V33 | Ofertas Componentes Eléctricos Y Electrónicos

Brand: Infineon
MPN: irf540npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los MOSFET de potencia HEXFETÆ avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para conseguir una resistencia de estado activado por área de silicio extremadamente baja. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de potencia de montaje superficial adecuado para tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia en estado encendido posible en todas las carcasas de montaje superficial existentes. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente, ya que tiene una baja resistencia de conexión interna y puede suministrar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión con orificio pasante (IRF540NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil.
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Brand: Infineon
MPN: irfu4615pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr3303pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

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Brand: Infineon
MPN: irfp140npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-247 es preferible para aplicaciones comerciales-industriales en las que los niveles de potencia más altos excluyen el uso de componentes TO-220. La caja TO_247 es similar a la anterior caja TO-218, pero superior debido a su orificio de montaje aislado. Características • Tecnología de proceso avanzada • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Evaluación dinámica dv/dt • sin plomo • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon
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Brand: Infineon
MPN: irf540ns
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfs4615trlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf540nspbftrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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Brand: Infineon
MPN: bcr523
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

NPN con resistencias de transistor equipado R1 = 1 k R2 = 10 k
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Brand: Infineon
MPN: bcx41e6327htsa1 
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

AF de silicio NPN y transistor de conmutación Características: • Para aplicaciones AF generales • Alta tensión de ruptura • Tensión de saturación del emisor del colector baja • Tipo complementario: BCX42 (PNP) • Embalaje libre de PB (compatible con RoHS) • Cualificado según AEC Q101
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Brand: Infineon
MPN: bcr562
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

PNP con transistor equipado con resistencias R1 = 4.7 k R2 = 4.7 k
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Brand: Infineon
MPN: bcx42e6327htsa1 
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Carcasa: SOT-23
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Brand: Infineon
MPN: bcr533
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

NPN con resistencias de transistor equipado R1 = 10 k R2 = 10 k
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Brand: Infineon
MPN: bcr512e6327
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

BCR512 Transistor digital de silicio NPN 50V 500mA 330MW • Resistencia de tensión previa integrada (R1= 4,7 Ko, R2= 4,7 Ko) • Embalaje libre de PB (compatible con RoHS) • Cualificado según AEC Q101 Se puede suministrar en un embalaje industrial completo (rollo de 7 pulgadas / 3000 unidades), póngase en contacto con nuestro departamento de ofertas.
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