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| Ofertas Componentes Eléctricos Y Electrónicos

Range Precio

1
- Infineon -
0.98 EUR
Infineon Irf 7832 - Mosfet, N-ch 30v 20a 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf7832pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 30 V 20 A SO-8
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2
- Infineon -
0.45 EUR
Infineon Irf 7413z - Mosfet, N-ch 30v 13a 0,01r 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf7413zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 30 V 13 BIS SO-8
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-53%3
- Infineon -
0.36 EUR 0.76 EUR
Infineon Irf 7470 - Mosfet, N-ch 40v 10a 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf7470trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-Ch 40V. 10A. SO-8
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4
- Infineon -
0.36 EUR
Infineon Irf 7205 - Mosfet, P-ch, 30v 4,6a 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf7205pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un cuadro de alimentación personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de doble acción, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Una pérdida de potencia superior a 0,8 W es posible en una aplicación de montaje PDB típica. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • MOSFET de canal doble N • Montaje en superficie • Disponible en cinta y reel • Evaluación dinámica dv/dt • Cambio rápido
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5
- Infineon -
1.01 EUR
Infineon Irf 9310 - Mosfet, P-ch, 30v 20a 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf9310pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia HEXFET • Interruptor de carga y descarga para aplicaciones de batería para portátiles
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6
- Infineon -
0.72 EUR
Infineon Irf 7416 - Mosfet, P-ch, 30v 10a 0,02r 2,5w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf7416pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

-30V un canal P HEXFET MOSFET de potencia en la carcasa SO-8 Ventajas: Compatible con RoHS RDS(on) bajo Calidad líder del sector Evaluación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente apto para viento Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p.
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7
- Infineon -
0.22 EUR
Infineon Bfr 106 Smd - Transistor Bipolar Hf, Npn, 15v, 0,1a, 0,5w, Sot-23
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: bfr106e6327htsa1 
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Carcasa: SOT-23
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8
- Infineon -
0.64 EUR
Infineon Irfu 220n - Mosfet, N-ch 200v 5a 43w, To-251aa
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irfu220npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Ventajas • Carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de cambio • Capacidad completamente caracterizada, incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones • Convertidor dc-dc de alta frecuencia • Sin plomo
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9
- Infineon -
0.66 EUR
Infineon Irfr 220n - Mosfet, N-ch 200v 5a 43w, D-pak
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irfr220npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 200 V 5 A 3 clavijas (2+Tab) D-PAK
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10
- Infineon -
0.78 EUR
Infineon Irf 830 - Mosfet, N-ch 500v 4,5a 1,5r 74w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf830pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Estos transistores de efecto de campo de rendimiento de canal N en modo de enriquecimiento se fabrican con la tecnología de DMOS planar propiedad de Fairchild. Esta tecnología avanzada se ha diseñado específicamente para minimizar la resistencia al paso, proporcionar una potencia de ruptura superior y soportar impulsos de energía elevados en los modos de conmutación y conmutación. Estos componentes son adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección de factor de potencia y dispositivos electrónicos de conmutación de lámparas con base de semipuente.
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11
- Infineon -
1.83 EUR
Infineon Spp04n60c3 - Mosfet N-ch 600v 4,5a 50w 0,95r To220
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: spp04n60c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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12
- Infineon -
2.8 EUR
Infineon Irf 2907z - Mosfet, N-ch 75v 170a 4,5mr 300w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf2907zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 75 V 170 A 3 clavijas (3+Tab) TO-220AB
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13
- Infineon -
0.21 EUR
Infineon Bcv 47 Inf - Transistor Darlington, Npn, 60 V, 0,5 A, 0,36 W, Sot-23
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: bcv47
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistores de señal pequeña
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14
- Infineon -
3.56 EUR
Infineon Sgp 07n120 - Transistor Igbt, N-ch, 1200v, 16.5a, 125w, To-220
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: sgp07n120
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

RÁPIDO IGBT en tecnología NPT • Menor Eoff en comparación con la generación anterior • Tiempo de resistencia al cortocircuito – 10 ìs • Diseñado para: - Controles del motor - Inversor - SMPS • NPT-Technology ofrece: - distribución de parámetros muy apretada - alta robustez, comportamiento estable de la temperatura - capacidad de conmutación paralela • Cualificado según JEDEC1 para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente
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15
- Infineon -
0.37 EUR
Infineon Bsp 62 Smd - Transistor Darlington, Pnp, 80v, 1a, 1,5w, Sot-223
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Brand: Infineon
MPN: bsp62h6327xtsa1 
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

transistor PNP Darlington en un paquete plástico SOT223. NPN complements: BSP50, BSP51 y BSP52.
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16
- Infineon -
6.3 EUR
Infineon Irfi 4020h-117 - Mosfet, P-ch, 200v 9,1a 21w, To-220-5-fullpak
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Brand: Infineon
MPN: irfi4020h117p
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Este medio puente MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Consta de dos conmutadores MOSFET de potencia conectados en una configuración de medio puente. El proceso más reciente se utiliza para lograr una resistencia baja por cara de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo Body y la resistencia interna de puerta se han optimizado para mejorar los factores de rendimiento clave de los amplificadores de audio de clase D, como la eficiencia, THD y EMI. Esta combinación hace de este medio puente un componente de alta eficiencia, robusto y fiable para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Características: • Carcasa de semipuente integrada • Reduce a la mitad el número de componentes • Permite un mejor diseño de PCB • Parámetros de clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio clase D. • t RDS(ON) bajo para una mayor eficiencia Qg y Qsw bajos para un mejor THD y una mayor eficiencia • Qrr bajo para un mejor factor de distorsión y EMI menor • Puede alcanzar hasta 300 W por canal a una carga de 8o en la configuración de semipuente del amplificador • Carcasa sin plomo
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17
- Infineon -
0.66 EUR
Infineon Irf 7319 - Mosfet Doble, N+p-ch, 30/-30v 6,5/-4,9a 2w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf7319pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRF7319, HEXFET® PERFORMANCE MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un componente extremadamente eficiente y fiable para una gran variedad de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de utilizar varios componentes, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características: • Tecnología de generación V. • Resistencia de encendido ultra baja • MOSFET de canal doble N y p. • Montaje en superficie • Totalmente apto para Avalon
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18
- Infineon -
0.6 EUR
Infineon Irf 7313 - Mosfet, N-ch 30v 6,5a 0,029r 2w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf7313pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 30 V 6,5A SO-8
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19
- Infineon -
1.02 EUR
Infineon Irf 7301 - Mosfet, N-ch 20v 5,2a 0,05r 2w, So-8
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irf7301pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 20 V 5,2A SO-8
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20
- Infineon -
1.83 EUR
Infineon Irfb 4229 - Mosfet, N-ch 250v 46a 330w, To-220-5-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irfb4229pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Características • Tecnología de proceso avanzada • Parámetros de clave optimizados para las aplicaciones PDP-Sustain, recuperación de energía y cambio de paso • Baja evaluación de EPULSE para reducir la pérdida de potencia en las aplicaciones de PDP Sustain, recuperación de energía y cambio de paso • QG bajo para una capacidad de reacción rápida • Alta capacidad de corriente de punta de repetición para un funcionamiento fiable • Tiempos de descenso y subida cortos para un cambio rápido • Temperatura de funcionamiento de bloqueo de 175 °C para una mayor robustez • Capacidad repetitiva de avalanche para robustez y fiabilidad • Amplificador de audio clase D 300W-500W (conmutación de semipuente)
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21
- Infineon -
1.02 EUR
Infineon Irfd 024 - Mosfet, N-ch 60v 2,5a 1,3w, Hd-1
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irfd024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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22
- Infineon -
2.02 EUR
Infineon Bts 462 - Mosfet, N-ch 40v 3,5a 0,1r 41,6w, To-252-5
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: bts462t
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Interruptor de alimentación Smart Highside Canal N de FET de potencia vertical en chip Smart SIPMOS en tecnología de chip. • Entrada de nivel lógico • Protección ESD • Desconexión térmica con bloqueo • Protección contra sobrecarga, cortocircuito y sobretensión • Limitación de corriente • Protección de batería con resistencia de entrada externa • Entradas compatibles con CMOS • Con certificación AEC Aplicación • Todo tipo de cargas óhmicas, inductivas y capacitivas en aplicaciones de conmutación o lineales • Interruptor de alimentación compatible con UC para aplicaciones de 12 V y 24 V CC • Sustituye los relés electromecánicos y los circuitos discretos
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23
- Infineon -
2.85 EUR
Infineon Ikp20n65h5 - Transistor Igbt, N-ch, 650v, 42a, 125w, To-220
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: ikp20n65h5xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IKP20N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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24
- Infineon -
4.06 EUR
Infineon Ika08n65f5 - Transistor Igbt, N-ch, 650v, 10,8a, 31,2w, To-220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: ika08n65f5xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IKA08N65F5 DuoPack rápido de 650V IGBT y diodo : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología de alta velocidad F5 TRENCHSTOP™ • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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25
- Infineon -
0.54 EUR
Infineon Irll 2705 - Mosfet, N-ch 55v 5,2a 2,1w, Sot-223
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: irll2705pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistor MOSFET N-CH 55 V 5,2A 4 clavijas (3+Tab) SOT-223
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26
- Infineon -
0.66 EUR
Infineon Bdp 950 Smd - Transistor Bipolar, Pnp, 60 V, 3 A, 5 W, Sot-223
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: bdp950h6327xtsa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistores de potencia PNP AF de silicio • Para controladores AF y niveles de salida • Alta corriente del colector • Alta ganancia de corriente • Tensión de saturación del emisor del colector baja • Tipos complementarios: BDP947, BDP949 (PNP) • Carcasa sin PB (compatible con RoHS) • Cualificado según AEC Q101
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27
- Infineon -
0.35 EUR
Infineon Bsp 60 Smd - Transistor Darlington, Pnp, 45v, 1a, 1,5w, Sot-223
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: bsp60
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Transistores de Darlington de silicio PNP • Alta corriente del colector • Tensión de saturación del emisor del colector baja • Tipos complementarios: BSP50 ... BSP52 (NPN)
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28
- Infineon -
3.61 EUR
Infineon Igp30n65h5 - Transistor Igbt, N-ch, 650v, 55a, 188w, To-220
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: igp30n65h5xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IGP30N65H5 Interruptor de quinta generación IGBT de 650V en tecnología TRENCHSTOP™ 5 Características y ventajas: Oferta de tecnología H5 de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB; compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor para soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta (Versión gratuita)
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29
- Infineon -
3.86 EUR
Infineon Igw50n65h5 - Transistor Igbt, N-ch, 650v, 80a, 305w, To-247-3
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Brand: Infineon
MPN: igw50n65h5fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IGW50N65H5 IGBT de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías por resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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30
- Infineon -
7.11 EUR
Infineon Ikz75n65eh5 - Transistor Igbt, N-ch, 650v, 90a, 395w, To-247-4
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: ikz75n65eh5xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IKZ75N65EH5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Conmutación con pérdidas extremadamente bajas gracias al Kelvin-emitterpin IN Combinación con TRENCHSTOPTM 5 • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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31
- Infineon -
6.3 EUR
Infineon Ikw50n65h5 - Transistor Igbt, N-ch, 650v, 80a, 305w, To-247-3
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Infineon
MPN: ikw50n65h5fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IKW50N65H5 IGBT y diodo de alta velocidad de 650V : IGBT en tecnología TRENCHSTOP™ 5 en combinación con el diodo RÁPIDO y suave antiparalelo 1 Características y ventajas: • Oferta de tecnología H5 TRENCHSTOP™ de alta velocidad • Máxima eficiencia de clase con cambios de marcha duros y topologías de resonancia • Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior • Tensión de ruptura de 650V. • Carga de puerta baja QG • IGBT con diodo antiparalelo RÁPIDO y suave 1 • Temperatura máxima de la capa de cierre 175 °C. • Cumple los requisitos de JEDEC para las aplicaciones de destino • Revestimiento sin PB, masa de moldeo sin halógenos, compatible con RoHS • Gama completa de productos y modelos de PSphere: http://www.infineon.com/igbt/ Aplicaciones: • Convertidor solar • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Convertidor de soldadura • Convertidor de frecuencia de conmutación para gama media a alta
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Este Dia 305 Ofertas con descuento en categoría Electricidad

-17%32
- shelly -
25.37 EUR 30.45 EUR
SHELLY WAVE 1PM - Shelly Qubino Wave 1PM, relé, max 16A, 1 canal, Z-Wave
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: shelly
EAN: 3800235269022
MPN: wave1pm
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Z-Wave™ Smart Switch, 1 canal 16 A, con medición de potencia. Controle y mida el consumo eléctrico de numerosos aparatos domésticos y de oficina (iluminación, líneas eléctricas, sistemas de seguridad, calefactores, calentadores de agua, etc.) desde cualquier lugar. Medición del consumo eléctrico Autoconsumo extremadamente bajo del dispositivo: 0,3 W. Banda de frecuencia Z-Wave: 868,4 MHz (países CEPT) Última tecnología: Z-Wave serie 800 Configuración automática con SmartStart Autenticación de 2 factores para el máximo nivel de seguridad Admite actualizaciones inalámbricas de firmware Fácil instalación en la mayoría de enchufes e interruptores eléctricos estándar Compatible con pasarelas certificadas Z-Wave y más de 4.000 dispositivos Z-Wave Se requiere una puerta de enlace (Smart Hub) para configurar la unidad*. *La puerta de enlace (Smart Hub) no se incluye en la entrega. Shelly Qubino funciona con Z-Wave Con Z-Wave, los productos domésticos inteligentes pueden comunicarse entre sí sin problemas, independientemente de su marca o plataforma, gracias a un concentrador inteligente centralizado. Los dispositivos Shelly Qubino funcionan con el chip Z-Wave de última generación (S800), una de las tecnologías estandarizadas más populares para hogares inteligentes en todo el mundo. * *Los dispositivos Z-Wave tienen requisitos específicos para funcionar correctamente, como la necesidad de utilizar un hub Z-Wave compatible. Para obtener más información, visite el sitio web oficial de Z-Wave. Funciona con cualquier pasarela Z-Wave. Wave 1PM es retroinstalable y está diseñado para encajar detrás de cualquier interruptor o enchufe, transformándolo instantáneamente en un enchufe inteligente. Una vez instalado, puedes conectarlo a tu red Z-Wave (requiere pasarela Z-Wave) y controlar los dispositivos conectados desde cualquier lugar utilizando tu smartphone o tablet. Los dispositivos Shelly Qubino funcionan con más de 4000 dispositivos y pasarelas certificados Z-Wave. Alimentado por Z-Wave Conecte el Wave 1PM a su red Z-Wave y contrólelo de forma remota. Es compatible con todas las pasarelas Z-Wave certificadas. Enlace Establezca una comunicación directa entre los dispositivos de su red Z-Wave local y configure acciones personalizadas sin necesidad de un concentrador. Monitorización del consumo de energía Wave 1PM ofrece una supervisión precisa del consumo de energía. Soporta una amplia gama de voltajes Utilice una amplia gama de tensiones de salida. Horarios inteligentes Crea horarios personalizados que se adapten a tu rutina diaria o sincronízalos con la salida y la puesta del sol para controlar tu iluminación (requiere pasarela). Escenas inteligentes Configure escenas personalizadas combinando Wave 1PM con otros dispositivos Z-Wave (requiere pasarela). Automatiza y controla tus electrodomésticos desde cualquier lugar (ejemplo de aplicación) Automatice y controle fácilmente diversos dispositivos de su hogar, como calentadores de agua, calefactores, luces y...
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shelly in Componentes eléctricos y electrónicos

-14%33
- Ansmann -
11.59 EUR 13.52 EUR
ANSMANN NH 4X1000 ANS - Pila de NiMH, AAA (Micro), 1000 mAh, paquete de 4
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Ansmann
EAN: 4013674030880
MPN: 5030882
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Baterías NiMh de alta calidad de Ansmann para aplicaciones profesionales en aparatos técnicos con elevados requisitos de potencia. • Capacidad extra alta • Sin efecto memoria durante la descarga parcial • Capacidad de carga rápida • Alta capacidad de corriente
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-31%34
- Arcol -
4.37 EUR 6.3 EUR
ARCOL ARC HS50 R68 F - Resistencia de cable, axial, 50 W, 0,68 ohmios, 1%
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Arcol
MPN: hs50r68f
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Resistencia de cable ARCOL serie: HS50 • Resistencia totalmente encapsulada • EQUIVALENTE A MIL-R-18546 RE75 • Resistencia a la tensión: 1250 V. • Resistencia de aislamiento: 10 Gohm
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-20%35
- KYOCERA AVX -
1.01 EUR 1.27 EUR
KYOCERA AVX AVX TAP685M035CC - Condensador tántalo, 6,8 microF, 35 V.
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: KYOCERA AVX
MPN: tap685m035ccs
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

• El polo positivo está marcado con el símbolo +.
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-19%36
- Microchip -
8.12 EUR 9.97 EUR
MICROCHIP PIC 18F252-I/SO - Microcontrolador PICmicro de 8 bits, 32 KB, 40 MHz, SO-28
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Microchip
MPN: pic18f252iso
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Controlador PIC Microchip: CPU RISC de alto rendimiento Microchip admite el rango de rendimiento completo de microcontroladores de 8 bits, 16 bits y 32 bits con una arquitectura poderosa, tecnologías de almacenamiento flexibles y amplias herramientas de desarrollo fáciles de usar, así como documentación técnica completa. Las ventajas de las soluciones de microcontrolador Microchip son evidentes: • Todas las MCU PIC® y las DSCs dsPIC® ofrecen el escalado ascendente y descendente de sus proyectos de diseño • La arquitectura compatible ascendente asegura su inversión en desarrollo de código • Fácil cambio entre familias de 8, 16 y 32 bits • Compatibilidad de pines entre las variantes de carcasa • Desarrollo de productos de bajo riesgo · Ciclos rápidos de mercado a tiempo · Bajo costo total del sistema. • Muchos controladores ya se suministran con una serie de funciones interesantes • Los periféricos analógicos y digitales se pueden integrar con un mínimo esfuerzo de componente
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-13%37
- Panasonic -
0.13 EUR 0.15 EUR
PANASONIC NHG-A 10U 50 3 - Elko, radial, 10 microF, 50 V, RM2, 105 °C, 1000 h, 20%
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Transporte: 9.95 EUR

Brand: Panasonic
MPN: eca1hhg100i
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Condensador electrolítico radial Vida útil de 1000 - 2000 horas a 105 °C.
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-12%38
- Panasonic -
0.84 EUR 0.96 EUR
PANASONIC EE-A 22U 350 - Elko radial, 22microF, 350V, 105°C, high ripple
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Brand: Panasonic
MPN: eeuee2v220
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Condensador electrolítico de aluminio Radial, cableada Serie: EE Tipo: A Características �• Corriente de ripple alta (a alta frecuencia): 40% mayor que la serie ED �• Resistencia: 105 °C 8000 h a 10000 h
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