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Brand: Infineon
MPN: ipw60r041p6fksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia Cool MOS C6 La serie C6 de CoolMOS™ ofrece todas las ventajas de un MOSFET de superUnión rápida. Las pérdidas de conmutación y de línea extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas, ligeras y frías. Características Pérdidas extremadamente bajas debido a un índice de rendimiento muy bajo R DS(on) Q g y Eoss Muy alta resistencia a la conmutación Fácil de usar Certificación JEDEC, recubrimiento de plomo sin Pb, sin halógenos Aplicaciones Niveles PFC, niveles PWM conmutables HART/resonantes, p. ej., PC Silver Box, adaptador, TV LCD y PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y UPS.
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Brand: Infineon
MPN: irf9540nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia HEXFET de canal P simple de 100V en una carcasa D2-Pakt Descripción: Las características de este diseño son una temperatura de funcionamiento de capa de cierre de 150 °C, una velocidad de cambio rápida y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un dispositivo altamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Características: • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia ultra baja en tiempo real • 150 °C de temperatura de servicio • Cambio rápido • Se permite la avalancha de repetición hasta Tjmax • Algunos parámetros son diferentes de IRF9540NS/L. • Canal p. • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf9z34nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p. Aconsejado completamente Avalon Conmutación rápida Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf9530nstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Beneficios Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida P-Channel Aconsejado completamente Avalon Sin plomo Descripción Power MOSFET de Fifth Generation HEXFET® de International Rectificador utilize técnicas avanzadas de procesamiento para llegar a este punto resistencia extremadamente baja en el área de silicona. Esto se debe a que se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos con cambio de marcha rápido, que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos, proporcionando al diseñador un dispositivo extremadamente eficaz y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El D2Pak es un conjunto de potencia de montaje superficial capaz de Accommodating the sizes up to HEX-4. Proporciona la mayor capacidad de potencia y la resistencia más baja posible en cualquier paquete de montaje superficial existente. El D2pak es suitable para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede estar adaptado a 2.0W en una superficie típica monte la aplicación.
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Brand: Infineon
MPN: irf5210spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Entre las características de este diseño se incluyen una temperatura de funcionamiento de capa de bloqueo de 150 °C, una alta velocidad de conmutación y una tasa de repetición de Avalon mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente extremadamente eficiente y fiable para su uso en una gran variedad de aplicaciones. Descripción • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia en marcha extremadamente baja • 150 °C de temperatura de servicio • Cambio rápido • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax • Algunos parámetros son diferentes a los del IRF5210S/L. • Canal p. • sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf6215strlpbf
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MOSFET de potencia HEXFET Este HEXFET Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de arranque extremadamente baja por cada superficie de silicio. Otras características de este diseño son la temperatura de funcionamiento de la capa de cierre de 175 °C, la alta velocidad de conmutación y la mejora de la evaluación repetitiva de Avalon. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción altamente eficiente y fiable para una amplia gama de aplicaciones. Características Tecnología de proceso avanzada Resistencia de conexión extremadamente baja Valor dv/dt dinámico Temperatura de funcionamiento 175 °C. Cambio rápido Se evalúa completamente Avalon Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf5305strlpbf
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HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Montaje de superficie Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Se ha restado completamente la avalancha Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf4905strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia HEXFET® Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia a la conexión ultrabaja Temperatura de funcionamiento: 150 °C Conmutación rápida Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf5210strlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

IRF5210S , HEXFET® MOSFET DE POTENCIA Descripción Este diseño se caracteriza por una temperatura de funcionamiento de capa de bloqueo de 150 °C, una alta velocidad de conmutación y una calificación de repetición de avalancha mejorada. Estas características hacen de este diseño un componente de construcción extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Características • Tecnología de proceso avanzada • Resistencia de encendido ultra baja • 150 °C de temperatura de servicio • Cambio rápido • Se permiten varias veces Avalon hasta Tjmax • Algunos parámetros son diferentes a los del IRF5210S/L. • Canal p. • Sin plomo
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Brand: Infineon
MPN: irf7416pbf
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-30V un canal P HEXFET MOSFET de potencia en la carcasa SO-8 Ventajas: Compatible con RoHS RDS(on) bajo Calidad líder del sector Evaluación dinámica dv/dt Cambio rápido Totalmente apto para viento Temperatura de funcionamiento 175 °C. MOSFET de canal p.
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