Silicon Power | ofertas similares hoy
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Brand: Microchip
MPN: msc080sma330b4
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MSC080SMA330B4, 3300 V, 80 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El dispositivo MSC080SMA330B4 es de 3300 V, 80 Mo SiC MOSFET en un paquete TO-247-4L con detección de fuente. Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 150 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía .
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Microchip in Componentes eléctricos y electrónicos
- Microchip -
139.25 EUR
Microchip Msc080sma330b4 - Sic-mosfet N-ch 3300v 41a 0,08r, To-247-4l
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Microchip
MPN: msc080sma330b4
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MSC080SMA330B4, 3300 V, 80 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El dispositivo MSC080SMA330B4 es de 3300 V, 80 Mo SiC MOSFET en un paquete TO-247-4L con detección de fuente. Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 150 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía .
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