmutación y la sólida ejecución del equipo. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 17
- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Irf 2807 - Mosfet, N-ch 75v 82a 0,013r 230w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2807pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, ID = 75A. Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de esta temperatura de funcionamiento de capa de bloqueo de 175°C, alta velocidad de conmutación y una evaluación de avalancha repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de aplicaciones. El cuerpo TO-220 se convierte en universal para todos Aplicaciones comerciales e industriales con una capacidad de disipación Hasta unos 50 vatios. La baja temperatura Soportar la resistencia y el bajo coste de la caja TO-220 Por su amplia aceptación en toda la industria Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 18
- Infineon -
2.08 EUR
Infineon Irf2804strl7pp - Mosfet, N-ch 40v 160a 0,0016r, D²pak-7
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2804strl7pp
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 19
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2.02 EUR
Infineon Irf3808strlpbf - Mosfet, N-ch 75v 106a 0,007r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3808strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 20
- Infineon -
0.38 EUR
Infineon Irf7503trpbf - Mosfet, 2xn-ch 30v 2,4a 0,135r, Micro8,
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf7503trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este sistema HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la alta velocidad de cambio. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja MOSFET de canal doble Perfil bajo Disponible en cinta y reel Cambio rápido Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 21
- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Irf1010zstrlpbf - Mosfet, N-ch 55v 75a 0,0075r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1010zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
Compara precios desde:
Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos 22
- Infineon -
1.21 EUR
Infineon Irf6215strlpbf - Mosfet, P-ch, -150v -13a 0,29r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf6215strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos