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Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRF7319, HEXFET® PERFORMANCE MOSFET Descripción Los HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja en el interior por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un componente extremadamente eficiente y fiable para una gran variedad de aplicaciones. El SO-8 ha sido modificado por un marco de carga personalizado para mejorar las propiedades térmicas y la capacidad de utilizar varios componentes, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones de rendimiento. Gracias a estas mejoras, se pueden utilizar varios componentes en una sola aplicación, con lo que se reduce drásticamente el espacio necesario en la placa de circuito impreso. La carcasa está diseñada para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. Características: • Tecnología de generación V. • Resistencia de encendido ultra baja • MOSFET de canal doble N y p. • Montaje en superficie • Totalmente apto para Avalon
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HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación que se puede montar en la superficie y admite tamaños de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia interna de conexión y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. La versión de orificio pasante (IRL530NL) está disponible para aplicaciones de perfil bajo. Características • Tecnología de proceso avanzada • Montaje en superficie (IRL530NS) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL530NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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IRF820, MOSFET de potencia DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto de equipos, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad.el chasis TO-220AB es generalmente preferido para aplicaciones comerciales-industriales con potencias de pérdida de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en la industria. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Fácil de paralelizar • Requisitos de tracción sencillos • Conforme a la directiva 2002/95/CE RoHS
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR4105) Plomo recto (IRFU4105) Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para montar superficies con fase de vapor, infrarrojos o técnicas de aislamiento de ondas. Los niveles de disipación de potencia se pueden colocar hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje de superficie típica.
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia mediante silicon area. Las características adicionales de este diseño son a 175 °C temperatura de funcionamiento de la junta, velocidad de conmutación rápida y calificación crediticia de valor repetitivo mejorada. Estas características combinan para hacer este diseño de un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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La quinta generación de HEXFET de International Representative utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El TO-220 Fullpark elimina la necesidad de hardware aislante adicional en aplicaciones comerciales e industriales. La masa de moldeo utilizada es resistente a una barrera de mica de 100 micras en los productos TO-220 estándar. El Fullpark se fija a un disipador de calor con un único clip o tornillo. • Tecnología de proceso avanzada • Carcasa aislada • aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS • Distancia de fuga entre la detección y el cable = 4,8 mm • Totalmente apto para Avalon • Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Sistemas de MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de tecnologías de procesamiento avanzadas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET® están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. El D-Park está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU) está diseñada para montaje pasante. En las aplicaciones típicas de montaje superficial, se pueden producir pérdidas de hasta 1,5 vatios.
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Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja P-Channel Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead free
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HEXFET® Power MOSFET Características: Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología Genaration V. Resistencia ultra baja MOSFET de canal doble N y p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo Descripción This HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más técnicas para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. las características adicionales de este diseño funcionan a 175 °C de unión temperatura, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalon repetitiva mejorada. Estas características combinarán este diseño con un gran efecto y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Montaje en superficie (IRFR110, SiHFR110) • Plomo recto (IRFU110, SiHFU110) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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Este HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, velocidad de cambio rápida y evaluación de Avalon repetida mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Características Accionamiento de puerta de nivel lógico Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRLR3410) Tecnología avanzada de procesos Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance by silicon area. Esto se ajusta, combinado con la velocidad de conmutación rápida y diseño de dispositivos rugedized que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia de paso posible por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia gama de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para el montaje superficial con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con cables de conexión rectos (serie IRFU) está diseñada para aplicaciones de montaje en orificio pasante. La disipación de hasta 1,5 vatios es posible en aplicaciones de montaje superficial típicas. Características • Montaje en superficie (IRLR120N) • Línea recta (IRLU120N) • Tecnología de proceso avanzada • Cambio rápido • Rated Full Avalon • sin plomo
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Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio.
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HEXFET® Power MOSFET Aplicaciones típicas Alternador de arranque integrado 42 Volts Automotive Electrical Systems Sin plomo Beneficios Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax
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HEXFET® Power MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de rendimiento HEXFET® aprovecha las innovaciones más recientes, características adicionales de temperatura de funcionamiento, velocidad de conmutación rápida y evaluación de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en la industria del automóvil y una gran variedad de otras aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax
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HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción HEXFETs de Fifth Generation from International Rectifier utilize técnicas avanzadas de procesamiento para llegar a una resistencia extrema a la silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Los MOSFET de potencia HEXFETA avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Descripción • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • Valor dv/dt dinámico • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Evaluación completa de Avalon • sin plomo
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HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción La generación de fibras HEXFETS utilize técnicas avanzadas de procesamiento para proporcionar una resistencia extrema a la resistencia a la silicona. Esto se debe a que se combinan con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos de conmutación rápida que son MOSFET de potencia HEXFET well known for, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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HEXFET® Power MOSFET Montaje de superficie Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Ease de paralelismos Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido que los MOSFET de potencia HEXFET están bien conocido, proporcione al diseñador un rendimiento extremo y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Alimentación HEXFET MOSFET Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo
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Los HEXFET de tercera generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de paso extremadamente baja por cada superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la caja TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
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Alimentación HEXFET MOSFET Accionamiento de puerta de nivel lógico Tecnología avanzada de procesos Ultra bajo en resistencia Montaje de superficie Ease de paralelismos Conmutación rápida Dynamic dv/dt Rating Sin plomo
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Los MOSFET de quinta generación de potencia HEXFETÆ de INTERNATIONAL RECTIFIER utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que se conocen los MOSFET POWER, proporciona al desarrollador un dispositivo altamente eficiente y confiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 se prefiere generalmente para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una disipación de potencia de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y el bajo costo del recinto TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. El D2PAK es una caja de alimentación montable en superficie que puede acomodar tamaños de chip hasta HEX-4. Ofrece el mayor rendimiento y la menor resistencia posible en cualquier carcasa de montaje en superficie existente. El D2PAK es adecuado para aplicaciones de alta corriente porque tiene una baja resistencia de enlace interno y puede acomodar hasta 2,0W en una aplicación típica montada en superficie. La versión de orificio pasante (IRF630NL) está disponible para aplicaciones de bajo perfil. Propiedades • Tecnología de proceso avanzada • Evaluación dinámica dv/dt • 175°C temperatura de funcionamiento • Cambio rápido • Totalmente Avalanche-adecuado • Cambio rápido • Paralelización simple • sin plomo
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Los sistemas HEXFET de tercera generación de International Rectifier ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 patillas es una forma de carcasa económica y de uso en máquina que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1 pulgadas. La doble lámina adhesiva sirve como conexión térmica a la superficie de montaje y permite una pérdida de potencia de hasta 1 vatio. Características • Valor dv/dt dinámico • Para el uso automático • Apilable al final • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos
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Alimentación HEXFET MOSFET Resistencia ultra baja Montaje de superficie Tecnología avanzada de procesos conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Lead Free
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Brand: Bosch
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Brand: Hi Tec
EAN: 807014061405

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EAN: 195980464154

Brand: Columbia
EAN: 195980464079

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EAN: 195980244411

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Brand: Columbia
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Brand: Rapid
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Brand: Rapid
EAN: 7313468682002

Brand: Rapid
EAN: 4051661035166

Brand: Rapid
EAN: 4051661013478

Brand: Rapid
EAN: 4051661035180

Brand: Rapid
EAN: 4051661013485

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Brand: High Peak
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Brand: Columbia
EAN: 0195980464178

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EAN: 0195980464222

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EAN: 5054563107329