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Brand: Microchip
MPN: dn3545n3g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

FET de canal N vertical DMOS en modo de reposo Descripción Estos transistores de brazo (normally-on) utilizan una estructura vertical avanzada de DMOS y el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación da lugar a elementos constructivos con las capacidades de potencia de los transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo propios de los componentes MOS. La característica de todas las estructuras MOS es que estos componentes están libres de la circulación térmica y de la ruptura secundaria inducida térmicamente. Los FETs verticales DMOS de Supertex son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación, donde se desea una alta tensión de ruptura, una alta impedancia de entrada, una baja capacidad de entrada y velocidades de conmutación rápidas. Características • Alta impedancia de entrada • Baja capacidad de entrada • Velocidades de conmutación rápidas • Baja resistencia de conexión • Libre de descargas secundarias • Fugas de entrada y salida reducidas
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Brand: Microchip
MPN: mcp2221ip
Categoría: Instrumentos musicales

Convertidor de protocolo USB 2.0 a I2C/UART con GPIO Descripción: El MCP2221 es un convertidor serie USB a UART/I2C que permite la conectividad USB en aplicaciones que tienen interfaces UART e I2C. La unidad reduce los componentes externos mediante la integración de los terminadores USB y el oscilador necesario para el funcionamiento con USB. El MCP2221 también dispone de cuatro pines GP que ofrecen distintas funcionalidades (GPIO, USBCFG, SSPND, salida de reloj, ADC, DAC, detector de interrupción). Características: • Descripción: Convertidor de protocolo USB a I2C/UART/SMBus con GPIO (modo maestro) • Puerto de subida: USB 2.0 • Velocidad USB: Velocidad máxima • Puertos de bajada: I2C/SMBus, UART • Interfaz MCU: I2C/SMBus, UART • Tamaño del búfer de Tx (bytes): 64 • Tamaño del búfer RX (bytes): 64 • GPIO: 4 • Tensión de funcionamiento (V): De 3,0 a 5,5 • Rango de temperatura (°C): -40 ... +85
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Brand: Microchip
MPN: mcp6497tesn
Categoría: Instrumentos musicales

Amplificador operacional de 30 MHz con filtro EMI Los amplificadores operacionales de la serie MCP6496/6R/6U/7/9 tienen una corriente de pretensión de entrada baja y un funcionamiento de entrada y salida rail-to-rail. Esta familia es estable con una ganancia de uno y tiene un producto de ancho de banda de amplificación de 30 MHz (típico). Estos módulos funcionan con una tensión de alimentación de sólo 1,8 V y consumen una corriente de reposo de 2 mA/amplificador (típica). Todos los módulos disponen de un filtrado EMI integrado y están especificados en el rango de temperatura ampliado de -40 °C a +125 °C.
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Brand: Microchip
MPN: atwinc1500mr210pb1961
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

ATWIN15x0-MR210XB módulo IoT IEEE® 802.11 b/g/n SmartConnect El ATWIN15x0-MR210XB es un módulo de Internet de cosas (Internet of Things) 802.11 b/g/n IoT (Internet of Things) que ahorra energía y está diseñado específicamente para Está optimizado para aplicaciones de IoT de bajo consumo. El módulo incluye un amplificador de potencia (PA), un amplificador de bajo ruido (LNA), Interruptor, gestión de potencia y una antena impresa o un conector micro-coaxial (U.FL) para una antena externa El resultado es un diseño de factor de forma pequeño (21,7 x 14,7 x 2,1 mm). Es compatible con los puntos de acceso 802.11 b/g/n de diferentes fabricantes. Puntos de acceso de distintos fabricantes. El módulo tiene puertos de interfaz periférica serie (SPI) para conectarse a un controlador host.
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Brand: Microchip
MPN: pic16f527iss
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Con un ADC a bordo, amplificadores operacionales dobles y comparadores, estos dispositivos de microcontrolador ofrecen una excelente solución para el acondicionamiento de señales y las aplicaciones de medición. • Arquitectura básica con 36 instrucciones • Dos interrupciones de hardware • Cuatro pilas de capas • Memoria de programa flash con capacidad de lectura/escritura automática • Oscilador interno de 8 MHz • Módulo de amplificador operacional dual con GWP de 3 MHz • Módulo comparador analógico dual • ADC de 8 bits y 8 canales • Reinicio por Brown Out (BOR) • Temporizador de vigilancia a bordo • Un temporizador de 8 bits • Fuente de 25 mA/corriente de descenso E/S. • Programación en serie en circuito (ICSP) •Tensión de servicio (2,0 V - 5,5 V) • Baja corriente en espera: 100 [email protected] típica
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Brand: Microchip
MPN: lnd150n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El LND150 es un transistor de modo de agotamiento (normalmente encendido) de canal N de alta tensión que utiliza tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida ESD. El LND150 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente conectados, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampas de tensión y amplificación. • Sin averías secundarias • Requisitos de accionamiento de baja potencia • Facilidad de conexión en paralelo • Excelente estabilidad térmica • Diodo fuente-drenaje integrado • Alta impedancia de entrada y bajo CISS • Protección de puerta ESD Datos técnicos: • BVdsx: 500 V • RDS: 1000 Ohm • Ugs (off): -1,0 ... -3,0 V • RDS: 1 kOhm • Ic: 1 mA
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Brand: Microchip
MPN: pic18f45k50ip
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

• Núcleo PIC18 de alto rendimiento con hardware múltiple 8x8 • Memoria de programas Flash con capacidad de lectura/escritura automática • 256 bytes de EEPROM integrada • Oscilador interno de 48 MHz con USB • Módulo Universal Serial Bus 2.0 • Módulo PWM de comparación de capacidad mejorada (ECCP ) con hasta 4 salidas • Módulo indicador de temperatura integrado • ADC de hasta 25 canales de 10 bits con referencia de tensión • 2 comparadores analógicos • Convertidor analógico digital de 5 bits (DAC) • MÓDULO MI2C / SPI (MSSP) • Módulo USART direccionable mejorado • Tiempo de carga de la unidad de medición (CTMU) para aplicaciones de medición • Fuente de 25 mA/corriente de descenso E/S. • 2 temporizadores de 8 bits • 2 temporizadores de 16 bits • Temporizador de vigilancia ampliada (WDT) • Power-On/Off mejorado • Reset de baja potencia de arranque (LPBOR) • Reinicio por Brown Out programable (BOR) • Programación y depuración en serie en circuito (ICSP/ICD) • PIC18LF2XK50 (1,8 ... 3,6 V) con nanowatt XLP • PIC18F2XK50 (1,8 ... 5,5 V)
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Brand: Microchip
MPN: dn2530n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El DN2530 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicona de prueba de well. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de circuito térmico y se ha desconectado de forma forzada por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 300 V • RDS: 12 ohmios • UGS: -1,0 ... 3,5 V
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Brand: Microchip
MPN: ev54y39a
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

EV54Y39A, JUNTA DE DESARROLLO DE PIC-IOT WA Panorama general La placa de desarrollo de PIC-IoT WA combina un potente MCU PIC24FJ128GA705, un IC de elemento seguro ATECC608A CryptoAuthentication™ y el controlador de red Wi-Fi® ATWINC1510 totalmente certificado: La forma más sencilla y efectiva de conectar su aplicación incrustada a Amazon Web Services (AWS). La placa también incluye un depurador a bordo y no requiere ningún hardware externo para programar y depurar el MCU. El MCU viene precargado con firmware que le permite conectarse y enviar datos rápidamente a la plataforma AWS utilizando sensores de temperatura y luz incorporados. Una vez que esté listo para crear su propio diseño, puede generar código fácilmente utilizando las bibliotecas de software gratuitas en el Configurador de código MPLAB (MCC). La placa PIC-IoT WA está soportada por MPLAB® X IDE. También puede conectar esta placa a la nube de GOOGLE con una simple actualización de firmware.
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Brand: Microchip
MPN: lnd150n3g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DMOS-FET en modo de brazo de canal N. Descripción: El LND150 es un transistor de brazo de canal N de alta tensión (normalmente encendido) que utiliza la tecnología DMOS lateral de Supertex. La puerta está protegida contra ESD. El LND150 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente encendidos, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampa de tensión y ganancia. Características • Sin desglose secundario • Demanda de potencia de accionamiento baja • Fácil paralelización • Excelente estabilidad térmica • Diodo de drenaje de fuente integrado • Impedancia de entrada alta y CISS bajo • Protección de puerta ESD Aplicaciones: • Relé de estado sólido • Interruptores normalmente encendidos • Convertidor • Circuitos de alimentación • Fuentes de corriente constante • Circuitos de protección de entrada Datos técnicos: • BVdx: 500 V. • RDS: 1.000 ohmios • UGS (off): -1,0 ... 3,0 V • IC: 1 mA
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Brand: Microchip
MPN: dn3535n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DN3525 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, well-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de circuito térmico y se ha desconectado de forma forzada por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdsx: 350 V. • RDS: 10 ohmios • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • IC: 300 mA
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Brand: Microchip
MPN: mcp1404esn
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Tipo de montaje: SMD/SMT Tiempos de retardo cortos
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Brand: Microchip
MPN: mcp18252502eat
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El MCP1825/MCP1825S es un controlador lineal de caída baja (LDO) de 500 mA que proporciona corrientes altas y tensiones de salida bajas. El MCP1825 está disponible en una tensión de salida fija o ajustable, con un rango de tensión de salida de 0,8 V a 5,0 V. La capacidad de corriente de salida de 500 mA, combinada con la baja tensión de salida, hacen del MCP1825 una buena opción para nuevas aplicaciones de LDO con tensiones de salida inferiores a 1,8 V que requieren alta corriente. El MCP1825S es una versión de tensión fija de 3 pines. El MCP1825/MCP1825S es estable gracias al uso de condensadores cerámicos de salida. Condensadores de salida que, por naturaleza, ofrecen un ruido de salida más bajo y el tamaño y el coste de la solución reguladora completa. Para estabilizar el LDO, sólo se necesita una capacidad inicial de 1 microF para estabilizar el LDO.
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Brand: Microchip
MPN: dn3545n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Este modo de aplicación (normally-on) utiliza transistores para la estructura vertical avanzada de DMOS y el proceso de fabricación de silicon-gate de well-proven. Estos productos se combinan con las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en los dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras de MOS, estos dispositivos son libres de circuito térmico y están desactivados por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 450 V. • RDS: 20 ohmios • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • IC: 200 mA
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Brand: Microchip
MPN: msc080sma330b4
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MSC080SMA330B4, 3300 V, 80 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El dispositivo MSC080SMA330B4 es de 3300 V, 80 Mo SiC MOSFET en un paquete TO-247-4L con detección de fuente. Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 150 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía .
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Brand: Microchip
MPN: msc035sma170s
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MSC035SMA170S, 1700 V, 35 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El dispositivo MSC035SMA170S es de 1700 V, 35 Mo SiC MOSFET en un paquete TO-268 (D3PAK). Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 175 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía
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Brand: Microchip
MPN: msc750sma170s
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MSC750SMA170S, 1700 V, 750 mOhmios, MOSFET de potencia de canal N de carburo de silicio Descripción La línea de productos de carburo de silicio (SiC) Power-MOSFET de Microsemi ofrece un rendimiento superior al de las soluciones de MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El MSC750SMA170S es un sistema de 1700 V, 750 Mo SiC-MOSFET en una carcasa TO-268 (D3PAK). Características: • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la resistencia interna de la compuerta baja (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 175 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas: • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones: • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía
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Brand: Microchip
MPN: dn3525n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DN3525 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, well-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de circuito térmico y se ha desconectado de forma forzada por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 250 V • RDS: 6 ohmios • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • IC: 300 mA
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Brand: Microchip
MPN: pic16f18857iss
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

PIC16(L)F18855-57/18875-77 Microcontrolador de 28/40/44 pines totalmente equipado Descripción Los microcontroladores PIC16(L)F18856/76 tienen periféricos analógicos, independientes del núcleo y periféricos de comunicación, combinados con tecnología de baja potencia (XLP) extrema para una amplia gama de aplicaciones de uso general y de baja potencia. La familia estará equipada con CRC/SCAN, el temporizador de límite de hardware (HLT) y el temporizador de vigilancia de ventana (WWDT) para ayudar a los clientes que deseen agregar seguridad a su aplicación. Además, esta familia incluye hasta 28 KB de memoria flash, así como un ADC de 10 bits con ampliación de cálculo (ADC2) para el análisis automatizado de señales para reducir la complejidad de la aplicación.
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Brand: Microchip
MPN: pic10f202ip
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Controlador PIC Microchip: CPU RISC de alto rendimiento Microchip admite el rango de rendimiento completo de microcontroladores de 8 bits, 16 bits y 32 bits con una arquitectura poderosa, tecnologías de almacenamiento flexibles y amplias herramientas de desarrollo fáciles de usar, así como documentación técnica completa. Las ventajas de las soluciones de microcontrolador Microchip son evidentes: • Todas las MCU PIC® y las DSCs dsPIC® ofrecen el escalado ascendente y descendente de sus proyectos de diseño • La arquitectura compatible ascendente asegura su inversión en desarrollo de código • Fácil cambio entre familias de 8, 16 y 32 bits • Compatibilidad de pines entre las variantes de carcasa • Desarrollo de productos de bajo riesgo · Ciclos rápidos de mercado a tiempo · Bajo costo total del sistema. • Muchos controladores ya se suministran con una serie de funciones interesantes • Los periféricos analógicos y digitales se pueden integrar con un mínimo esfuerzo de componente
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Brand: Microchip
MPN: pic16f18856iss
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

PIC16(L)F18855-57/18875-77 Microcontrolador de 28/40/44 pines totalmente equipado Descripción Los microcontroladores PIC16(L)F18856/76 tienen periféricos analógicos, independientes del núcleo y periféricos de comunicación, combinados con tecnología de baja potencia (XLP) extrema para una amplia gama de aplicaciones de uso general y de baja potencia. La familia estará equipada con CRC/SCAN, el temporizador de límite de hardware (HLT) y el temporizador de vigilancia de ventana (WWDT) para ayudar a los clientes que deseen agregar seguridad a su aplicación. Además, esta familia incluye hasta 28 KB de memoria flash, así como un ADC de 10 bits con ampliación de cálculo (ADC2) para el análisis automatizado de señales para reducir la complejidad de la aplicación.
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Brand: Microchip
MPN: at91sam7s256dau
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Resumen El SAM7S256 basado en ARM® de Microchip es un miembro de la serie SAM7S de microcontroladores de flash basados en el procesador ARM7TDMI-RISC de 32 bits. Funciona a una velocidad máxima de 55MHz y cuenta con 256KB de memoria flash y 64KB de SRAM. El conjunto periférico incluye un dispositivo USB de alta velocidad y PHY con 12 Mbps, UART, dos USART, TWI (I2C), SPI, SSC, temporizador PWM, tres temporizadores de 16 bits, RTT, ADC de 8x10 bits y 32 líneas IO. La matriz de bus multicapa, varios bancos SRAM, PDC y DMA admiten tareas paralelas y maximizan el rendimiento de los datos. El SAM7S256 funciona con una tensión de 1,65V a 3,6V y está disponible en carcasas LQFP y QFN de 64 pines.
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Brand: Microchip
MPN: dn2540n5g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DN2540 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, bien-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de circuito térmico y se ha desconectado de forma forzada por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 400 V • RDS: 25 ohmios • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • IC: 150 mA
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Brand: Microchip
MPN: vn0550n3g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia Características - Pequeños encapsulado SMD - Prefijo BVSS para la industria automovilística y otras aplicaciones que tienen requisitos especiales para cambios de ubicación y control - Certificado AEC-Q101 y apto para PPAP - Sin Pb, sin halógenos/BFR y compatible con RoHS
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Brand: Microchip
MPN: mcp1755t3302edc
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El MCP1755T-3302E/DC es un regulador lineal CMOS de baja pérdida (LDO) con salida fija de 3,3 V que puede suministrar hasta 300 mA de corriente mientras consume sólo 68 µA de corriente en reposo (típico). El rango operativo de entrada se especifica de 3,6 a 16V, lo que lo convierte en la opción ideal para cuatro a seis aplicaciones alimentadas por batería de células primarias, aplicaciones móviles de 12V y aplicaciones alimentadas por Li-Ion de una a tres células. El dispositivo es capaz de suministrar 300mA con sólo 300mV (típico) de diferencial de voltaje de entrada a salida. La tolerancia de la tensión de salida del dispositivo es típicamente de +0,85% a +25°C y ±2,0% como máximo en el rango de temperatura de la unión de funcionamiento de -40°C a +125°C. La regulación de la línea es ±0,01% típica a +25°C. La salida LDO es estable cuando se utiliza sólo 1µF de capacitancia de salida. Se pueden utilizar condensadores electrolíticos de cerámica, tántalo o aluminio para la entrada y la salida. Características: Potencia Buen rendimiento entrada de apagado Verdadera protección de plegado de corriente Protección contra cortocircuitos Protección contra sobretemperatura
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Brand: Microchip
MPN: mcp17023302eto
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Regulador de tensión positivo • 200 mA • Corriente baja 2a • Máx. 13,2 V in • 3,3 V fuera Carcasa: TO-92 Fabricante: Microchip
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Brand: Microchip
MPN: dn2535n3g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DN2535 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, bien-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de circuito térmico y se ha desconectado de forma forzada por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdsx: 350 V. • RDS: 25 ohmios • UGS: -1,5 ... 3,5 V • IC: 150 mA
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Brand: Microchip
MPN: mcp18253302eat
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El MCP1825/MCP1825S es un controlador lineal de caída baja (LDO) de 500 mA que proporciona corrientes altas y tensiones de salida bajas. El MCP1825 está disponible en una tensión de salida fija o ajustable, con un rango de tensión de salida de 0,8 V a 5,0 V. La capacidad de corriente de salida de 500 mA, combinada con la baja tensión de salida, hacen del MCP1825 una buena opción para nuevas aplicaciones de LDO con tensiones de salida inferiores a 1,8 V que requieren alta corriente. El MCP1825S es una versión de tensión fija de 3 pines. El MCP1825/MCP1825S es estable gracias al uso de condensadores cerámicos de salida. Condensadores de salida que, por naturaleza, ofrecen un ruido de salida más bajo y el tamaño y el coste de la solución reguladora completa. Para estabilizar el LDO, sólo se necesita una capacidad inicial de 1 microF para estabilizar el LDO.
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Brand: Microchip
MPN: msc400sma330b4
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MSC400SMA330B4, 3300 V, 400 mOhm canal SiC N potencia MOSFET Descripción general del producto La línea de productos MOSFET de rendimiento de carburo de silicio (SiC) de Microsemi aumenta el rendimiento de las soluciones MOSFET de silicio y IGBT de silicio, al tiempo que reduce el coste total de propiedad de las aplicaciones de alta tensión. El MSC400SMA330B4 es un dispositivo de 3300 V, 400 Mo SiC-MOSFET en un chasis de 4 conductores TO-247 con detección de código fuente. Características • Baja capacidad y baja carga de puerta • Velocidad de cambio rápido debido a la baja resistencia interna de la compuerta (ESR) • Funcionamiento estable con una temperatura de capa de bloqueo elevada, TJ(máx.) = 150 °C. • Diodo Body rápido y fiable • Excelente resistencia de Avalon • Compatible con RoHS Ventajas • Control sencillo y conexión en paralelo sencilla • Alta eficiencia para un sistema más ligero y compacto • Propiedades térmicas mejoradas y pérdidas de conmutación reducidas • Ya no es necesario un diodo de marcha libre externo • Reducción de los costes operativos del sistema Aplicaciones • Inversor PV, convertidor y motores industriales • Transmisión y distribución de red inteligente • Calentamiento por inducción y soldadura • Tren propulsor y cargadores EV • Suministro y distribución de energía
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Brand: Microchip
MPN: pg164100
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MPLAB Snap En-Circuit Debugger / Programador Beneficios • Corresponde a la frecuencia de reloj del silicio: - Programa tan rápido como el bloque permite • Voltaje objetivo de 1,20V - 5,5V: - Amplio voltaje de destino soporta una variedad de dispositivos • Portátil y USB alimentado - Desarrollado por un USB 2,0 de alta velocidad, no se requiere fuente de alimentación externa - CE / RoHS obediente • 8-pin encabezado de una sola línea - Soporta interfaces avanzadas tales como JTAG de 4 hilos + Serial Wire Debug con streaming de datos de puerta de enlace • Compatibilidad - Compatible hacia atrás para las placas de demostración, cabeceras + sistemas de destino con 2-Wire JTAG e ICSP™ • Rentable - Rendimiento similar a una fracción del precio de las herramientas con todas las funciones • Fácil mantenimiento + mejoras de características - Añade nuevo soporte y funciones instalando la última versión del IDE MPLAB X, disponible como descarga gratuita en www.microchip.com/mplabx. Requisitos del sistema: • MPLAB X IDE versión 5,05 o posterior • Sistema compatible con PC con un procesador de clase INTEL® Pentium® o superior, o equivalente • Puerto USB disponible • MICROSOFT Windows® 7 o posterior, sistemas operativos Mac OSX® y Linux®
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Brand: Microchip
MPN: dn2450k4g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Este modo de depleción de umbral bajo (normally-on) utiliza transistores en la estructura vertical avanzada de DMOS y el proceso de fabricación de puerta de silicona de montaje de pozo. Estos productos se combinan con las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en los dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras de MOS, estos dispositivos son libres de circuito térmico y están desactivados por inducción térmica. Los FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y encendido en las que hay muy poca tensión de umbral, alta tensión de desconexión, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y se han desactivado las necesidades de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 500 V. • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • RDS: 10 ohmios • IC: 700 mA
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Microchip in Componentes eléctricos y electrónicos