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1 
Brand: Vishay
MPN: irf830pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220 se prefiere generalmente para todas las aplicaciones industriales comerciales con pérdidas de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la caja del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en todo el sector. Características • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetida de avalanchas • Cambio rápido • Fácil paralelización • Requisitos de tracción sencillos • Sin plomo (Pb)
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0.8 EUR
Vishay Irf 830 Vis - Mosfet, N-ch 500v 4,5a 1,5r , To-220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irf830pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de componentes robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. La carcasa TO-220 se prefiere generalmente para todas las aplicaciones industriales comerciales con pérdidas de hasta 50 W aproximadamente. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la caja del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en todo el sector. Características • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetida de avalanchas • Cambio rápido • Fácil paralelización • Requisitos de tracción sencillos • Sin plomo (Pb)
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2
Brand: Vishay
MPN: irfbg30pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La tecnología HEXFET es la clave de la gama avanzada de transistores MOSFET de potencia de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento exclusivo del diseño HEXFET garantizan una resistencia de paso muy baja, junto con una gran transconductancia y una resistencia extrema del dispositivo. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Se ha evaluado la salida repetida de avalanchas • Cambio rápido • Requisitos de tracción sencillos • Conexión en paralelo sencilla
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1.17 EUR
Vishay Irfbg 30 - Mosfet, N-ch 1000v 3,1a 5,0r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irfbg30pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La tecnología HEXFET es la clave de la gama avanzada de transistores MOSFET de potencia de International Rectifier. La geometría eficiente y el procesamiento exclusivo del diseño HEXFET garantizan una resistencia de paso muy baja, junto con una gran transconductancia y una resistencia extrema del dispositivo. La caja TO-220 es generalmente preferida para todas las aplicaciones comerciales-industriales con una capacidad de disipación de hasta 50 vatios. La baja resistencia térmica y los bajos costes de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. Características • Se ha evaluado la salida repetida de avalanchas • Cambio rápido • Requisitos de tracción sencillos • Conexión en paralelo sencilla
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3 
Brand: Vishay
MPN: irld024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRLD024, MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, resistencia baja y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es una forma de carcasa económica y resistente a la máquina, que se utiliza en varias combinaciones en centros pin estándar de 0,1''. El servidor de doble drenaje funciona como una conexión térmica a la superficie de montaje para una pérdida de potencia de hasta 1 W. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Para el uso automático • Trazable • Control de puerta a nivel lógico • RDS(on) especificado en VGS = 4 V y 5 V. • Temperatura de funcionamiento de 175 °C. • Cambio rápido • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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0.66 EUR
Vishay Irld 024 - Mosfet, N-ch 60v 2,5a 0,1r, Hvmdip
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irld024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRLD024, MOSFET de potencia Descripción: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, resistencia baja y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es una forma de carcasa económica y resistente a la máquina, que se utiliza en varias combinaciones en centros pin estándar de 0,1''. El servidor de doble drenaje funciona como una conexión térmica a la superficie de montaje para una pérdida de potencia de hasta 1 W. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Para el uso automático • Trazable • Control de puerta a nivel lógico • RDS(on) especificado en VGS = 4 V y 5 V. • Temperatura de funcionamiento de 175 °C. • Cambio rápido • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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4
Brand: Vishay
MPN: irf840lcpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Esta nueva gama de MOSFET de potencia baja alcanza una carga de puerta mucho menor que los MOSFET convencionales. El uso de la nueva tecnología LCDMOS logra las mejoras sin costes de producto adicionales, lo que reduce los requisitos de control de puerta y el ahorro total del sistema. Además, en una amplia gama de aplicaciones de alta frecuencia, se pueden obtener menos pérdidas de conmutación y una eficiencia mejorada. Con los nuevos MOSFET de baja carga, es posible utilizar frecuencias de algunos MHz a alta corriente. Estas mejoras de los componentes, junto con la robustez y fiabilidad demostradas que caracterizan a los MOSFET de potencia, ofrecen al desarrollador un nuevo estándar para transistores de potencia para aplicaciones de conmutación. Características • Carga de puerta extremadamente baja • Demanda reducida de accionamiento de puerta • Mejora de la evaluación de VGS de 30 V. • CISS reducido, COSS, Crss • Funcionamiento en frecuencia extremadamente alto • Evaluación repetitiva de avalanches • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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1.17 EUR
Vishay Irf 840lc Vis - Mosfet, N-ch 500v 8a 0,85r, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irf840lcpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Esta nueva gama de MOSFET de potencia baja alcanza una carga de puerta mucho menor que los MOSFET convencionales. El uso de la nueva tecnología LCDMOS logra las mejoras sin costes de producto adicionales, lo que reduce los requisitos de control de puerta y el ahorro total del sistema. Además, en una amplia gama de aplicaciones de alta frecuencia, se pueden obtener menos pérdidas de conmutación y una eficiencia mejorada. Con los nuevos MOSFET de baja carga, es posible utilizar frecuencias de algunos MHz a alta corriente. Estas mejoras de los componentes, junto con la robustez y fiabilidad demostradas que caracterizan a los MOSFET de potencia, ofrecen al desarrollador un nuevo estándar para transistores de potencia para aplicaciones de conmutación. Características • Carga de puerta extremadamente baja • Demanda reducida de accionamiento de puerta • Mejora de la evaluación de VGS de 30 V. • CISS reducido, COSS, Crss • Funcionamiento en frecuencia extremadamente alto • Evaluación repetitiva de avalanches • Cumple con la directiva 2002/95/CE RoHS
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5 
Brand: Vishay
MPN: irfib7n50apbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad de caracterización y tensión y corriente de avalancha • Especificación de COSS eficaz • Complant to RoHS directive 2002/95/EC APLICACIONES • Alimentación de modo de interruptor (SMPS) • Suministro de alimentación ininterruptible • Conmutación de potencia de alta velocidad • Aislamiento de alta tensión = 2.5 kVrms (t = 60 s, f = 60 Hz) TYPICAL SMPS TOPOLOGIES • Avance del transistor Two • Conversores de puente completo y de media mano • Refuerzo de corrección del factor de potencia
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1.73 EUR
Vishay Irfib7n50apbf - Mosfet N-ch 500v 6,6a 0,52r, To-220-fullpak
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irfib7n50apbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad de caracterización y tensión y corriente de avalancha • Especificación de COSS eficaz • Complant to RoHS directive 2002/95/EC APLICACIONES • Alimentación de modo de interruptor (SMPS) • Suministro de alimentación ininterruptible • Conmutación de potencia de alta velocidad • Aislamiento de alta tensión = 2.5 kVrms (t = 60 s, f = 60 Hz) TYPICAL SMPS TOPOLOGIES • Avance del transistor Two • Conversores de puente completo y de media mano • Refuerzo de corrección del factor de potencia
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6 
Brand: Vishay
MPN: irfu420
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. El DPAK está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU/SiHFU) es para aplicaciones de montaje pasante. La capacidad de disipación es de hasta 1,5 W en aplicaciones de montaje superficial típicas.
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0.58 EUR
Vishay Irfu 420 - Mosfet, N-ch 500v 2,4a 42w, To-251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irfu420
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. El DPAK está diseñado para el montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o de soldadura por ondas. La versión con conectores rectos (serie IRFU/SiHFU) es para aplicaciones de montaje pasante. La capacidad de disipación es de hasta 1,5 W en aplicaciones de montaje superficial típicas.
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Brand: Vishay
MPN: si9945bdyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET APLICACIONES LCD TV CCFL INVERSOR Interruptor de carga
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0.75 EUR
Vishay Si9945bdy-ge3 - Mosfet Doble N-ch 60v 5,3a 0,046r, So8
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Brand: Vishay
MPN: si9945bdyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET APLICACIONES LCD TV CCFL INVERSOR Interruptor de carga
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Brand: Vishay
MPN: irfb17n50lpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFB17N50LPBF , MOSFET DE POTENCIA Características • La carga de puerta baja Qg resulta en requisitos de accionamiento sencillos • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad y tensión y corriente de Avalon caracterizados por completo • trr bajo y recuperación suave de diodos • Categorización de materiales: Para conocer las definiciones de conformidad, visite www.vishay.com/doc?99999 Aplicaciones: • Fuente de alimentación conmutada (SMPS) • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • ZVS y circuitos de alta frecuencia • Inversor PWM
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2.29 EUR
Vishay Irfb17n50lpbf - Mosfet N-ch 500v 16a 0,28r, To220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irfb17n50lpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFB17N50LPBF , MOSFET DE POTENCIA Características • La carga de puerta baja Qg resulta en requisitos de accionamiento sencillos • Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y DV/dt dinámico • Capacidad y tensión y corriente de Avalon caracterizados por completo • trr bajo y recuperación suave de diodos • Categorización de materiales: Para conocer las definiciones de conformidad, visite www.vishay.com/doc?99999 Aplicaciones: • Fuente de alimentación conmutada (SMPS) • Fuentes de alimentación ininterrumpida • Fuente de alimentación conmutada de alta velocidad • ZVS y circuitos de alta frecuencia • Inversor PWM
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Brand: Vishay
MPN: irf720pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay le ofrecen El diseñador es la mejor combinación de cambio rápido, Diseño robusto, baja resistencia y Rentabilidad. El cuerpo TO-220 se convierte en universal para todos Aplicaciones comerciales e industriales en caso de pérdida de potencia Pérdida de potencia de hasta 50 W. La baja resistencia térmica Y el bajo costo de la caja TO-220 se hace cargo de su ancho Aceptación en la industria. Características • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Requisitos de tracción sencillos • Paralelización sencilla • Sin plomo (Pb) disponible
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0.56 EUR
Vishay Irf 720 - Mosfet, N-ch 400v 3,3a 1,8r 50w, To-220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irf720pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay le ofrecen El diseñador es la mejor combinación de cambio rápido, Diseño robusto, baja resistencia y Rentabilidad. El cuerpo TO-220 se convierte en universal para todos Aplicaciones comerciales e industriales en caso de pérdida de potencia Pérdida de potencia de hasta 50 W. La baja resistencia térmica Y el bajo costo de la caja TO-220 se hace cargo de su ancho Aceptación en la industria. Características • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Cambio rápido • Requisitos de tracción sencillos • Paralelización sencilla • Sin plomo (Pb) disponible
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Brand: Vishay
MPN: irfpc60pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad de caracterización y tensión y corriente de avalancha • Capacidad DV/dt del diodo corporal mejorado • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC APLICACIONES • Interruptor principal o PFC de conmutación dura • Alimentación de modo de interruptor (SMPS) • Suministro de alimentación ininterruptible • Conmutación de potencia de alta velocidad • Accionamiento del motor
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4.17 EUR
Vishay Irfpc60pbf - Mosfet N-ch 600v 16a 280w 0,4r To247ac
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Transporte: 9.95 EUR
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MPN: irfpc60pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Resultados de Qg de carga de puerta baja en el requisito de accionamiento simple • Puerta improvada, avalancha y resistencia dinámica DV/dt • Capacidad de caracterización y tensión y corriente de avalancha • Capacidad DV/dt del diodo corporal mejorado • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC APLICACIONES • Interruptor principal o PFC de conmutación dura • Alimentación de modo de interruptor (SMPS) • Suministro de alimentación ininterruptible • Conmutación de potencia de alta velocidad • Accionamiento del motor
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Brand: Vishay
MPN: si4114dyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-CANAL 20-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES MOSFET de lado bajo para Synchronous Buck - Máquina de juego - PC
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0.47 EUR
Vishay Si4114dy-ge3 - Mosfet N-ch 20v 20a 0,0049r, So8
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: si4114dyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-CANAL 20-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES MOSFET de lado bajo para Synchronous Buck - Máquina de juego - PC
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Brand: Vishay
MPN: irfd120pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es un encapsulado de montaje en máquina rentable que se puede apilar en varios conjuntos en centros de pluma estándar de 0,1''. El drenaje doble sirve como conexión térmica para la superficie de montaje para pérdidas de hasta 1 W. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV / dt • Repetición de la frecuencia de Avalon • Para el posicionamiento automático • Finalizar apilable • Temperatura de funcionamiento 175 ° C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Cumple con la directiva 2002/95/CE sobre RoHS
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0.97 EUR
Vishay Irfd 120 - Mosfet, N-ch 100v 1,3a 0,27r, Hvmdip-4
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irfd120pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es un encapsulado de montaje en máquina rentable que se puede apilar en varios conjuntos en centros de pluma estándar de 0,1''. El drenaje doble sirve como conexión térmica para la superficie de montaje para pérdidas de hasta 1 W. CARACTERÍSTICAS • Evaluación dinámica DV / dt • Repetición de la frecuencia de Avalon • Para el posicionamiento automático • Finalizar apilable • Temperatura de funcionamiento 175 ° C. • Cambio rápido • Paralelización sencilla • Cumple con la directiva 2002/95/CE sobre RoHS
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Brand: Vishay
MPN: si2308bdst1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-CANAL 60 V (D-S) MOSFET Características: • Libre de halógenos según IEC 61249-2-21-1 • TrenchFET® Power MOSFET • 100% RG y UIS probado • Categoría del material: Para definiciones de conformidad, ver www.vishay.com/doc?99912 Aplicaciones: • Interruptor de batería • Convertidores DC/DC
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0.33 EUR
Vishay Si2308bds-t1-ge3 - Mosfet N-ch 60v 1,9a 0,13r, Sot-23
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: si2308bdst1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-CANAL 60 V (D-S) MOSFET Características: • Libre de halógenos según IEC 61249-2-21-1 • TrenchFET® Power MOSFET • 100% RG y UIS probado • Categoría del material: Para definiciones de conformidad, ver www.vishay.com/doc?99912 Aplicaciones: • Interruptor de batería • Convertidores DC/DC
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Brand: Vishay
MPN: irfr014pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET Características Dynamic DV/dt Rating Montaje en superficie (IRFR014, SiHFR014) Disponible en cinta y reel Conmutación rápida Ease de paralelismos Requisitos de accionamiento simple3 DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan a los diseñadores la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivos con reglas, baja resistencia y eficacia.
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0.5 EUR
Vishay Irfr014pbf - Mosfet N-ch 60v 7,7a 0,2r, To-252aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irfr014pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET Características Dynamic DV/dt Rating Montaje en superficie (IRFR014, SiHFR014) Disponible en cinta y reel Conmutación rápida Ease de paralelismos Requisitos de accionamiento simple3 DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan a los diseñadores la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivos con reglas, baja resistencia y eficacia.
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Brand: Vishay
MPN: irfuc20pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Montaje en superficie (IRFRC20, SiHFRC20) • Líder de la calle (IRFUC20, SiHFUC20) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • categorización de materiales: Para definir el cumplimiento visite www.vishay.com/doc?99912
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0.7 EUR
Vishay Irfuc20pbf - Mosfet N-ch 600v 2a 4,4r, To251aa
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irfuc20pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Montaje en superficie (IRFRC20, SiHFRC20) • Líder de la calle (IRFUC20, SiHFUC20) • Disponible en cinta y reel • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • categorización de materiales: Para definir el cumplimiento visite www.vishay.com/doc?99912
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Brand: Vishay
MPN: irfbf30pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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1.22 EUR
Vishay Irfbf30pbf - Mosfet N-ch 900v 3,6a 3,7r, To220ab
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irfbf30pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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Brand: Vishay
MPN: sihp22n60ege3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
SiHP22N60E E-Series Power MOSFET Características: • Figura clave baja (FOM) Ron x Qg • Capacitancia de entrada baja (CISS) • Reducción de las pérdidas de conmutación y línea • Carga de puerta extremadamente baja (Qg) • Evaluación de Energía de Avalanche (UIS) • Categorización de materiales: Para las definiciones de conformidad, véase www.vishay.com Aplicaciones: • Fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones • Fuentes de alimentación del modo de conmutación (SMPS) • Fuentes de alimentación con corrección del factor de potencia (PFC) • Iluminación - Descarga de alta intensidad (HID) - Iluminación de tubo fluorescente • Industrial - Soldadura - Calefacción inductiva - Acciones de motor - Cargadores de batería - Energía renovable - Solar (inversor PV)
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7.02 EUR
Vishay Sihp22n60e-ge3 - Mosfet, N-ch 650v 21a 0,18r, To-220
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: sihp22n60ege3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
SiHP22N60E E-Series Power MOSFET Características: • Figura clave baja (FOM) Ron x Qg • Capacitancia de entrada baja (CISS) • Reducción de las pérdidas de conmutación y línea • Carga de puerta extremadamente baja (Qg) • Evaluación de Energía de Avalanche (UIS) • Categorización de materiales: Para las definiciones de conformidad, véase www.vishay.com Aplicaciones: • Fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones • Fuentes de alimentación del modo de conmutación (SMPS) • Fuentes de alimentación con corrección del factor de potencia (PFC) • Iluminación - Descarga de alta intensidad (HID) - Iluminación de tubo fluorescente • Industrial - Soldadura - Calefacción inductiva - Acciones de motor - Cargadores de batería - Energía renovable - Solar (inversor PV)
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Brand: Vishay
MPN: si4156dyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-CANAL 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Convertidor DC/DC - Cuaderno Vcore - POL
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0.67 EUR
Vishay Si4156dy-ge3 - Mosfet N-ch 30v 24a 0,0048r, So8
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Transporte: 9.95 EUR
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MPN: si4156dyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-CANAL 30-V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Convertidor DC/DC - Cuaderno Vcore - POL
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Brand: Vishay
MPN: si4401ddyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
CANAL P 40 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Interruptor de carga POL
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0.61 EUR
Vishay Si4401ddy-ge3 - Mosfet P-ch, -40v -16,1a 0,015r, So8
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MPN: si4401ddyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
CANAL P 40 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 TrenchFET® Power MOSFET 100% RG probado 100% UIS probado Obediente a la Directiva RoHS 2002/95/EC APLICACIONES Interruptor de carga POL
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Brand: Vishay
MPN: si4134dyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-CANAL 30 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Conversión DC/DC - Sistema de cuaderno de potencia
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0.45 EUR
Vishay Si4134dy-ge3 - Mosfet N-ch 30v 14a 0,0115r, So8
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Brand: Vishay
MPN: si4134dyt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-CANAL 30 V (D-S) MOSFET CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFET 100% RG y UIS probado APLICACIONES Conversión DC/DC - Sistema de cuaderno de potencia
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Brand: Vishay
MPN: crcw060333r0fkea
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Resistencia SMD de capa gruesa 0603
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0.08 EUR
Vishay Vis Crcw060333r - Resistencia Smd, 0603, 33 Ohmios, 100 Mw, 1%
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Brand: Vishay
MPN: crcw060333r0fkea
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Resistencia SMD de capa gruesa 0603
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Brand: Vishay
MPN: irfd9024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFD9024 , MOSFET de potencia Descripción: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es una carcasa de uso de máquina económica que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1''. El servidor de doble drenaje funciona como una conexión térmica a la superficie de montaje para una pérdida de potencia de hasta 1 W. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Para equipamiento automático • Extremo apilable • Canal p. • De cambio rápido • Temperatura de funcionamiento de 175 °C. • Cumple con la directiva 2002/95/CE sobre RoHS
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0.86 EUR
Vishay Irfd 9024 - Mosfet, P-ch, -60v -1,6a 0,28r, Hvmdip
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Brand: Vishay
MPN: irfd9024pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRFD9024 , MOSFET de potencia Descripción: La tercera generación de MOSFET de potencia de Vishay ofrece al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño robusto, baja resistencia y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es una carcasa de uso de máquina económica que se puede apilar en varias combinaciones en centros de pin estándar de 0,1''. El servidor de doble drenaje funciona como una conexión térmica a la superficie de montaje para una pérdida de potencia de hasta 1 W. Características: • Evaluación dinámica DV/dt • Evaluación repetitiva de avalanches • Para equipamiento automático • Extremo apilable • Canal p. • De cambio rápido • Temperatura de funcionamiento de 175 °C. • Cumple con la directiva 2002/95/CE sobre RoHS
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Brand: Vishay
MPN: irfi640gpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Paquete aislado • Aislamiento de alta tensión = 2.5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz) • Distancia de derivación de la derivación de la derivación = 4.8 mm • Dynamic DV/dt Rating • Baja resistencia térmica • Disponibilidad libre de plomo (Pb)
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1.53 EUR
Vishay Irfi640gpbf - Mosfet N-ch 200v 9,8a 0,18r, To-220-fullpak
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Brand: Vishay
MPN: irfi640gpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Paquete aislado • Aislamiento de alta tensión = 2.5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz) • Distancia de derivación de la derivación de la derivación = 4.8 mm • Dynamic DV/dt Rating • Baja resistencia térmica • Disponibilidad libre de plomo (Pb)
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Brand: Vishay
MPN: irf644spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF644S, SIHF644S. Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D2PAK es un encapsulado de potencia montable en superficie que admite un tamaño de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2PAK es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. Características • Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 • Montaje en superficie • Disponible en cinta y reel • Evaluación dinámica DV/dt • Resistencia repetitiva a la avalancha • de cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Cumple con la directiva 2002/95/CE sobre RoHS
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1.42 EUR
Vishay Irf 644s Vis - Mosfet, N-ch 250v 14a 0,28r, D2-pak
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Brand: Vishay
MPN: irf644spbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
IRF644S, SIHF644S. Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al desarrollador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de elementos de construcción robusto, baja resistencia en tiempo real y rentabilidad. El D2PAK es un encapsulado de potencia montable en superficie que admite un tamaño de chip de hasta HEX-4. Ofrece el máximo rendimiento y la menor resistencia posible en un chasis ya existente que se puede montar en la superficie. El D2PAK es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede derivar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje superficial típica. Características • Libre de halógenos según la definición IEC 61249-2-21 • Montaje en superficie • Disponible en cinta y reel • Evaluación dinámica DV/dt • Resistencia repetitiva a la avalancha • de cambio rápido • Paralelización sencilla • Requisitos de tracción sencillos • Cumple con la directiva 2002/95/CE sobre RoHS
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Brand: Vishay
MPN: irld120pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es un encapsulado de montaje en máquina rentable que se puede apilar en varios conjuntos en centros de pluma estándar de 0,1 pulgadas. El doble desagüe sirve como conexión térmica a la superficie de montaje para potencias de pérdida de hasta 1 W. Funciones • Evaluación dinámica DV / dt • Evaluación repetida de avalanchas • Para el montaje automático • Extremo apilable • Accionamiento de puerta a nivel lógico • RDS (On) se especializa en VGS = 4 V y 5 V. • Temperatura de funcionamiento 175 ° C. • Cumple con la directiva 2002/95/CE sobre RoHS
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0.55 EUR
Vishay Irld 120 - Mosfet, N-ch 100v 1,3a 0,27r, Hvmdip
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Brand: Vishay
MPN: irld120pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
MOSFET de potencia Descripción Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay ofrecen al diseñador la mejor combinación de cambio rápido, diseño de dispositivos robusto, baja resistencia y rentabilidad. El encapsulado DIP de 4 pines es un encapsulado de montaje en máquina rentable que se puede apilar en varios conjuntos en centros de pluma estándar de 0,1 pulgadas. El doble desagüe sirve como conexión térmica a la superficie de montaje para potencias de pérdida de hasta 1 W. Funciones • Evaluación dinámica DV / dt • Evaluación repetida de avalanchas • Para el montaje automático • Extremo apilable • Accionamiento de puerta a nivel lógico • RDS (On) se especializa en VGS = 4 V y 5 V. • Temperatura de funcionamiento 175 ° C. • Cumple con la directiva 2002/95/CE sobre RoHS
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Brand: Vishay
MPN: crcw0402100rfked
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Resistencia SMD de capa gruesa 0402
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0.03 EUR
Vishay Vis Crcw04021002 - Resistencia Smd, 0402, 100 Ohmios, 63 Mw, 1%
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Brand: Vishay
MPN: crcw0402100rfked
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Resistencia SMD de capa gruesa 0402
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Brand: Vishay
MPN: si7850dpt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET de Conmutación Rápida CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFETs Nuevo paquete PowerPak® de baja resistencia térmica con perfiles bajos de 1,07 mm PWM optimizado para una conmutación rápida 100% RG probado APLICACIONES Interruptor lateral primario para aplicaciones de 24 V DC/DC Rectificador síncrono secundario
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1.27 EUR
Vishay Si7850dp-ge3 - Mosfet N-ch 60v 10,3a 0,022r, Powerpakso8
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MPN: si7850dpt1ge3
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET de Conmutación Rápida CARACTERÍSTICAS TrenchFET® Power MOSFETs Nuevo paquete PowerPak® de baja resistencia térmica con perfiles bajos de 1,07 mm PWM optimizado para una conmutación rápida 100% RG probado APLICACIONES Interruptor lateral primario para aplicaciones de 24 V DC/DC Rectificador síncrono secundario
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Brand: Vishay
MPN: irfpf50pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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3.86 EUR
Vishay Irfpf50pbf - Mosfet N-ch 900v 6,7a 1,6r, To-247ac
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MPN: irfpf50pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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Brand: Vishay
MPN: irfr9220pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS Dynamic DV/dt Rating Avalancha repetitiva aconsejada Montaje en superficie (IRFR9220, SiHFR9220) Disponible en cinta y reel P-Channel Conmutación rápida DESCRIPCIÓN La tecnología de MOSFET de potencia es la clave para vishay advanced line de transistores MOSFET de potencia. La geometría eficaz y el proceso único del diseño de los MOSFET de potencia tienen una resistencia muy baja en el estado, combinada con una alta transconductancia y una extrema aspereza del dispositivo.
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0.75 EUR
Vishay Irfr9220pbf - Mosfet P-ch, -200v -3,6a 1,5r, To-252aa
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MPN: irfr9220pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS Dynamic DV/dt Rating Avalancha repetitiva aconsejada Montaje en superficie (IRFR9220, SiHFR9220) Disponible en cinta y reel P-Channel Conmutación rápida DESCRIPCIÓN La tecnología de MOSFET de potencia es la clave para vishay advanced line de transistores MOSFET de potencia. La geometría eficaz y el proceso único del diseño de los MOSFET de potencia tienen una resistencia muy baja en el estado, combinada con una alta transconductancia y una extrema aspereza del dispositivo.
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Brand: Vishay
MPN: irfd9014pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Para la inserción automática • Final apilable • P-Channel • 175 °C temperatura operativa • Conmutación rápida • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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0.86 EUR
Vishay Irfd9014pbf - Mosfet P-ch, -60v -1,1a 0,5r, Hvmdip-4
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Brand: Vishay
MPN: irfd9014pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Para la inserción automática • Final apilable • P-Channel • 175 °C temperatura operativa • Conmutación rápida • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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Brand: Vishay
MPN: irfpg50pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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3.25 EUR
Vishay Irfpg50pbf - Mosfet N-ch 1000v 6,1a 2,0r, To-247ac
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Brand: Vishay
MPN: irfpg50pbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET CARACTERÍSTICAS • Dynamic DV/dt Rating • Avalancha repetitiva aconsejada • Funda de montaje central aislada • Conmutación rápida • Ease de paralelismos • Requisitos de conducción sencilla • Complant to RoHS Directive 2002/95/EC
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Brand: Vishay
MPN: irfl210trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva conmutación rápida Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan a los diseñadores la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivos con reglas, baja resistencia y eficacia.
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0.48 EUR
Vishay Irfl210trpbf - Mosfet N-ch 200v 0,96a 1,5r, Sot223
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Transporte: 9.95 EUR
Brand: Vishay
MPN: irfl210trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos
Potencia MOSFET montaje de superficie Disponible en cinta y reel Dynamic DV/dt rating avalancha repetitiva conmutación rápida Ease de paralelismos Requisitos de conducción sencilla DESCRIPCIÓN Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay proporcionan a los diseñadores la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivos con reglas, baja resistencia y eficacia.
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