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Brand: Infineon
MPN: irl520nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Control del portón a nivel lógico • Montaje en superficie (IRL520NL) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL520NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: isc026n03l5satma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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Brand: Infineon
MPN: irfr1018etrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRFR1018EPbF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Aplicaciones • Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza
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Brand: Infineon
MPN: isc019n03l5satma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r190c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: ipw65r095c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: irfml8244trpbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Características RDS(on) bajo ( patrón industrial de pinout Compatible con técnicas de montaje superficial existentes RoHS Compliant containing no lead, no bromide y no halógeno MSL1, Consumer qualification
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Brand: Infineon
MPN: irlu8743pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Aplicaciones • Convertidor reductor síncrono de alta frecuencia • transformador para la alimentación de los procesadores de ordenador • convertidor con rectificación sincrónica Para telecomunicaciones y aplicaciones industriales • Alta frecuencia dc/dc aislada • Sin plomo Ventajas • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión de Avalon completamente caracterizada Y corriente
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MPN: irfh8325trpbf
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MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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MPN: irlr8743pbf
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IRLR8743PBF, MOSFET de potencia HEXFET Ventajas: • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones: • Convertidores de baja frecuencia síncronos para la alimentación de procesadores de ordenador • Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para telecomunicaciones e industria • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r280c6xksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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MPN: irlhs6376trpbf
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MOSFET de potencia de canal doble N de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 2x2 La familia StrongIRFET™ Performance MOSFET está optimizada para un RDS(on) bajo y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
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Brand: Infineon
MPN: irfp3077pbf
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Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor RDS(on) del mundo en TO-247 • Mejor puerta, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body
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MPN: irfh8330trpbf
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MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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MPN: ipw65r045c7fksa1
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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MPN: irfb3206pbf
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Aplicaciones • Dirección síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Mejor RDS(on) del mundo en TO-220 • Mejor puerta, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body
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MPN: irfiz48npbf
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HEXFET® Power MOSFET Beneficios: Compatible con RoHS RDS bajo (ON) calidad de distribución de la industria Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de funcionamiento 175 °C. Tecnología avanzada de procesos Paquete aislado Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS ? Descenso a la estiércol de Lead Creepage. = 4.8mm
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MPN: irfr4105trpbf
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HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR4105) Plomo recto (IRFU4105) Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para montar superficies con fase de vapor, infrarrojos o técnicas de aislamiento de ondas. Los niveles de disipación de potencia se pueden colocar hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje de superficie típica.
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MPN: spa16n50c3xksa1
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500V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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MPN: irls4030trl7pp
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones DC motor Drive Alta eficiencia, reconocimiento síncrono en SMPS Suministro de alimentación ininterruptible Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de alta frecuencia y conmutados duros Beneficios Optimizado para accionamiento de nivel lógico Muy bajo RDS(ON) en 4.5V VGS Superior R*Q at 4.5V VGS Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt Capacidad de caracterización y valor exacto SOA diodo cuerpo mejorado DV/dt y capacidad di/dt Sin plomo
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MPN: irfr3707ztrpbf
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MOSFET de potencia HEXFET Características R DS(on) muy bajo a 4,5V V GS Impedancia de punto de inyección ultra baja Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Sin plomo Aplicaciones Convertidores de baja frecuencia síncronos para la alimentación de procesadores de ordenador Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para telecomunicaciones e industria
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Brand: Infineon
MPN: irf8721pbf
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Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Control MOSFET de convertidores de sincronización utilizados para la alimentación del procesador de portátiles Control MOSFET para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red Beneficios Carga de puerta muy baja Baja RDS(on) en 4.5V VGS Impedancia de puerta baja Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente VGS máx. 20 V Clasificación puerta Sin plomo Descripción The IRF8721PBF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. El IRF8721PBF ha sido optimizado para los parámetros que se encuentran La operación de ángulo crítico en la sincronización incluye RDS(on) y la carga de puerta para reducir ambas conducciones y activar la conmutación. Este producto es ideal para una gran eficiencia DC-DC converters que potencia la última generación de procesadores para portátiles y aplicaciones Netcom.
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Brand: Infineon
MPN: irfh8334trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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Brand: Infineon
MPN: irfhs8342trpbf
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La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren potencia y robustez. La completa cartera es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC. Características especiales #puntodebullición# RDSon bajos (= 16 mOhm) #punto de mira# baja resistencia térmica a la placa de circuito impreso (= 13°C/W) #punto de bala# perfil bajo (= 1,0 mm) #punto de mira# pinout estándar de la industria
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Brand: Infineon
MPN: irlhs6276trpbf
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La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, entre las que se incluyen motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de corriente continua. Características especiales • RDSon bajo (= 45 meses) • Baja resistencia térmica a la placa de circuitos impresos (= 19 °C/W) • Perfil bajo (= 1,0 mm) • Diseño de pines estándar de la industria
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Brand: Infineon
MPN: irlb8748pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia HEXFET Características R DS(on) muy bajo a 4,5V VGS Impedancia de punto de inyección ultra baja Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Sin plomo Aplicaciones Optimizado para aplicaciones UPS/inversor Convertidores de baja frecuencia síncronos para la alimentación de procesadores de ordenador Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para telecomunicaciones e industria
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Brand: Infineon
MPN: irlhs2242trpbf
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MOSFET de potencia de canal P de -20 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 2x2 La familia StrongIRFET™ Performance MOSFET está optimizada para un RDS(on) bajo y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
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Brand: Infineon
MPN: irl7833pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia HEXFET Características R DS(on) muy bajo a 4,5V VGS Impedancia de punto de inyección ultra baja Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Sin plomo Aplicaciones Convertidores de baja frecuencia síncronos para la alimentación de procesadores de ordenador Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para telecomunicaciones e industria
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Brand: Infineon
MPN: irf8714trpbf
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MOSFET de potencia HEXFET Características Carga de puerta muy baja R DS(on) muy bajo a 4,5V VGS Impedancia de punto de inyección ultra baja Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Sin plomo Aplicaciones MOSFET de control para convertidor de sincronización a bus para la alimentación de procesadores para portátiles MOSFET de control para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r180c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r099c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

600 V CoolMOS™ C7 Power MOSFET Características • Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) • MOSFET dv/dt de marcha a 120V/ns • Incremento de la eficiencia debido a la mejor en clase FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Aparecen economías de escala por uso en las topologías PFC y PWM de la aplicación • El límite superior dv/dt permite la conmutación por error al máximo rendimiento • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta mediante la conmutación inferior • Aumento de las soluciones de densidad de potencia a causa de los paquetes • Es muy razonable para aplicaciones como servidor, telecom y solar • Las frecuencias de conmutación superiores pueden ser posibles sin pérdidas en eficiencia debido a un bajo nivel de consumo y de Qg Aplicaciones Día PFC y día PWM (TTF, LLC) para alta potencia/rendimiento SMPS, por ejemplo, Computing, Server, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: irl7833strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Convertidores de frecuencia síncronos de alta para alimentación del procesador de equipos Convertidores dc-dc aislados de alta frecuencia con reconocimiento síncrono para telecomunicaciones y consumo Sin plomo Beneficios Muy bajo RDS(on) en 4.5V VGS Impedancia de puerta ultrabaja Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente
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