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Brand: Microchip
MPN: lnd150n3g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DMOS-FET en modo de brazo de canal N. Descripción: El LND150 es un transistor de brazo de canal N de alta tensión (normalmente encendido) que utiliza la tecnología DMOS lateral de Supertex. La puerta está protegida contra ESD. El LND150 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente encendidos, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampa de tensión y ganancia. Características • Sin desglose secundario • Demanda de potencia de accionamiento baja • Fácil paralelización • Excelente estabilidad térmica • Diodo de drenaje de fuente integrado • Impedancia de entrada alta y CISS bajo • Protección de puerta ESD Aplicaciones: • Relé de estado sólido • Interruptores normalmente encendidos • Convertidor • Circuitos de alimentación • Fuentes de corriente constante • Circuitos de protección de entrada Datos técnicos: • BVdx: 500 V. • RDS: 1.000 ohmios • UGS (off): -1,0 ... 3,0 V • IC: 1 mA
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Brand: Microchip
MPN: mt8870ds1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El MT8870D/MT8870D-1 es un receptor DTMF completo que incluye tanto el filtro de división de banda como las funciones de decodificador digital. La parte del filtro utiliza técnicas de condensador conmutadas para filtros de alta y baja presión. El decodificador utiliza técnicas de recuento digital para la detección y decodifica los 16 pares de tonos DTMF en un código de 4 bits. Características esenciales Receptor DTMF completo Baja potencia Amplificador interno para ajuste de ganancia Tiempo de protección ajustable Calidad de la unidad central Modo de desconexión Modo de inhibición Compatible con versiones anteriores con MT8870C/MT8870C-1
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Brand: Microchip
MPN: ata6560gaqwn
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Industrial Grade CAN TRX con PIN NSIL El Microchip ATA6560 es un transceptor CAN FD Ready de alta velocidad que proporciona una interfaz entre un controlador de protocolo de red de área de controlador (CAN) y el bus CAN físico de dos hilos. Diseñado para aplicaciones de CAN de alta velocidad (hasta 5 Mbps) en la industria automovilística, el transceptor ofrece capacidad diferencial de transmisión y recepción para (un microcontrolador con) un controlador de protocolo CAN. Ofrece compatibilidad electromagnética mejorada (EMC) y descarga electrostática (ESD), así como las siguientes características: Comportamiento pasivo ideal al bus CAN cuando la tensión de alimentación está desconectada. Tres modos de funcionamiento (modo de espera, normal y silencioso), junto con las funciones específicas de seguridad ante fallos, hacen del Microchip ATA6560 una excelente opción para todo tipo de redes CAN de alta velocidad, especialmente para nodos que requieran un modo de baja potencia con capacidad de activación a través del bus CAN.
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Brand: Microchip
MPN: pic16f1788isp
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

• Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila • Memoria de programa flash con capacidad de lectura/escritura automática • 256 bytes EEPROM • Oscilador interno de 32 MHz • 4 PSMC (controlador de modo de interruptor programable)- dedicado PWM de 16 bits, digital o analógico, control de retroalimentación de PWM control de frecuencia de banda muerta / desconexión automática y reinicio • Comparadores rápidos 4x con referencia de tensión seleccionable • 2 amplificadores operacionales (Rail-to-Rail-in and out) • ADC 11x de 12 bits con referencia de tensión • DAC de 8 bits • MI2C / SPI / EUSART w / Auto-Baud • PWM de comparación de 3 aumentos • Temporizador de 4 x 8 bits (TMR0/TMR2/TMR4/TMR6) • 1 temporizador de 16 bits (TMR 1) • Temporizador de vigilancia ampliada (EWDT) • Rango de tensión de funcionamiento: - Versión ''F'' (2,3 … 5,5 V) - variante ''LF'' de baja potencia (1,8 … 3,6 V) • Fuente de 25 mA/corriente de descenso E/S. • Power-On/Off mejorado • Reinicio por Brown Out (BOR) • Programación en serie en circuito (ICSP)
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Brand: Microchip
MPN: pic16f1789ip
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

• Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila • Memoria de programa flash con capacidad de lectura/escritura automática • 256 bytes EEPROM • Oscilador interno de 32 MHz • 4 PSMC (controlador de modo de interruptor programable)- dedicado PWM de 16 bits, digital o analógico, control de retroalimentación de PWM control de frecuencia de banda muerta / desconexión automática y reinicio • Comparadores rápidos 4x con referencia de tensión seleccionable • 3 amplificadores operacionales (Rail-to-Rail-in and out) • ADC 14x de 12 bits con referencia de tensión • DAC de 8 bits • MI2C / SPI / EUSART w / Auto-Baud • PWM de comparación de 3 aumentos • Temporizador de 4 x 8 bits (TMR0/TMR2/TMR4/TMR6) • 1 temporizador de 16 bits (TMR 1) • Temporizador de vigilancia ampliada (EWDT) • Rango de tensión de funcionamiento: - Versión ''F'' (2,3 … 5,5 V) - variante ''LF'' de baja potencia (1,8 … 3,6 V) • Fuente de 25 mA/corriente de descenso E/S. • Power-On/Off mejorado • Reinicio por Brown Out (BOR) • Programación en serie en circuito (ICSP)
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Brand: Microchip
MPN: dn2450n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Este modo de depleción de umbral bajo (normally-on) utiliza transistores en la estructura vertical avanzada de DMOS y el proceso de fabricación de puerta de silicona de montaje de pozo. Estos productos se combinan con las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en los dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras de MOS, estos dispositivos son libres de circuito térmico y están desactivados por inducción térmica. Los FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y encendido en las que hay muy poca tensión de umbral, alta tensión de desconexión, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y se han desactivado las necesidades de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 500 V. • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • RDS: 10 ohmios • IC: 700 mA
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Brand: Microchip
MPN: pic16f1789imv
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

• Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila • Memoria de programa flash con capacidad de lectura/escritura automática • 256 bytes EEPROM • Oscilador interno de 32 MHz • 4 PSMC (controlador de modo de interruptor programable)- dedicado PWM de 16 bits, digital o analógico, control de retroalimentación de PWM control de frecuencia de banda muerta / desconexión automática y reinicio • Comparadores rápidos 4x con referencia de tensión seleccionable • 3 amplificadores operacionales (Rail-to-Rail-in and out) • ADC 14x de 12 bits con referencia de tensión • DAC de 8 bits • MI2C / SPI / EUSART w / Auto-Baud • PWM de comparación de 3 aumentos • Temporizador de 4 x 8 bits (TMR0/TMR2/TMR4/TMR6) • 1 temporizador de 16 bits (TMR 1) • Temporizador de vigilancia ampliada (EWDT) • Rango de tensión de funcionamiento: - Versión ''F'' (2,3 … 5,5 V) - variante ''LF'' de baja potencia (1,8 … 3,6 V) • Fuente de 25 mA/corriente de descenso E/S. • Power-On/Off mejorado • Reinicio por Brown Out (BOR) • Programación en serie en circuito (ICSP)
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Brand: Microchip
MPN: pic16f884ip
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

CPU RISC de alto rendimiento: • Sólo 35 instrucciones para aprender: Todos los comandos de ciclo único, excepto las ramas • Velocidad de funcionamiento: - DC - oscilador/entrada de reloj de 20 MHz - DC - ciclo de comandos de 200 ns • Capacidad de interrupción • Pila de hardware profunda de 8 pasos • Modo de direccionamiento directo, indirecto y relativo Propiedades de baja potencia: • Corriente de reposo: - 50 na a 2,0V, típica • Corriente de servicio: - 11micra a 32 kHz, 2,0V, típico - 220micro a a 4 MHz, 2,0V, típico • Corriente del temporizador de vigilancia: - 1 microa a 2,0V, típica
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Brand: Microchip
MPN: at89c51rc23csum
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El AT89C51RB2/RC2 es una versión Flash de alto rendimiento del micro controlador de 8 bits 80C51. IT contiene un bloque de memoria flash de 16 K o 32 K bytes para datos y programas. La memoria flash se puede programar en modo paralelo o en modo serie con la capacidad del ISP o con el software. La tensión de programación se genera de forma interna desde el pin estándar del VCC.
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Brand: Microchip
MPN: dn2530n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El DN2530 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicona de prueba de well. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de circuito térmico y se ha desconectado de forma forzada por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 300 V • RDS: 12 ohmios • UGS: -1,0 ... 3,5 V
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Brand: Microchip
MPN: pic16f1829ip
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Protección de código programable Modo de suspensión con ahorro de energía
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Brand: Microchip
MPN: at89c51rb23csum
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El AT89C51RB2/RC2 es una versión Flash de alto rendimiento del micro controlador de 8 bits 80C51. IT contiene un bloque de memoria flash de 16 K o 32 K bytes para datos y programas. La memoria flash se puede programar en modo paralelo o en modo serie con la capacidad del ISP o con el software. La tensión de programación se genera de forma interna desde el pin estándar del VCC.
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Brand: Microchip
MPN: pic16f1786isp
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

• Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila • Memoria de programa flash con capacidad de lectura/escritura automática • 256 bytes EEPROM • Oscilador interno de 32 MHz • 2 PSMC (controlador de modo de interruptor programable)- dedicado PWM de 16 bits, digital o analógico, control de retroalimentación de PWM control de frecuencia de banda muerta / desconexión automática y reinicio • 3 comparadores rápidos con referencia de tensión seleccionable • 2 amplificadores operacionales (Rail-to-Rail-in and out) • ADC 11x de 12 bits con referencia de tensión • DAC de 8 bits • MI2C / SPI / EUSART w / Auto-Baud • PWM de comparación 2x • Temporizador de 4 x 8 bits (TMR0/TMR2/TMR4/TMR6) • 1 temporizador de 16 bits (TMR 1) • Temporizador de vigilancia ampliada (EWDT) • Rango de tensión de funcionamiento: - Versión ''F'' (2,3 … 5,5 V) - variante ''LF'' de baja potencia (1,8 … 3,6 V) • Fuente de 25 mA/corriente de descenso E/S. • Power-On/Off mejorado • Reinicio por Brown Out (BOR) • Programación en serie en circuito (ICSP)
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Brand: Microchip
MPN: dn3525n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DN3525 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, well-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de circuito térmico y se ha desconectado de forma forzada por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 250 V • RDS: 6 ohmios • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • IC: 300 mA
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Brand: Microchip
MPN: pic16f1787ip
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

• Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila • Memoria de programa flash con capacidad de lectura/escritura automática • 256 bytes EEPROM • Oscilador interno de 32 MHz • 3 PSMC (controlador de modo de interruptor programable)- dedicado PWM de 16 bits, digital o analógico, control de retroalimentación de PWM control de frecuencia de banda muerta / desconexión automática y reinicio • Comparadores rápidos 4x con referencia de tensión seleccionable • 3 amplificadores operacionales (Rail-to-Rail-in and out) • ADC 14x de 12 bits con referencia de tensión • DAC de 8 bits • MI2C / SPI / EUSART w / Auto-Baud • PWM de comparación de 3 aumentos • Temporizador de 4 x 8 bits (TMR0/TMR2/TMR4/TMR6) • 1 temporizador de 16 bits (TMR 1) • Temporizador de vigilancia ampliada (EWDT) • Rango de tensión de funcionamiento: - Versión ''F'' (2,3 … 5,5 V) - variante ''LF'' de baja potencia (1,8 … 3,6 V) • Fuente de 25 mA/corriente de descenso E/S. • Power-On/Off mejorado • Reinicio por Brown Out (BOR) • Programación en serie en circuito (ICSP)
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Brand: Microchip
MPN: dn2530n3g
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Canal N, modo de empobrecimiento, FET DMOS vertical Descripción El DN2530 es un transistor de baja cola en modo de reposo con duración de encendido normal que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación crea un componente con las cargas de potencia de los transistores bipolares, así como la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo propios de los componentes metálicos de óxido semiconductor (MOS). Característica de todas las estructuras MOS es que este componente está libre de la ruptura térmica y de la perforación secundaria inducida térmicamente. Los transistores de efecto de campo DMOS verticales (FET) son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación en las que se desea una alta tensión de ruptura, una alta impedancia de entrada, una baja capacidad de entrada y velocidades de conmutación rápidas. Características • Alta impedancia de entrada • Baja capacidad de entrada • Velocidades de conmutación rápidas • Baja resistencia en marcha • Sin desglose secundario • Fugas de entrada y salida reducidas Aplicaciones • Interruptores normalmente encendidos • Relé de estado sólido • Convertidor • Amplificadores lineales • Fuentes de corriente constante • Circuitos de alimentación • Telecomunicaciones
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Brand: Microchip
MPN: cec1712hb2isx
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El microcontrolador CEC1712 basado en Arm® Cortex®-M4 proporciona un arranque seguro con protección de raíz de confianza por hardware en un modo de prearranque para sistemas operativos que arrancan desde una memoria flash SPI externa. Apoyo a AES128, AES192, AES256 SHA-1, SHA-256, SHA-512 RSA-1024 a RSA-4096 ECDSA, EC-KCDSA, Ed25519 Características especiales Arranque seguro Verdadero generador de números aleatorios Contador monotónico 4K bits OTP programable por el usuario Además, el CEC1712 ofrece protección contra la revocación de la clave y la reversión del código durante el tiempo de actividad, lo que permite realizar actualizaciones de seguridad sobre el terreno. El CEC1712 cumple con las directrices NIST 800-193 y proporciona protección, detección y recuperación de la corrupción del firmware para una completa resistencia de la plataforma del sistema. El proceso de arranque seguro con la raíz de confianza del hardware es fundamental para proteger el sistema de las amenazas antes de que puedan cargarse en el sistema y permite que el sistema arranque sólo con software de confianza del fabricante. El cargador de arranque seguro del CEC1712 carga, descifra y autentifica el firmware que se ejecutará en el CEC1712 desde la flash SPI externa. A continuación, el código CEC1712 validado autentifica el firmware almacenado en la flash SPI para el primer procesador de aplicaciones.
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Brand: Microchip
MPN: pic16f1787imv
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Características: • Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila • Memoria de programa flash con capacidad de lectura/escritura • 256 bytes de EEPROM • oscilador interno de 32 MHz • 3 PSMC (controlador de modo de interruptor programable)- dedicado PWM de 16 bits, digital o analógico, control de retroalimentación de PWM control de frecuencia de banda muerta / desconexión automática y reinicio • 4 comparadores rápidos con referencia de tensión seleccionable • 3 ampliadores de funcionamiento (entrada y salida de carril a carril) • ADC de 14 x 12 bits con referencia de tensión • DAC de 8 bits • MI2C / SPI / EUSART w/auto baudios • 3 PWM de captura de comparación • Cuatro temporizadores de 8 bits (TMR0/TMR2/TMR4/TMR6) • Temporizador de 16 bits (TMR1) • Temporizador de vigilancia ampliada (EWDT) • Rango de tensión de funcionamiento ancho:- versión ''F'' (2.3V - 5.5V)- variante de baja potencia ''LF'' (1.8V - 3.6V) • Corriente de fuente/sumidero de 25 mA de E/S. • Power-On/Off mejorado • Reinicio por Brown Out (BOR) • Programación en serie en circuito (ICSP)
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Brand: Microchip
MPN: dn2540n5g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DN2540 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, bien-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de circuito térmico y se ha desconectado de forma forzada por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 400 V • RDS: 25 ohmios • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • IC: 150 mA
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Brand: Microchip
MPN: pic16f1788iml
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

• Núcleo de gama media mejorado con 49 instrucciones, 16 niveles de pila • Memoria de programa flash con capacidad de lectura/escritura automática • 256 bytes EEPROM • Oscilador interno de 32 MHz • 4 PSMC (controlador de modo de interruptor programable)- dedicado PWM de 16 bits, digital o analógico, control de retroalimentación de PWM control de frecuencia de banda muerta / desconexión automática y reinicio • Comparadores rápidos 4x con referencia de tensión seleccionable • 2 amplificadores operacionales (Rail-to-Rail-in and out) • ADC 11x de 12 bits con referencia de tensión • DAC de 8 bits • MI2C / SPI / EUSART w / Auto-Baud • PWM de comparación de 3 aumentos • Temporizador de 4 x 8 bits (TMR0/TMR2/TMR4/TMR6) • 1 temporizador de 16 bits (TMR 1) • Temporizador de vigilancia ampliada (EWDT) • Rango de tensión de funcionamiento: - Versión ''F'' (2,3 … 5,5 V) - variante ''LF'' de baja potencia (1,8 … 3,6 V) • Fuente de 25 mA/corriente de descenso E/S. • Power-On/Off mejorado • Reinicio por Brown Out (BOR) • Programación en serie en circuito (ICSP)
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Brand: Microchip
MPN: dn3545n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Este modo de aplicación (normally-on) utiliza transistores para la estructura vertical avanzada de DMOS y el proceso de fabricación de silicon-gate de well-proven. Estos productos se combinan con las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en los dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras de MOS, estos dispositivos son libres de circuito térmico y están desactivados por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 450 V. • RDS: 20 ohmios • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • IC: 200 mA
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Brand: Microchip
MPN: pic18f1220ip
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

PIC18F1220 Descripción: Este microcontrolador incorpora la tecnología nano-EMT, que ofrece seis modos ''controlados por software'' mejorados con control de potencia mejorado, un consumo de energía de sólo 0,1 microamperios en modo de espera y un amplio rango de tensión de funcionamiento de 2 a 5,5 voltios. Este módulo también incluye un nuevo temporizador de vigilancia de baja corriente, un inicio de 2 pasos desde un modo de reinicio o de suspensión y un nuevo monitor de reloj resistente que se utiliza para detectar un fallo externo del reloj. Este potente microcontrolador de 10 bits (ejecución de comandos de 100 nanosegundos) y fácil de programar (sólo 77 comandos de una sola palabra) CMOS FLASH basado en 10 bits empaqueta la potente arquitectura PIC® de Microchip en un chasis de 18 pines, proporcionando así una ruta de migración perfecta del código de software a niveles más altos de integración de hardware. El PIC18F1220 tiene un entorno de desarrollo compatible con el compilador ''C'', EEPROM de 128 bytes, programación automática, ICD, funciones de captura/comparación/PWM, 7 canales de un convertidor analógico-digital de 10 bits (convertidor a/D), un transmisor asíncrono universal direccionable (AUSART) y controles avanzados del oscilador de baja potencia.
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Brand: Microchip
MPN: dn3545n3g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

FET de canal N vertical DMOS en modo de reposo Descripción Estos transistores de brazo (normally-on) utilizan una estructura vertical avanzada de DMOS y el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación da lugar a elementos constructivos con las capacidades de potencia de los transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo propios de los componentes MOS. La característica de todas las estructuras MOS es que estos componentes están libres de la circulación térmica y de la ruptura secundaria inducida térmicamente. Los FETs verticales DMOS de Supertex son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación, donde se desea una alta tensión de ruptura, una alta impedancia de entrada, una baja capacidad de entrada y velocidades de conmutación rápidas. Características • Alta impedancia de entrada • Baja capacidad de entrada • Velocidades de conmutación rápidas • Baja resistencia de conexión • Libre de descargas secundarias • Fugas de entrada y salida reducidas
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Brand: Microchip
MPN: atsam4sa16caau
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El microcontrolador SAM4SA16 de Microchip basado en ARM® se basa en el núcleo Cortex®-M4 de 32 bits de alto rendimiento. Las características del SAM4SA16: 1MB de memoria flash y 160KB de SRAM 2 KB de memoria caché integrada Velocidad máxima de funcionamiento de 120 MHz El mejor consumo de su clase: 200uA/MHz en modo activo, hasta 3uA a 1,8V en modo de reserva con el RTC en marcha Alimentación de 1,62 V a 3,6 V Amplio conjunto de periféricos para conectividad, control del sistema e interfaz analógica Compatible pin a pin con las MCU SAM7S, SAM3N y SAM3S de Microchip Compatible con Microchip Studio, Microchip Software Framework y SAM4S-EK2
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Brand: Microchip
MPN: dn3535n8g
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

DN3525 es un transistor de modo de depleción de umbral bajo (normally-on) que utiliza una estructura de DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de silicon-gate, well-proven. Esta combinación de productos es un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de circuito térmico y se ha desconectado de forma forzada por inducción térmica. Las FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y sujeción en las que se requiere tensión de desconexión alta, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y velocidad de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdsx: 350 V. • RDS: 10 ohmios • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • IC: 300 mA
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Brand: Microchip
MPN: atsam4s8caau
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El microcontrolador SAM4S8 de Microchip basado en ARM® se basa en el núcleo Cortex®-M4 de 32 bits basado en ARM® de alto rendimiento. El SAM4S8 incluye: Velocidad máxima de funcionamiento de 120 MHz 512 KB de memoria flash y 128 KB de SRAM Alimentación de 1,62 V a 3,6 V Consumo 200µA/MHz en modo dinámico a baja frecuencia de funcionamiento, 30mA a 100MHz y 3µA a 1.8V en modo back-up con el RTC funcionando Interfaz de bus externo compatible con SRAM, PSRAM, NOR Flash, módulo LCD y NAND Flash Amplio conjunto de periféricos para conectividad, control del sistema e interfaz analógica Compatibilidad nativa con la tecnología táctil capacitiva QTouch™ de Microchip para la implementación de botones, deslizadores y ruedas Compatible pin a pin con las MCU SAM7S, SAM3N y SAM3S de Microchip Modo de captura de datos de entrada/salida (IO) en paralelo
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Brand: Microchip
MPN: 25lc020aisn
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

2Kb 2,5 V SPI EEPROM serie Características: • Máx. Ciclo 10 MHz • Tecnología CMOS de bajo rendimiento: - Máx. Corriente de escritura: 5 mA a 5,5V, 10 MHz - Corriente de lectura: 5 mA a 5,5 V, 10 MHz - Corriente en espera: 5 microamperios a 5,5V • Organización de 256 x 8 bits • Modo de escritura de página (hasta 16 bytes) • Lectura secuencial • Ciclos de borrado y escritura autotácticamente (máx. 5 ms) • Protección contra escritura en bloque : - no protege ninguno, 1/4, 1/2 o toda la matriz • Protección contra escritura integrada: - Política de privacidad de encendido/apagado - Pestillo de liberación de escritura - Lápiz de protección contra escritura • Gran fiabilidad: - Resistencia: 1.000.000 ciclos de borrado/escritura - Almacenamiento de datos: >200 años - Protección ESD: >4000 V. • Rangos de temperatura admitidos: - Industrial (I): De -40 °C a +85 °C. - Industria automovilística (E): De -40 °C a +125 °C. • Sin PB y compatible con RoHS
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Brand: Microchip
MPN: atsam4s8baau
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El microcontrolador SAM4S8 de Microchip basado en ARM® se basa en el núcleo Cortex®-M4 de 32 bits de alto rendimiento. Las características del SAM4S8: Velocidad máxima de funcionamiento de 120MHz 512 KB de memoria flash y 128 KB de SRAM Alimentación de 1,62V a 3,6V Consumo 200uA/MHz en modo dinámico a baja frecuencia de funcionamiento, 30mA a 100MHz y 3uA a 1.8V en modo back-up con el RTC funcionando Interfaz de bus externo compatible con SRAM, PSRAM, NOR Flash, módulo LCD y NAND Flash Amplio conjunto de periféricos para conectividad, control del sistema e interfaz analógica Compatibilidad nativa con la tecnología táctil capacitiva QTouch de Microchip para la implementación de botones, deslizadores y ruedas Compatible pin a pin con las MCU SAM7S, SAM3N y SAM3S de Microchip Modo paralelo de captura de datos de entrada/salida (IO)
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Brand: Microchip
MPN: atsam4s16caau
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El microcontrolador SAM 4S16 de Microchip basado en ARM® se basa en el núcleo Cortex®-M4 de 32 bits de alto rendimiento. Las características del SAM4S16: Velocidad máxima de funcionamiento de 120MHz 1 MB de memoria flash y 128 KB de SRAM Alimentación de 1,62V a 3,6V Consumo 200uA/MHz en modo dinámico a baja frecuencia de funcionamiento, 30mA a 100MHz y 3uA a 1.8V en modo back-up con el RTC funcionando Interfaz de bus externo compatible con SRAM, PSRAM, NOR Flash, módulo LCD y NAND Flash Amplio conjunto de periféricos para conectividad, control del sistema e interfaz analógica Compatibilidad nativa con la tecnología táctil capacitiva QTouch de Microchip para la implementación de botones, deslizadores y ruedas Compatible pin a pin con las MCU SAM7S, SAM3N y SAM3S de Microchip Modo paralelo de captura de datos de entrada/salida (IO)
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Microchip in Componentes eléctricos y electrónicos

Brand: Microchip
MPN: atsam4s4aaau
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El microcontrolador SAM4S4A de Microchip basado en ARM® se basa en el núcleo Cortex®-M4 de 32 bits de alto rendimiento. El SAM4S4A cuenta con: Velocidad máxima de funcionamiento de 120MHz 256 KB de memoria flash y 64 KB de SRAM Alimentación de 1,62V a 3,6V Consumo de 180uA/MHz en modo dinámico, inferior a 25uA en modo de retención de RAM y 1uA a 1,8V en modo de reserva con el RTC en marcha Amplio conjunto de periféricos para conectividad, control del sistema e interfaz analógica Compatibilidad nativa con la tecnología táctil capacitiva QTouch? de Microchip para la implementación de botones, deslizadores y ruedas Compatible pin a pin con las MCU SAM7S, SAM3N, SAM4N y SAM3S de Microchip Modo de captura de datos de entrada/salida (IO) en paralelo
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Brand: Microchip
MPN: rn4678aplvrm122
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El RN4678 es un módulo Bluetooth de modo dual (BR/EDR/LE) totalmente certificado que permite a los desarrolladores añadir fácilmente la funcionalidad de Bluetooth clásico y Bluetooth Smart a sus productos. El RN4678 proporciona conectividad local para el Internet de las Cosas (IoT) y conecta el producto a teléfonos inteligentes y tabletas para una cómoda transferencia de datos, control y acceso a aplicaciones en la nube. Este módulo con certificación Bluetooth SIG ofrece una solución inalámbrica completa con pila Bluetooth integrada, antena incorporada y certificaciones globales de radio en un paquete compacto de montaje superficial (22 x 12 x 2,4 mm). Es compatible con los perfiles GAP, SDP, SPP y GATT. La transmisión de datos a través de la conexión Bluetooth se realiza enviando/recibiendo datos en modo UART transparente, lo que facilita la integración con cualquier procesador o microcontrolador con interfaz UART. La configuración se realiza fácilmente mediante comandos ASCII a través de la UART. Características especiales Certificación Bluetooth 5 Compatibilidad con Bluetooth Classic y Bluetooth Low-Energy interfaz de comandos ASCII fácil de usar para la comunicación con el microcontrolador anfitrión Módulo certificado para su uso en Estados Unidos, Canadá, Europa, Japón, Corea, Taiwán, India y China Soporte de aplicaciones móviles en Microchip Bluetooth Data (MBD) para iOS y Android Números de pieza adicionales disponibles para los accesorios MFi de Apple pila Bluetooth integrada (GAP, SDP, SPP, GATT) modo transparente fácil de usar para la transferencia de datos a través de UART múltiples clavijas de E/S para el control y el estado Encriptación segura AES128 y conexiones seguras LE Potencia de transmisión de +2 dBm Sensibilidad del receptor -90 dBm (Classic); -92 dBm (LE) El firmware se puede actualizar localmente a través de la UART Módulo compacto de montaje en superficie: 22 x 12 x 2,4 mm
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Brand: STARTECH
EAN: 0065030846240

Brand: Apple
EAN: 0194252085547

Brand: Cecotec
EAN: 8435484055178

Brand: Kramer
EAN: 7291063073978

Brand: Cecotec
EAN: 8435484055239

Brand: STARTECH
EAN: 0065030898218

Brand: STARTECH
EAN: 0065030891271

Brand: STARTECH
EAN: 0065030889933

Brand: Transformers
EAN: 5010993983773
Categoría: Categoría > Figuras y Minimundos

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Brand: Fortnite
EAN: 0191726405740
Categoría: Categoría > Chollo Precios

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Brand: Croqueta y Empanadilla
EAN: 8432715112822

Brand: TenVinilo - Vinilos Decorativos

Brand: Aigostar
EAN: 8433325204877

Brand: Aigostar
EAN: 8433325204945

Brand: Aigostar
EAN: 8433325204952

Brand: Aigostar
EAN: 8433325206994

Brand: Aigostar
EAN: 8433325211219

Brand: Aigostar
EAN: 8433325213091

Brand: Aigostar
EAN: 8433325216870

Brand: Aigostar
EAN: 8719138900367

Brand: HOMCOM
EAN: 8435677817590

Brand: HOMCOM
EAN: 8435677817583

Brand: HOMCOM
EAN: 8435428734107