Motor De Arranque Bosch 986016031 | Ofertas Ferretería

Brand: Microchip
MPN: at91sam7s512bau
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Resumen El SAM7S512 basado en ARM® de Microchip es un miembro de la serie SAM7S de microcontroladores flash basados en el procesador ARM7TDMI-RISC de 32 bits. Funciona a una velocidad máxima de 55MHz y tiene 512KB de memoria flash de banco doble y 64KB de SRAM. El conjunto periférico incluye un dispositivo USB de alta velocidad y PHY con 12 Mbps, UART, dos USART, TWI (I2C), SPI, SSC, dos temporizadores PWM, tres temporizadores de 16 bits, RTT, ADC de 8x10 bits y 32 líneas IO. La matriz de bus multicapa, varios bancos SRAM, PDC y DMA admiten tareas paralelas y maximizan el rendimiento de los datos. El SAM7S256 funciona con una tensión de 1,65V a 3,6V y está disponible en carcasas LQFP y QFN de 64 pines. El SAM7S512 funciona con una tensión de 1,65V a 3,6V y está disponible en carcasas LQFP y QFN de 64 pines.
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Brand: Infineon
MPN: spp06n80c3xksa1
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

800V CoolMOS™ C3 Power MOSFET Características • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje • Clasificación extrema dv/dt • Alta capacidad de corriente de pico • Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo • PB-libre plomo plateado; RoHS obediente • Cargo de puerta ultra bajo • Capacidades efectivas ultra bajas • Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto) CoolMOSTM 800V diseñado para: • Aplicación industrial con alto voltaje a granel DC • Aplicación de conmutación ( es decir, abrazadera activa hacia adelante )
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Brand: Infineon
MPN: irlml0030trpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

MOSFET de potencia de canal único de 30 V StrongIRFET™ en una caja SOT-23 Descripción: La familia de MOSFET de potencia StrongIRFET™ está optimizada para una baja RDS(on) y una alta capacidad de carga de corriente. Los módulos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, como motores de corriente continua, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Características: • Carcasa de potencia montada en superficie estándar del sector • Calificación del producto según el estándar JEDEC • Silicio optimizado para aplicaciones que conmutan por debajo de • Cuerpo de diodo más suave en comparación con la generación anterior de silicio Ventajas: • El diseño de pines estándar permite la sustitución • Nivel de cualificación según el estándar industrial • Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia • Mayor densidad de potencia
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Brand: FUJITSU-TAKAMISAWA
MPN: ftrk1ck024w
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Relé de potencia miniatura FTR-K1 • Dimensiones (largo x ancho x alto): 29 x 12,7 x 15,7mm • Máx. Tensión de conmutación: 300 V CC / 440 V CA • Capacidad de conmutación máx.: 384 W / 4000 VA • Potencia de reacción: • Resistente al lavado: RT II • Tensión de bobina: 24 V CC • Resistencia interna: 1440 Ohm • Contactos: 1 inversores 16 A • Contactos: AgSnO2 • Certificación: VDE, UL, CSA, S
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Brand: STMICROELECTRONICS
MPN: ts272cdt
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

Los dispositivos TS272 son amplificadores operacionales duales de bajo coste diseñados para funcionar con una o dos fuentes de alimentación. Estos amplificadores operacionales utilizan el proceso CMOS de puerta de silicio ST que permite una excelente relación consumo-velocidad. Estas series son ideales para aplicaciones de bajo consumo.
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Brand: Infineon
MPN: irf3205zstrlpbf
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

HEXFET® Power MOSFET Características Tecnología avanzada de procesos Resistencia ultra baja Temperatura de funcionamiento 175 °C. Conmutación rápida Avalancha repetitiva hasta Tjmax Sin plomo
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Brand: Microchip
MPN: atmega32u2mu
Categoría: Componentes eléctricos y electrónicos

El potente microcontrolador basado en RISC de 8 bits y bajo consumo de energía de Microchip AVR® combina 8 KB de memoria flash ISP con capacidades de escritura de repetición, EEPROM 512B, SRAM 512B, 22 líneas de E/S de uso general, 32 registros de trabajo de uso general, dos temporizadores/contadores flexibles con modos de comparación y PWM, USART, temporizador de vigilancia programable con oscilador interno, puerto serie SPI, interfaz debugWIRE para depuración y programación en chip, así como cinco modos de ahorro de energía seleccionables por software. El bloque funciona con tensiones de entre 2,7 y 5,5 voltios. Al ejecutar comandos de alto rendimiento en un único ciclo de reloj, el bloque alcanza un rendimiento cercano a un MIPS por MHz, lo que crea un equilibrio entre el consumo de energía y la velocidad de procesamiento.
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