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1 
Brand: Infineon
MPN: ipa60r600c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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- Infineon -
1.47 EUR
Infineon Ipa60r600c6 - Mosfet N-ch 600v 7,3a 28w 0,6r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipa60r600c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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2 
Brand: Infineon
MPN: ipw60r190e6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ E6 Power MOSFET Características • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, halógeno free Aplicaciones Día PFC, día de modulación por ancho de pulsos de conmutación dura y conmutación resonante PWM tag para p. ej. PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP, Iluminación, servidores, telecomunicaciones y UPS.
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4.47 EUR
Infineon Ipw60r190e6 - Mosfet N-ch 600v 20,2a 151w 0,19r To247
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipw60r190e6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ E6 Power MOSFET Características • Extremely low losses due to very low FOM Rdson * Qg and Eoss • Muy alto nivel de conmutación • Fácil de usar/conducir • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, halógeno free Aplicaciones Día PFC, día de modulación por ancho de pulsos de conmutación dura y conmutación resonante PWM tag para p. ej. PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP, Iluminación, servidores, telecomunicaciones y UPS.
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3 
Brand: Infineon
MPN: irf640nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla Sin plomo
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- Infineon -
0.97 EUR
Infineon Irf640nspbf - Mosfet N-ch 200v 18a 0,15r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf640nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla Sin plomo
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4 
Brand: Infineon
MPN: irfz48npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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0.72 EUR
Infineon Irfz 48n - Mosfet, N-ch 55v 64a 0,014r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfz48npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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5
Brand: Infineon
MPN: irf1010zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado especialmente para aplicaciones de automoción, Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza los últimos avances Técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por superficie de silicio. Otras características de la temperatura de funcionamiento de la capa de bloqueo de175 °C, una alta velocidad de conmutación y una evaluación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y en una amplia gama de otras aplicaciones
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1.22 EUR
Infineon Irf 1010z - Mosfet, N-ch 55v 94a 0,0075r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1010zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Diseñado especialmente para aplicaciones de automoción, Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza los últimos avances Técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por superficie de silicio. Otras características de la temperatura de funcionamiento de la capa de bloqueo de175 °C, una alta velocidad de conmutación y una evaluación de Avalon repetitiva mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y en una amplia gama de otras aplicaciones
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6 
Brand: Infineon
MPN: irf9520npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
-100V un MOSFET de potencia de canal P HEXFET en una carcasa TO-220AB Descripción: El IRF9520NPBF es un canal H EXFET® Power MOSFET de 100V de un solo canal, un HEXFET de quinta generación que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por rango de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto de elementos de construcción, para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un componente altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa se prefiere de forma universal para todas las aplicaciones comerciales e industriales con potencias de pérdida de hasta aprox. 50 W. La baja resistencia térmica y los bajos costes de carcasa del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Repetición de la calificación de Avalon • Canal p. • Temperatura de funcionamiento de 175 °C. • Cambio rápido • Fácil paralelización
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0.84 EUR
Infineon Irf9520npbf - Mosfet, P-ch, -100v 6,8a 0,48r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf9520npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
-100V un MOSFET de potencia de canal P HEXFET en una carcasa TO-220AB Descripción: El IRF9520NPBF es un canal H EXFET® Power MOSFET de 100V de un solo canal, un HEXFET de quinta generación que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por rango de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto de elementos de construcción, para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un componente altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa se prefiere de forma universal para todas las aplicaciones comerciales e industriales con potencias de pérdida de hasta aprox. 50 W. La baja resistencia térmica y los bajos costes de carcasa del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Repetición de la calificación de Avalon • Canal p. • Temperatura de funcionamiento de 175 °C. • Cambio rápido • Fácil paralelización
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Brand: Infineon
MPN: irfp7430pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Sustain, aplicaciones de conmutación de recuperación de energía y PASS QG bajo para respuesta rápida Alta capacidad de corriente pico repetitiva para la cirugía relable Short Fall & Rise Times para la conmutación rápida Temperatura de Unión operativa de 175 °C para un rugido mejorado Capacidad repetitiva de resistencia y fiabilidad
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2.44 EUR
Infineon Irfp7430pbf - Mosfet N-ch 40v 195a 0,001r, To247ac
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MPN: irfp7430pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Parámetros clave optimizados para PDP Sustain, recuperación de energía y aplicaciones de conmutación de paso Calificación baja de EPULSE para reducir la disipación de potencia en PDP Sustain, aplicaciones de conmutación de recuperación de energía y PASS QG bajo para respuesta rápida Alta capacidad de corriente pico repetitiva para la cirugía relable Short Fall & Rise Times para la conmutación rápida Temperatura de Unión operativa de 175 °C para un rugido mejorado Capacidad repetitiva de resistencia y fiabilidad
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Brand: Infineon
MPN: irf2804pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF2804PBF, HEXFET MOSFET de potencia Descripción Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en aplicaciones de automoción y en una gran variedad de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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1.88 EUR
Infineon Irf 2804 - Mosfet, N-ch 40v 75a 0,002r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf2804pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF2804PBF, HEXFET MOSFET de potencia Descripción Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja en tiempo real por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en aplicaciones de automoción y en una gran variedad de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf9z34nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irf9z34nspbf - Mosfet P-ch 55v 19a 0,1r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf9z34nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf6215strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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1.21 EUR
Infineon Irf6215strlpbf - Mosfet, P-ch, -150v -13a 0,29r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf6215strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf540nspbftrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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0.76 EUR
Infineon Irf 540ns - Mosfet, N-ch 100v 33a 0,044r, D2-pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf540nspbftrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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Brand: Infineon
MPN: irfl024ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Los HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido por, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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- Infineon -
0.41 EUR
Infineon Irfl024npbf - Mosfet N-ch 55v 4a 0,075r Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfl024ntrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Los HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido por, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: irf3808strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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2.02 EUR
Infineon Irf3808strlpbf - Mosfet, N-ch 75v 106a 0,007r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3808strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfs7734trlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc inversor de CC/CA Beneficios puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de carga y avalon SOA completamente diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
1.63 EUR
Infineon Irfs7734pbf - Mosfet N-ch 75v 183a 0,0035r D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfs7734trlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc inversor de CC/CA Beneficios puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de carga y avalon SOA completamente diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Brand: Infineon
MPN: spp04n60c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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1.83 EUR
Infineon Spp04n60c3 - Mosfet N-ch 600v 4,5a 50w 0,95r To220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: spp04n60c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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Brand: Infineon
MPN: irf1404zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Descripción Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax • sin plomo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
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1.93 EUR
Infineon Irf1404zspbf - Mosfet N-ch 40v 120a 0,0037r, D²pak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf1404zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Descripción Este sistema HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: spa07n60c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Mejora de la transconductancia • PG-TO-220-3-31;-3-111: Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)
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- Infineon -
2.02 EUR
Infineon Spa07n60c3 - Mosfet N-ch 600v 7,3a 32w 0,6r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: spa07n60c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Mejora de la transconductancia • PG-TO-220-3-31;-3-111: Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)
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Brand: Infineon
MPN: irfb7530pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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2.44 EUR
Infineon Irfb7530pbf - Mosfet N-ch 60v 195a 375w 0,002r To220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfb7530pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc Inversor de CC/CA Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Brand: Infineon
MPN: irf540ns
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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0.97 EUR
Infineon Irf540nspbf - Mosfet N-ch 100v 33a 0,044r, D²pak
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MPN: irf540ns
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r180c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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- Infineon -
3.81 EUR
Infineon Ipw60r180c7 - Mosfet N-ch 600v 13a 68w 0,18r To247
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MPN: ipw60r180c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r280c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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2.14 EUR
Infineon Ipa60r280c6 - Mosfet N-ch 600v 13,8a 32w 0,28r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipa60r280c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: irf3710zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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1.42 EUR
Infineon Irf3710zspbf - Mosfet N-ch 100v 59a 0,018r, D²pak
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Brand: Infineon
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfr7546trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc inversor de CC/CA Beneficios puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de carga y avalon SOA completamente diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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0.62 EUR
Infineon Irfr7546pbf - Mosfet N-ch 60v 56a 0,0079r To252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr7546trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicación aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas aplicaciones de accionamiento de motor BLDC Circuitos con alimentación de batería Half-bridge y full-bridge topologies aplicaciones de rectificador síncrono modo residual del soporte de alimentación conmutadores de alimentación O redundante DC/DC y convertidores ac/dc inversor de CC/CA Beneficios puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de carga y avalon SOA completamente diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo, compatible con RoHS
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Brand: Infineon
MPN: irfb3306pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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1.32 EUR
Infineon Irfb3306pbf - Mosfet N-ch 60v 120a 0,0033r, To220ab
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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r190c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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3.46 EUR
Infineon Ipp60r190c6 - Mosfet N-ch 600v 20,2a 151w 0,19r To220
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MPN: ipp60r190c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: irfz44zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, velocidad de cambio rápida y evaluación de Avalon repetida mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones.
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0.79 EUR
Infineon Irfz 44z Ir - Mosfet, N-ch 55v 36a 80w, To-220ab
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MPN: irfz44zpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, velocidad de cambio rápida y evaluación de Avalon repetida mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones.
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Brand: Infineon
MPN: spa11n80c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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4.27 EUR
Infineon Spa11n80c3 - Mosfet N-ch 800 V 11 A 0,45 R, To220-fullpak
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800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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Brand: Infineon
MPN: spp20n65c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características Baja resistencia específica en estado (RDS(ON)*A) Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @400V. Carga baja de la puerta (Qg) Calidad Fieldprobado CoolMOS™ La tecnología CoolMOS™ ha sido fabricada por INFINEON desde 1998 Beneficios: Alta eficiencia y densidad de potencia Costo/rendimiento sobresaliente Alta fiabilidad Facilidad de uso Aplicaciones de destino: Consumidor PC Power Adaptador
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6.25 EUR
Infineon Spp20n65c3 - Mosfet N-ch 650v 20,7a 0,16r, To-220
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MPN: spp20n65c3xksa1
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650V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características Baja resistencia específica en estado (RDS(ON)*A) Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @400V. Carga baja de la puerta (Qg) Calidad Fieldprobado CoolMOS™ La tecnología CoolMOS™ ha sido fabricada por INFINEON desde 1998 Beneficios: Alta eficiencia y densidad de potencia Costo/rendimiento sobresaliente Alta fiabilidad Facilidad de uso Aplicaciones de destino: Consumidor PC Power Adaptador
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r099c6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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8.24 EUR
Infineon Ipw60r099c6 - Mosfet N-ch 600v 37,9a 0,09r, To-247
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipw60r099c6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: irf9530nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Beneficios Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida P-Channel Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Power MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de International Rectificador utilize técnicas avanzadas de procesamiento para llegar a este punto resistencia extremadamente baja en el área de silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D2Pak es un conjunto de potencia de montaje superficial capaz de Accommodating the sizes up to HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la resistencia más baja posible en cualquier paquete de montaje superficial existente. El D2pak es suitable para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede estar adaptado a 2.0W en una superficie típica monte la aplicación.
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0.96 EUR
Infineon Irf9530nspbf - Mosfet P-ch 100v 14a 0,2r D²pak
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Brand: Infineon
MPN: irf9530nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Beneficios Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida P-Channel Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Power MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de International Rectificador utilize técnicas avanzadas de procesamiento para llegar a este punto resistencia extremadamente baja en el área de silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D2Pak es un conjunto de potencia de montaje superficial capaz de Accommodating the sizes up to HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la resistencia más baja posible en cualquier paquete de montaje superficial existente. El D2pak es suitable para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede estar adaptado a 2.0W en una superficie típica monte la aplicación.
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r125c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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6.2 EUR
Infineon Ipa60r125c6 - Mosfet N-ch 600v 30a 34w 0,125r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipa60r125c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: irf3808pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF3808PBF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Este Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de barrera de 175°C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Esta combinación hace que el diseño sea una elección muy eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Ventajas: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo Aplicaciones típicas • Accionamiento industrial del motor
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- Infineon -
1.93 EUR
Infineon Irf 3808 - Mosfet, N-ch 75v 140a 0,007r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf3808pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF3808PBF, HEXFET® Performance MOSFET Descripción: Este Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de barrera de 175°C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Esta combinación hace que el diseño sea una elección muy eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. Ventajas: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de conexión extremadamente baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Sin plomo Aplicaciones típicas • Accionamiento industrial del motor
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- Power a -
15.03 EUR
Power A Estuche Plegable Para Tarjetas De Juego Powera Para Nintendo Switch - Patada Sonic
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- Power a -
19.68 EUR
Power A Powera Joy-con Comfort Grip Sujeción Ergonómica
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- Power a -
47.74 EUR
Power A Powera Enhanced Wired Controller For Xbox Series Xs - Mass Effect N7
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- Power a -
34.98 EUR
Power A Powera Nscs0269-01 Funda Para Consola Portátil Funda Protectora Rígida Nintendo Multicolor, Amarillo
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- Power a -
74.97 EUR
Power A Powera Nsgp0268-01 Mando Y Volante Amarillo Bluetooth Gamepad Nintendo Switch, Nintendo Switch Lite, Nintendo Switch Oled
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38 ![]()
- Power a -
27.37 EUR
Power A Powera Moga Soporte
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39 ![]()
- Power a -
47.74 EUR
Power A Powera Enhanced Wired Púrpura Usb Gamepad Xbox Series S, Xbox Series X
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40 ![]()
- Power a -
64.07 EUR
Power A Powera Xbgp0076-01 Mando Y Volante Negro Usb Gamepad Xbox Series S, Xbox Series X
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