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1 
Brand: Infineon
MPN: isc026n03l5satma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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Infineon in Componentes eléctricos y electrónicos
- Infineon -
2.02 EUR
Infineon Isc026n03l5s - Mosfet, N-ch 30v 100a Rds(on)0,0026r, Tdson-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: isc026n03l5satma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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2 
Brand: Infineon
MPN: irl520nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Control del portón a nivel lógico • Montaje en superficie (IRL520NL) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL520NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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Infineon Irl 520ns - Mosfet, N-ch 100v 10a Rds (on) 0,18r, D2-pak
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Brand: Infineon
MPN: irl520nspbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por superficie de silicio. Esta ventaja, junto con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo para el que se conocen los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al desarrollador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Tecnología de proceso avanzada • Control del portón a nivel lógico • Montaje en superficie (IRL520NL) • Taladro pasante de perfil bajo (IRL520NL) • Temperatura de funcionamiento 175 °C. • Cambio rápido • Totalmente apto para Avalon • sin plomo
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3
Brand: Infineon
MPN: isc019n03l5satma1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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2.02 EUR
Infineon Isc019n03l5s - Mosfet, N-ch 30v 100a Rds(on)0.0019r, Tdson-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: isc019n03l5satma1
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MOSFET de potencia de baja tensión con amplia accesibilidad y una relación precio/rendimiento competitiva Con la gama combinada de productos Infineon OptiMOS™ y StrongIRFET™ Performance MOSFET, Infineon ofrece la opción adecuada para los más diversos clientes y sus necesidades. Ofrecemos los productos adecuados, especialmente para los clientes que buscan una solución sencilla y económica, pero que desean disfrutar de un suministro estable con la calidad demostrada de Infineon. Características especiales Relación calidad-precio competitiva Fácil aplicación y desarrollo, y si se necesita soporte, disponibilidad de herramientas de simulación en línea y comparación de componentes Elección segura gracias a los más altos estándares de calidad del sector y a un suministro estable y a largo plazo
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4 
Brand: Infineon
MPN: irfr1018etrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFR1018EPbF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Aplicaciones • Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza
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1.01 EUR
Infineon Irfr1018epbf - Mosfet N-ch 60v 56a Ds(on) 0,0084r, To252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr1018etrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFR1018EPbF, HEXFET MOSFET de potencia Ventajas • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejora de la capacidad DV/dt y di/dt del diodo Body Aplicaciones • Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza
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5 
Brand: Infineon
MPN: irfml8244trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Características RDS(on) bajo ( patrón industrial de pinout Compatible con técnicas de montaje superficial existentes RoHS Compliant containing no lead, no bromide y no halógeno MSL1, Consumer qualification
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0.25 EUR
Infineon Irfml8244pbf - Mosfet N-ch 25v 5,8a 0,024r Sot23
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Brand: Infineon
MPN: irfml8244trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Características RDS(on) bajo ( patrón industrial de pinout Compatible con técnicas de montaje superficial existentes RoHS Compliant containing no lead, no bromide y no halógeno MSL1, Consumer qualification
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6 
Brand: Infineon
MPN: irfh8325trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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1.01 EUR
Infineon Irfh8325 - Mosfet, N-ch 30v 82a 0,0041r, Qfn-8
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Brand: Infineon
MPN: irfh8325trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r190c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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3.46 EUR
Infineon Ipp60r190c6 - Mosfet N-ch 600v 20,2a 151w 0,19r To220
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MPN: ipp60r190c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: ipw65r095c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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5.75 EUR
Infineon Ipw65r095c7 - Mosfet N-ch 650v 24a 128w 0,095r To247
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Brand: Infineon
MPN: ipw65r095c7xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: irlu8743pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Aplicaciones • Convertidor reductor síncrono de alta frecuencia • transformador para la alimentación de los procesadores de ordenador • convertidor con rectificación sincrónica Para telecomunicaciones y aplicaciones industriales • Alta frecuencia dc/dc aislada • Sin plomo Ventajas • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión de Avalon completamente caracterizada Y corriente
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1.01 EUR
Infineon Irlu 8743 - Mosfet, N-ch 30v 160a 135w, To-251aa
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Brand: Infineon
MPN: irlu8743pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Aplicaciones • Convertidor reductor síncrono de alta frecuencia • transformador para la alimentación de los procesadores de ordenador • convertidor con rectificación sincrónica Para telecomunicaciones y aplicaciones industriales • Alta frecuencia dc/dc aislada • Sin plomo Ventajas • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión de Avalon completamente caracterizada Y corriente
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Brand: Infineon
MPN: irlr8743pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRLR8743PBF, MOSFET de potencia HEXFET Ventajas: • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones: • Convertidores de baja frecuencia síncronos para la alimentación de procesadores de ordenador • Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para telecomunicaciones e industria • Sin plomo
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1.01 EUR
Infineon Irlr8743pbf - Mosfet N-logl, 30v 160a 0,0031r, To252aa
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Brand: Infineon
MPN: irlr8743pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRLR8743PBF, MOSFET de potencia HEXFET Ventajas: • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Aplicaciones: • Convertidores de baja frecuencia síncronos para la alimentación de procesadores de ordenador • Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para telecomunicaciones e industria • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf8721pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Control MOSFET de convertidores de sincronización utilizados para la alimentación del procesador de portátiles Control MOSFET para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red Beneficios Carga de puerta muy baja Baja RDS(on) en 4.5V VGS Impedancia de puerta baja Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente VGS máx. 20 V Clasificación puerta Sin plomo Descripción The IRF8721PBF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. El IRF8721PBF ha sido optimizado para los parámetros que se encuentran La operación de ángulo crítico en la sincronización incluye RDS(on) y la carga de puerta para reducir ambas conducciones y activar la conmutación. Este producto es ideal para una gran eficiencia DC-DC converters que potencia la última generación de procesadores para portátiles y aplicaciones Netcom.
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0.49 EUR
Infineon Irf8721pbf - Mosfet N-ch 30v 14a 0,0085r So8
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Brand: Infineon
MPN: irf8721pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Control MOSFET de convertidores de sincronización utilizados para la alimentación del procesador de portátiles Control MOSFET para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red Beneficios Carga de puerta muy baja Baja RDS(on) en 4.5V VGS Impedancia de puerta baja Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente VGS máx. 20 V Clasificación puerta Sin plomo Descripción The IRF8721PBF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. El IRF8721PBF ha sido optimizado para los parámetros que se encuentran La operación de ángulo crítico en la sincronización incluye RDS(on) y la carga de puerta para reducir ambas conducciones y activar la conmutación. Este producto es ideal para una gran eficiencia DC-DC converters que potencia la última generación de procesadores para portátiles y aplicaciones Netcom.
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Brand: Infineon
MPN: spa16n50c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
500V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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3.31 EUR
Infineon Spa16n50c3 - Mosfet N-ch 500v 16a 34w 0,28r To220-fullpak
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Brand: Infineon
MPN: spa16n50c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
500V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Característica • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • El mejor RDS(ON) en todo el mundo en 220 • Cargo de puerta ultra bajo • Avalancha periódica clasificada • Clasificación extrema dv/dt • Capacidades efectivas ultra bajas • Mejora de la transconductancia
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Brand: Infineon
MPN: irfr3707ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características R DS(on) muy bajo a 4,5V V GS Impedancia de punto de inyección ultra baja Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Sin plomo Aplicaciones Convertidores de baja frecuencia síncronos para la alimentación de procesadores de ordenador Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para telecomunicaciones e industria
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0.56 EUR
Infineon Irfr3707ztrpbf - Mosfet, N-ch 30v 56a 0,0095r, To-252aa
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Brand: Infineon
MPN: irfr3707ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características R DS(on) muy bajo a 4,5V V GS Impedancia de punto de inyección ultra baja Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Sin plomo Aplicaciones Convertidores de baja frecuencia síncronos para la alimentación de procesadores de ordenador Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para telecomunicaciones e industria
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Brand: Infineon
MPN: irfr4105trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR4105) Plomo recto (IRFU4105) Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para montar superficies con fase de vapor, infrarrojos o técnicas de aislamiento de ondas. Los niveles de disipación de potencia se pueden colocar hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje de superficie típica.
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0.53 EUR
Infineon Irfr4105pbf - Mosfet N-ch 55v 27a 0,045r To252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfr4105trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Resistencia ultra baja Montaje en superficie (IRFR4105) Plomo recto (IRFU4105) Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Las HEXFETS de Fifth Generation de International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance by silicon area. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para montar superficies con fase de vapor, infrarrojos o técnicas de aislamiento de ondas. Los niveles de disipación de potencia se pueden colocar hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje de superficie típica.
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Brand: Infineon
MPN: irf8313trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Interruptor de carga Conversión CC/CC Beneficios Carga de puerta baja y RDS bajo (ON) Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente VGS máx. 20 V Clasificación puerta Prueba al 100% para RG Sin plomo (flujo de reflujo de hasta 260 °C cualificado) Compatible con RoHS (libre de halógenos) Descripción The IRF8313PBF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. El IRF8313PBF ha sido optimizado para los parámetros que se encuentran La operación de ángulo crítico en la sincronización incluye RDS(on) y la carga de puerta para reducir ambas conducciones y activar la conmutación. La reducción total de pérdidas hace que este producto sea ideal para los convertidores dc-dc de alta eficiencia que pueden ser la última generación de procesadores para portátiles y aplicaciones Netcom.
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0.5 EUR
Infineon Irf8313pbf - Mosfet Doble N-ch 30v 9,7a 0,0125r, So-8
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Brand: Infineon
MPN: irf8313trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Alimentación HEXFET MOSFET Aplicaciones Interruptor de carga Conversión CC/CC Beneficios Carga de puerta baja y RDS bajo (ON) Tensión y corriente de Avalon Characterized completamente VGS máx. 20 V Clasificación puerta Prueba al 100% para RG Sin plomo (flujo de reflujo de hasta 260 °C cualificado) Compatible con RoHS (libre de halógenos) Descripción The IRF8313PBF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. El IRF8313PBF ha sido optimizado para los parámetros que se encuentran La operación de ángulo crítico en la sincronización incluye RDS(on) y la carga de puerta para reducir ambas conducciones y activar la conmutación. La reducción total de pérdidas hace que este producto sea ideal para los convertidores dc-dc de alta eficiencia que pueden ser la última generación de procesadores para portátiles y aplicaciones Netcom.
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Brand: Infineon
MPN: irfhs8342trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren potencia y robustez. La completa cartera es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC. Características especiales #puntodebullición# RDSon bajos (= 16 mOhm) #punto de mira# baja resistencia térmica a la placa de circuito impreso (= 13°C/W) #punto de bala# perfil bajo (= 1,0 mm) #punto de mira# pinout estándar de la industria
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0.75 EUR
Infineon Irfhs8342 - Mosfet, N-ch 30v 8,8a 0,016r, Qfn-6
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfhs8342trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren potencia y robustez. La completa cartera es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC. Características especiales #puntodebullición# RDSon bajos (= 16 mOhm) #punto de mira# baja resistencia térmica a la placa de circuito impreso (= 13°C/W) #punto de bala# perfil bajo (= 1,0 mm) #punto de mira# pinout estándar de la industria
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Brand: Infineon
MPN: irf8714trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Carga de puerta muy baja R DS(on) muy bajo a 4,5V VGS Impedancia de punto de inyección ultra baja Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Sin plomo Aplicaciones MOSFET de control para convertidor de sincronización a bus para la alimentación de procesadores para portátiles MOSFET de control para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red
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0.46 EUR
Infineon Irf8714trpbf - Mosfet, N-ch 30v 14a 0,0087r, So-8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irf8714trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia HEXFET Características Carga de puerta muy baja R DS(on) muy bajo a 4,5V VGS Impedancia de punto de inyección ultra baja Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas Sin plomo Aplicaciones MOSFET de control para convertidor de sincronización a bus para la alimentación de procesadores para portátiles MOSFET de control para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r125c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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6.2 EUR
Infineon Ipa60r125c6 - Mosfet N-ch 600v 30a 34w 0,125r To220-fullpak
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r125c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r160c6fksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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5.49 EUR
Infineon Ipw60r160c6 - Mosfet N-ch 600v 23,8a 0,14r, To-247
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Brand: Infineon
MPN: ipw60r160c6fksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: ipp60r160c6xksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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3.25 EUR
Infineon Ipp60r160c6 - Mosfet N-ch 600v 23,8a 176w 0,16r To220
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MPN: ipp60r160c6xksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: irlhs6242trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren potencia y robustez. La completa cartera es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC. Características especiales #puntodebullición# RDSon bajos (= 11,7 mOhm) #punto de mira# baja resistencia térmica a la placa de circuito impreso (= 13°C/W) #punto de bala# perfil bajo (= 1,0 mm) #punto de mira# pinout estándar de la industria
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1.01 EUR
Infineon Irlhs6242 - Mosfet, N-ch 20v 22a 0,0117r, Qfn-6
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Brand: Infineon
MPN: irlhs6242trpbf
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La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para un bajo RDS(on) y una alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren potencia y robustez. La completa cartera es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC. Características especiales #puntodebullición# RDSon bajos (= 11,7 mOhm) #punto de mira# baja resistencia térmica a la placa de circuito impreso (= 13°C/W) #punto de bala# perfil bajo (= 1,0 mm) #punto de mira# pinout estándar de la industria
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Brand: Infineon
MPN: irfr3709ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Aplicaciones • Convertidores sincrónicos de alta frecuencia para la alimentación de los procesadores de ordenador • Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para aplicaciones industriales y de telecomunicaciones • sin plomo Ventajas • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas
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0.6 EUR
Infineon Irfr3709zpbf - Mosfet N-ch 30v 86a 0,0065r To252aa
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MPN: irfr3709ztrpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Aplicaciones • Convertidores sincrónicos de alta frecuencia para la alimentación de los procesadores de ordenador • Convertidores dc-dc de alta frecuencia aislados con rectificación síncrona para aplicaciones industriales y de telecomunicaciones • sin plomo Ventajas • RDS(on) muy bajo a 4,5V VGS • Impedancia de punto de inyección ultra baja • Tensión y corriente de Avalon completamente caracterizadas
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Brand: Infineon
MPN: irfhm830trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de 30 V de canal N simple StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 3,3 x 3,3 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, entre las que se incluyen motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de corriente continua.
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1.47 EUR
Infineon Irfhm830 - Mosfet, N-ch 30v 21a 0,003r, Qfn-8
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MPN: irfhm830trpbf
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MOSFET de potencia de 30 V de canal N simple StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 3,3 x 3,3 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, entre las que se incluyen motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de corriente continua.
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Brand: Infineon
MPN: irfh8334trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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0.85 EUR
Infineon Irfh8334 - Mosfet, N-ch 30v 44a 0,0072r, Qfn-8
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MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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Brand: Infineon
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MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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0.9 EUR
Infineon Irfh8330 - Mosfet, N-ch 30v 56a 0,0053r, Qfn-8
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MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una carcasa PQFN 5x6 La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características Carcasa estándar industrial para montaje en superficie Cualificación de productos según el estándar JEDEC Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de Diodo Body más blando en comparación con la generación anterior de silicio
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Brand: Infineon
MPN: irfhs8242trpbf
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La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, entre las que se incluyen motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de corriente continua. Características especiales • RDSon bajo (= 13 meses) • Baja resistencia térmica a la placa de circuitos impresos (= 13 °C/W) • Perfil bajo (= 1,0 mm) • Diseño de pines estándar de la industria
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0.91 EUR
Infineon Irfhs8242 - Mosfet, N-ch 25v 8,5a 0,013r, Qfn-6
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: irfhs8242trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los componentes son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, entre las que se incluyen motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de corriente continua. Características especiales • RDSon bajo (= 13 meses) • Baja resistencia térmica a la placa de circuitos impresos (= 13 °C/W) • Perfil bajo (= 1,0 mm) • Diseño de pines estándar de la industria
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Brand: Infineon
MPN: ipw65r045c7fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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18.81 EUR
Infineon Ipw65r045c7 - Mosfet N-ch 650v 46a 227w 0,045r To247
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Transporte: 9.95 EUR
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r600c6xksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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1.47 EUR
Infineon Ipa60r600c6 - Mosfet N-ch 600v 7,3a 28w 0,6r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
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MPN: ipa60r600c6xksa1
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600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: ipa60r099c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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6.66 EUR
Infineon Ipa60r099c6 - Mosfet N-ch 600v 37,9a 35w 0,099r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Infineon
MPN: ipa60r099c6xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
600 V CoolMOS™ C6 Power MOSFET Características: control sencillo del comportamiento de conmutación Pérdidas extremas debido a la muy baja figura del mérito (R DS(on)* Q g y E oss) Muy alto nivel de conmutación Fácil de usar Mejor eficacia de carga comparada con C3 fiabilidad de salida con calidad de CoolMOS™ combada con la dureza del diodo de cuerpo alto Mejor rendimiento en comparación con las generaciones anteriores de CoolMOS™ Más eficiente, más compacto, más claro y más fresco Beneficios: Densidad de potencia mejorada fiabilidad mejorada La característica general puede utilizarse en dos opciones de conmutación suaves y duras La mejor eficacia de carga Mejora de la eficacia en aplicaciones de conmutación de hardware Se ha mejorado el uso Reduce las posibilidades de reducción mediante la disposición de los pcb y los efectos parasitarios de los paquetes Aplicaciones: Consumidor Adaptador EMobility Día PFC para servidores y telecomunicaciones SMPS alimentación del PC Solar Iluminación
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Brand: Infineon
MPN: irlb3036pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Aplicaciones • Accionamiento del motor CC • Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Circuitos de potencia de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Optimizado para Logic Level Drive • RDS(ON) muy bajo a 4,5V VGS • Excelente R*Q a 4,5V VGS • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejor capacidad de diodo de cuerpo DV/dt y di/dt • sin plomo
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2.75 EUR
Infineon Irlb 3036 Ir - Mosfet, N-ch 60v 270a 0,0019r, To-220
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MPN: irlb3036pbf
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Aplicaciones • Accionamiento del motor CC • Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS • Sistema de alimentación ininterrumpida • Circuitos de potencia de alta velocidad • Conmutaciones de alta frecuencia y conmutadas con dureza Ventajas • Optimizado para Logic Level Drive • RDS(ON) muy bajo a 4,5V VGS • Excelente R*Q a 4,5V VGS • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA • Mejor capacidad de diodo de cuerpo DV/dt y di/dt • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irfiz48npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Beneficios: Compatible con RoHS RDS bajo (ON) calidad de distribución de la industria Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de funcionamiento 175 °C. Tecnología avanzada de procesos Paquete aislado Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS ? Descenso a la estiércol de Lead Creepage. = 4.8mm
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1.22 EUR
Infineon Irfiz48npbf - Mosfet N-ch 55v 40a 54w 0,016r To220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
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MPN: irfiz48npbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
HEXFET® Power MOSFET Beneficios: Compatible con RoHS RDS bajo (ON) calidad de distribución de la industria Dynamic dv/dt Rating Conmutación rápida Aconsejado completamente Avalon Temperatura de funcionamiento 175 °C. Tecnología avanzada de procesos Paquete aislado Aislamiento de alta tensión = 2,5KVRMS ? Descenso a la estiércol de Lead Creepage. = 4.8mm
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Brand: Infineon
MPN: ipp65r125c7xksa1
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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3.36 EUR
Infineon Ipp65r125c7 - Mosfet N-ch 650v 18a 101w 0,125r To220
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MOSFET de potencia de 650V CoolMOS™ C7 Características • Creación de MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) * Eoss and RDS(on) * Qg • El mejor RDS(on) /paquete de su clase • Fácil de usar/conducir • PB-free plating, compuesto de mold libre de halógenos • Calificación para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22) Beneficios • Habilitación de la eficiencia del sistema más alta • Enabling Highfrequency / increased power density solutions • El sistema tiene un coste / tamaño reducido debido a los requisitos de cooling • fiabilidad del sistema superior debido a la baja temperatura de funcionamiento Aplicaciones Día PFC y cambio de hardware: Día PWM para, por ejemplo, informática, servidor, Telecom, UPS y Solar.
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